elektronika va sxemalar

DOCX 65 стр. 169,8 КБ Бесплатная загрузка

65 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 169,8 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 65

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 65

elektronika va sxemalar. yakuniy nazoray savollari. birinchi variant to'g'ri! elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar texnologiyasining takomillashuvi bilan chambar-chars bog‘liq bo‘lib, hozirgi kungacha ……. bosqichni bosib o‘tdi. to‘rt uch ikki besh ……. bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g‘altaklari, magnitlar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi. birinchi ikkichi uchinchi to‘rtinchi …………….. bosqich li de forest tomonidan 1906 yilda triod lampasining ixtiro qilinishidan boshlandi. ikkinchi birinchi uchinchi to‘rtinchi …………… bosqich dj. bardin, v. bratteyn va v. shoklilar tomonidan 1948 yilda elektronikaning asosiy aktiv elementi bo‘lgan bipolyar tranzistorning ixtiro etilishi bilan boshlandi. uchinchi birinchi ikkinchi to‘rtinchi ………. bosqich integral mikrosxemalar asosida elektron qurilma hamda tizimlar yaratish bilan boshlandi va mikroelektronika davri deb ataldi to‘rtinchi ikkinchi birinchi uchinchi ...........– fizik, konstruktiv – texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar – integral mikrosxemalar va ularning qo’llanish prinsiplarini ishlab chiqish yo’lida izlanishlar olib borayotgan elektronikaning bir yo’nalishidir mikroelektronika nanoelektronika funksional …

2 / 65

r shottki baryerli yarimo’tkazgich …………. eng yuqori chastotali tranzistorlar, lazerlar, hamda inegral sxemalar (chiplar) yaratishning asosi bo’ldi. geterotuzilmalar gomotuzilmalar tuzilmalar gomogen tuzilmalar optik aloqa tizimlari …….. ……….. optik modullarga ega uzatuvchi va qabul qiluvchi uzatuvchi qabul qiluvchitoplovchi toplovchi ……… optik modul elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi. uzatuvchi qabul qiluvchi toplovchi uzatuvchi va qabul qiluvchi …….. uzatuvchi optik modulning bosh elementi nulanuvchi diod fotodiod qabul qiluvchi diod fotoqabulqilgich ……… elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi nurlanuvchi diod fotodiod qabul qiluvchi diod fotoqabulqilgich …….. qabul qiluvchi optik modulning bosh elementi fotodiod nurlanuvchi diod nurlanuvchi manba qabul qilgich ……. optik signalni elektr signalga aylantirish uchun xizmat qiladi fotodiod nurlanuvchi diod nurlanuvchi manba qabul qilgich …………. optik diapazondagi elektromagnit tebranishlarni kuchaytirish va generasiyalash uchun xizmat qiluvchi kvant asbob. lazer fotodiod nurlanuvchi diod optron integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda ………….. rivojlanmoqda. funksional elektronika elektrovakumli elektronika diskret elektronika geliotexnika …

3 / 65

mikrosxemalar …….. integral mikrosxema deb ataladi. yarimo’tkazgich elektrovakumli pardali gibridli elementlari dielektrik asos sirtida parda ko’rinishida hosil qilingan mikrosxemalar ……… integral mikrosxema deb ataladi. pardali gibridli yarimo’tkazgich elektrovakumli yupqa pardali integral mikrosxemalar qalinligi 1-2 mkm 5-10 mkm 10-15 mkm 100-200 mkm qalin pardali integral mikrosxemalar qalinligi 10 mkmdan yuqori 8 mkmdan yuqori 5 mkmdan yuqori 1 mkmdan yuqori ……. integral mikrosxema deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. gibrid pardali yarimo’tkazgich elektrovakumli ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo’tkazgich integral mikrosxemalar ………. integral mikrosxemalarga ajratiladi. bt va mdya n va p i va n shottki va gan integral mikrosxema integratsiya koeffisienti k =1 bo`lsa – oddiy o’rtacha katta o’ta katta integral mikrosxema integratsiya koeffisienti k =2 bo`lsa – o’rtacha oddiy katta o’ta katta integral integral mikrosxema integratsiya koeffisienti k =3 bo`lsa – katta o’rtacha oddiy o’ta katta integral mikrosxema integratsiya koeffisienti k =4÷5 bo`lsa …

4 / 65

un ishlatiladi. epitaksiya zonali eritish choxralskiy termik oksidlash …… kremniy sirtida oksid (sio2 ) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo’l bilan oksidlashdan iborat jarayon. termik oksidlash choxralskiy zonali eritish epitaksiya yarimo’tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni ………… deb ataladi. legirlash epitaksiya termik oksidlash zonali eritish ………… butun kristall yuzasi bo’ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi diffuziya yordamida legirlash ion legirlash termik oksidlash zonali eritish ………….. yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi. ion legirlash yemirish zonali eritis diffuziya yordamida legirlash yarimo’tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga …………. deyiladi. yemirish ion legirlash zonali eritish legirlash yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi. fotolitografiya yemirish ion legirlash zonali eritish …… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid islarda …

5 / 65

vchi p – soha ishlatilishi mumkin. integral kondenstorlar integral rezistorlar intergal diodlar integral simistorlar …………. integral tranzistor asosida hosil qilinadi integral diodlar integral tiristorlar integral simistorlar integral varistorlar tranzistor – tranzistorli mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi. ko’p emitterli n-mdya p-mdya ko’p kollektorli tranzistorlar integral –injektsion mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi. ko’p kollektorli tranzistorlar n-mdya p-mdya ko’p emitterli ………..– tranzistorlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasi btlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda mdya darlington shottki shiklay komplementar mdya –invertorlarda ….. qo`laniladi n-mdya va p-mdya ko’p emitterli tranzistorlar ko’p kollektorli tranzistorlar n-p-n va p-n-p bt komplementar bt – invertorlarda ….. qo`laniladi n-p-n va p-n-p n-mdya va p-mdya n-mt va p-mt ko’p emitterli tranzistorlar bt musbat mantiqli btli invertor kirishiga mantiqiy «1» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi to`yinish berk invers aktiv musbat mantiqli btli invertor kirishiga mantiqiy «0» ga mos …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 65 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "elektronika va sxemalar"

elektronika va sxemalar. yakuniy nazoray savollari. birinchi variant to'g'ri! elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar texnologiyasining takomillashuvi bilan chambar-chars bog‘liq bo‘lib, hozirgi kungacha ……. bosqichni bosib o‘tdi. to‘rt uch ikki besh ……. bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g‘altaklari, magnitlar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi. birinchi ikkichi uchinchi to‘rtinchi …………….. bosqich li de forest tomonidan 1906 yilda triod lampasining ixtiro qilinishidan boshlandi. ikkinchi birinchi uchinchi to‘rtinchi …………… bosqich dj. bardin, v. bratteyn va v. shoklilar tomonidan 1948 yilda elektronikaning asosiy aktiv elementi bo‘lgan bipolyar tranzistorning ixtiro etilishi bilan boshlandi. u...

Этот файл содержит 65 стр. в формате DOCX (169,8 КБ). Чтобы скачать "elektronika va sxemalar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: elektronika va sxemalar DOCX 65 стр. Бесплатная загрузка Telegram