мдя транзисторлар асосидаги ракамли имсларнинг негиз элементлари

DOC 96,0 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1584171607.doc мдя транзисторлар асосидаги ракамли имсларнинг негиз элементлари режа: 1. мдя – транзисторида ясалган инвертор схемаси 2. мдя – транзисторида ясалган мантиқий элементлар 3. рақамли имс оиларнинг мувофиқлаштириш усуллари мдя – транзисторида ясалган инвертор схемаси ахборотни қайта ишлаш ва сақлаш вазифаларини бажарувчи замонавий микроэлектрон аппаратларда турли интеграция даражасига эга бўлган имслар ишлатилади. айниқса кис ва ўкис интеграция даражасига эга бўлган имслар кенг қўлланилмоқда. ттм ва эбм элементлари юқори тезкорликни таъминлайдилар, аммо истеъмол қуввати ва ўлчамлари катта бўлганлиги сабабли, фақат кичик ва ўрта интеграция даражасига эга бўлган имслар яратишдагина қўлланилади. 1962 йилда планар технологик жараён асосида кремний оксидили (sio2) мдя – транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди. интеграл бтлардан фарқли равишда бир турдаги мдя интеграл транзисторларда изоляцияловчи чўнтаклар ҳосил қилиш талаб этилмайди. шунинг учун, бир хил мураккабликка эга бўлганда, мдя – транзисторли имслар бтларга нисбатан кристалда кичик ўлчамларга эга ва ясалиш технологияси содда бўлади. кремний …

ки электронларнинг ҳаракатчанлиги ковакларникига нисбатан юқори бўлганлиги сабабли мантиқий имсларнинг юқори тезкорлиги таъминланади. бундан ташқари, n – мдятм схемалар кучланиш номинали ва мантиқий 0 ва 1 сатҳлари бўйича ттм схемалар билан тўлиқ мувофиқликка эга. содда 2ҳам-эмас ва 2ёки-эмас мэ схемалари 13.1 – расмда келтирилган. бу схемаларда юклама сифатида ишлатилаётган vt0 транзисторлар доим очиқ ҳолатда бўлади, чунки уларнинг затворлари кучланиш манбаининг мусбат қутбига туташган. улар ток чеклагичлар (динамик қаршиликлар) вазифасини бажаради. 2ҳам-эмас схемада (8.1, а – расм) пастки vt1 ва vt2 транзисторлар кетма – кет, 2ёки-эмас схемада эса (8.1, б – расм) – параллел уланади. 2ҳам-эмас мэ ишини кўриб чиқамиз. агар қайта уланувчи транзисторлар бирининг киришидаги потенциал бўсағавий потенциал u0 дан кичик бўлса, яъни uкир < u0 (мантиқий 0) бўлса, у ҳолда бу транзистор берк бўлади. бу вақтда юкламадаги vt0 транзистор сток токи ҳам нолга тенг бўлади. шу сабабли, схеманинг чиқишида манба кучланиши ем қийматига яқин бўлган, яъни мантиқий бирга мос …

бўлганда ем = 4,5 ÷ 9 в бўлади. мдятм элементларда реал u0чиқ қиймати u0 = uқол ≈ 0,2 ÷ 0,3 в дан катта эмас, u1чиқ қиймати эса u1чиқ ≈ ем. мос равишда мантиқий ўтиш uм eм uкол ем . мдятм элементнинг яна бир афзаллиги – халақитбардошлиги юқорилигидадир. бтлардаги мэларда мантиқий 0 нинг халақитбардошлиги (1÷2)u*, яъни 0,7÷1,4 в бўлганда, мдятм да u0хал = u0 - u0 ≈ 1,5 ÷ 3 в бўлади. ҳам-эмас элементида киришлар сони ортган сари халақитбардошлик камаяди, чунки бир вақтда барча транзисторларнинг қолдиқ кучланишлари uқол ортади. шу сабабли ҳам-эмас элементларда киришлар сони 4 тадан ортмайди, ёки-эмас элементларда эса 10-12 тагача етади. мдя схемаларнинг юклама қобилияти катта, чунки кириш (затвор) занжири деярли ток истеъмол қилмайди. демак, иш жараёнида занжирдаги барча мэлар бир – бирига боғлиқ бўлмаган ҳолда ишлайдилар, u0 ва u1 сатҳи эса юкламага боғлиқ бўлмайди. мдя – тузилма элементлари тезкорлиги эса кириш ва чиқиш занжирларини шунтловчи сиғимларнинг қайта …

ади. тарназистор v1 затворга ноль кучланиш берилаганда очилади, чунки бу ҳолатда затворда истокка нисбатан манфий кучланиш пайдо бўлиб, n – подложкадан затвордаги сиртолди қатламига ўтказувчан канални ҳосил қилувчи коваклар йиғилади. транзистор v2 затворга мусбат кучланиш берилганда очилади. бу ҳолатда затвордаги сиртолди қатламга ўтказувчан канални ҳосил қилувчи электронлар йиғилади. схемани киришига мантиқий “1”, яъни х нуқтага мусбат катта кучланиш берилса транзистор v1 беркилади, транзистор v2 эса очилади. элементнинг y чиқишида мантиқий “0” ҳосил бўлади. агар схеманинг х киришига мантиқий “0” берилса, транзистор v2 беркилади, транзистор v1 эса очилади. элементнинг y чиқишида мантиқий “1” ҳосил бўлади. анча мураккаб мантиқий кмдя – элементлари одатда, юқорида кўрилган “йўқ” схемаси асосида тузилади. қуйидаги 6-расмда “ва-йўқ” элементининг электр схемаси келтирилган. элементнинг ихтиёрий киришига ноль сигнал берилса, унинг чиқишида мантиқий “1” ҳосил бўлади. чунки бу ҳолда v1 ёки v2 транзисторлардан биттаси очиқ бўлади. v3 ёки v4 транзисторлардан биттаси берк бўлади. иккала х1 ва х2 киришга ҳам мантиқий …

нергия йўқотишга сабаб бўлувчи резисторлар бўлмайди. майдоний транзисторларни тайёрлашда затвор ўлчамини кичрайтириб, затвор ва сток, затвор ва исток сиғимларини камайтириб, тез ишлайдиган кмдя – элементлар қуриш мумкин. шунинг учун кмдя – мантиқ ҳозирги замонавий микропроцессорларни ва юқори даражада интеграллашган микросхемаларни қуришда кенг қўлланилмоқда. фойдаланилган адабиётлар: 1. мейер м. теория реляционных баз данных. – м.: мир, 1987. – 608 с. 2. абдуманонов а.а., карабаев м.к., хошимов в.г.. информационнокоммуникационная технология организации лечебно-диагностических процессов в стационарах экстренной медицины. межд. ж. информационные технологии моделирования и управления. 2012,- №5(77). –с. 378-385. 3. карабаев м.к., абдуманонов а.а. алгоритмы и технологии обеспечения безопасности информации в медицинской информационной системе externet. программные продукты и системы, научно-практич. издание № 1(101), 2013 г., с. 150-155. 4. ю.а. григорьев, в.г. матюхин. оценка времени выполнения сложного sql-запроса в субд ms sql server. организация баз данных 2004. №2 (8)- с.3-11.

Хотите читать дальше?

Скачайте полный файл бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "мдя транзисторлар асосидаги ракамли имсларнинг негиз элементлари"

1584171607.doc мдя транзисторлар асосидаги ракамли имсларнинг негиз элементлари режа: 1. мдя – транзисторида ясалган инвертор схемаси 2. мдя – транзисторида ясалган мантиқий элементлар 3. рақамли имс оиларнинг мувофиқлаштириш усуллари мдя – транзисторида ясалган инвертор схемаси ахборотни қайта ишлаш ва сақлаш вазифаларини бажарувчи замонавий микроэлектрон аппаратларда турли интеграция даражасига эга бўлган имслар ишлатилади. айниқса кис ва ўкис интеграция даражасига эга бўлган имслар кенг қўлланилмоқда. ттм ва эбм элементлари юқори тезкорликни таъминлайдилар, аммо истеъмол қуввати ва ўлчамлари катта бўлганлиги сабабли, фақат кичик ва ўрта интеграция даражасига эга бўлган имслар яратишдагина қўлланилади. 1962 йилда планар технологик жараён асосида кремний оксидили (sio2) мдя – транзистор я...

Формат DOC, 96,0 КБ. Чтобы скачать "мдя транзисторлар асосидаги ракамли имсларнинг негиз элементлари", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: мдя транзисторлар асосидаги рак… DOC Бесплатная загрузка Telegram