биполяр транзисторлар

DOC 188,0 KB Bepul yuklash

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1403792403_47382.doc эp эn э i i i + = э эn i i = g g £ эn kn п i i = a п a 0 k kn k i i i + = 0 k э kn i i i + = a п ga a = k б э i i i + = ( ) 0 1 k э б i i i + - = a a э k i i » ( ) 0 k б k k i i i i + + = a 0 1 1 1 k б k i i i a a a - + - = a a b - = 1 0 ) 1 ( k б k i i i + + = b b b b ) ( 1 2 э э i i - a 0 кэ б k i i i + …

нган деб аталади. транзистор рақамли схемаларда қўлланилганда у тўйиниш режимида (иккала ўтиш ҳам тўғри йўналишда силжиган), ёки берк режимда (иккала ўтиш тескари силжиган) ишлаши мумкин. 4.2. биполяр транзисторнинг уланиш схемалари транзистор схемага уланаётганда чиқишларидан бири кириш ва чиқиш занжири учун умумий қилиб уланади, шу сабабли қуйидаги уланиш схемалари мавжуд: умумий база (уб) (4.3 а-расм); умумий эмиттер (уэ) (4.3 б-расм); умумий коллектор (ук) (4.3 в- расм). бу вақтда умумий чиқиш потенциали нольга тенг деб олинади. кучланиш манбаи қутблари ва транзистор токларининг йўналиши транзисторнинг актив режимига мос келади. уб уланиш схемаси қатор камчиликларга эга бўлиб, жуда кам ишлатилади. а) б) в) 4.3 – расм. биполяр транзисторнинг актив режимда ишлаши. уб уланиш схемасида актив режимда ишлаётган n-p-n тузилмали диффузияли қотишмали биполяр транзисторни ўзгармас токда ишлашини қўриб чиқамиз (4.3 а-расм). биполяр транзисторнинг нормал ишлашининг асосий талаби бўлиб база соҳасининг етарлича кичик кенглиги w ҳисобланади; бу вақтда w( l шарти албатта бажарилиши керак (l-базадаги асосий …

қизишига олиб келади). iэр ни камайтириш мақсадида базадаги акцептор киритма концентрацияси эмиттердаги донор киритма концентрациясига нисбатан икки даражага камайтирилади. эмиттер токидаги iэn қисмини инжекция коэффициенти аниқлайди. , (4.2) бу катталик эмиттер иши самарадорлигини характерлайди ( =0,990-0,995). инжекцияланган электронлар коллектор ўтиш томон база узунлиги бўйлаб электронлар зичлигининг камайиши ҳисобига базага диффундланадилар ва коллектор ўтишга етгач, коллекторга экстракцияланадилар (коллектор ўтиш электр майдони ҳисобига тортиб олинадилар) ва iкn коллектор токи ҳосил бўлади. зичликнинг камайиши концентрация градиенти деб аталади. градиент қанча катта бўлса, ток ҳам шунча катта бўлади. бу вақтда базадан инжекцияланётган электронларнинг бир қисми коваклар билан базага экстракцияланишини ҳам ҳисобга олиш керак. рекомбинация жараёни базанинг электр нейтраллик шартини тиклаш учун талаб қилинадиган ковакларнинг камчилигини юзага келтиради. талаб қилинаётган коваклар база занжири бўйлаб келиб транзистор база токи iбрек ни юзага келтиради. iбрек токи керак эмас ҳисобланади ва шу сабабли уни камайтиришга ҳаракат қилинади. бу ҳолат база кенглигини камайтириш ҳисобига амалга оширилади w ln (электронларнинг …

унига мос равишда база токи транзисторнинг бошқа токлари билан қуйидаги нисбатда боғлиқ . (4.5) бу ифодани (4.4)га қўйиб, база токининг эмиттернинг тўлиқ токи орқали ифодасини олишимиз мумкин: . (4.6) коэффициент (1 лигини ҳисобга олган ҳолда, шундай ҳулоса қилиш мумкин: уб уланиш схемаси ток бўйича кучайиш бермайди ( ). ток бўйича яхши кучайтириш натижаларини умумий эмиттер схемасида уланган транзисторда олиш мумкин (4.3 б-расм). бу схемада эмиттер умумий электрод, база токи - кириш токи, коллектор токи эса – чиқиш токи ҳисобланади. (4.4) ва (4.5) ифодалардан келиб чиққан ҳолда уэ схемадаги транзисторнинг коллектор токи қуйидаги кўринишга эга бўлади: . бундан . (4.7) агар белгилаш киритилса, (4.7) ифодани қуйидагича ёзиш мумкин: . (4.8) коэффициент - база токининг узатиш коэффициенти деб аталади. нинг қиймати ўндан юзгача, баъзи транзистор турларида эса бир неча мингларгача оралиғида бўлиши мумкин. демак, уэ схемасида уланган транзистор ток бўйича яхши кучайтириш хоссаларига эга ҳисобланади. 4.3. биполяр транзистор статик характеристикалари транзистор статик …

база кенглигининг модуляцияси) билан аниқланади. бунинг маъноси шундаки, коллектор ўтишдаги тескари кучланишнинг ортиши унинг кенгайишига олиб келади, бу вақтда база соҳасидаги кенгайиш унинг кенглигининг кичрайиши ҳисобига содир бўлади. база кенглигининг кичрайиши иккита эффектга олиб келади: заряд ташувчилар рекомбинациясининг камайиши ҳисобига база токининг камайиши ва базадаги асосий бўлмаган заряд ташувчилар концентрация градиентининг ортиши ҳисобига эмиттер токининг ортиши. а) б) 4.4 – расм. шу сабабли коллектор ўтишдаги тескари куланишнинг ортиши билан уб схемадаги кириш характеристика чапга, уэ схемада эса ўнгга силжийди. уб схемадаги транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи бўлиб iэ =const бўлгандаги iк= f (uкб) боғлиқлик, уэ схемада эса iб =const бўлгандаги iк= f (uкэ) боғлиқлик ҳисобланади. чиқиш характеристикалари кўринишига кўра тескари уланган диод вах сига ўхшайди, чунки коллектор ўтиш тескари уланган. характеристикаларни қуришда коллектор ўтишнинг тескари кучланишини ўнгда ўрнатиш қабул қилинган (4.5 – расм). а) б) 4.5 – расм. 4.5 а - расмдан кўриниб турибдики, уб схемадаги чиқиш характерис-тикалари икки квадрантларда жойлашган: …

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Faylni Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"биполяр транзисторлар" haqida

1403792403_47382.doc эp эn э i i i + = э эn i i = g g £ эn kn п i i = a п a 0 k kn k i i i + = 0 k э kn i i i + = a п ga a = k б э i i i + = ( ) 0 1 k э б i i i + - = a a э k i i » ( ) 0 k б k k i i i i + + = a 0 1 1 1 k б k i i i a a a - + - = a a b - = 1 0 ) 1 ( k …

DOC format, 188,0 KB. "биполяр транзисторлар"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: биполяр транзисторлар DOC Bepul yuklash Telegram