ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi

DOCX 29 стр. 1005,1 КБ Бесплатная загрузка

29 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 1005,1 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 29

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 29

ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. bt va mt da yasalgan kuchaytirgich sxemalarini va barqaror tok generatorini tadqiq etish. emitter (istok) qaytargich sxemasini tadqiq etish. ishning maqsadi: berilgan printsipial sxemadan ims strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish. qisqacha ma’lumot. integral mikrosxema (ims) o‘ta ixcham, o‘ta pishiq, kichik tannarxga ega bo‘lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan radioelement yasash yo‘lidagi urinishlar mahsulidir. ims elementi deb, konstruktsiyasi bo‘yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelementlari (ere) funktsiyasini bajaruvchi ims ning qismiga aytiladi. ims komponenti deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo‘lgan ims ning bo‘lagiga aytiladi. zamonaviy mikrosxemalar texnologik tayyorlash jarayoniga va bajarish funktsiyalariga qarab ikki turga bo‘linadi: yarimo‘tkazgichli (monolit) va qatlamli mikrosxemalarga. yarimo‘tkazgichli integral sxema – bu komponentalari yarimo‘tkazgich plastinkasining sirti qismida tayyorlanadigan yaxlit mikrosxemadan iborat (5.1.1-rasm). 5.1.1.-rasm. ims topologiya qirqimi va yarimo‘tkazgichlar ko‘rinishidagi printsipial sxemasi. aksariat hollarda integral sxema tayyorlashda kremniy kristali ishlatiladi. bu turdagi integral sxema (is) aktiv …

2 / 29

ktiv elementlar is larda aktiv elementlar deb yuritiladi. bu elementlar asosan ixchamlashtirilgan qobiqsiz diod va tranzistorlardan tashkil topgan bo‘ladi. aralash is – bu mikrosxemaning aktiv elementlari yarimo‘tkazgich materiali asosida tayyorlanib, yarimo‘tkazgichli is ga o‘xshash bo‘ladi, passiv elementlari esa qatlamli mikrosxemalar kabi (qarshilik, kondensator, induktiv g‘altak) tayyorlangan bo‘ladi. ular umumiy taglikka izolyatsiyalangan holda joylashtiriladi. hozirgi paytda yarimo‘tkazgich ims larning ikki turi mavjud: biqutbiy is va metall-oksid-yarimo‘tkazgich (moya) integral sxemalar. ims larning bir-biridan farqi, asosan, aktiv elementlarning ishlashi va is larning tayyorlash texnologiyasiga bog‘liqdir. ikki qutbli is asosini p-n-p yoki n-p-n turdagi ikki qutbli tranzistorlar, mdya-turdagi is lar asosini maydoniy tranzistorlar tashkil etadi (5.1.2-rasm). 5.1.2-rasm. integral tranzistorlar. integral sxemani tayyorlash jarayonlarini asosan tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasi tashkil qiladi, qolgan barcha elementlar ham qo‘shimcha texnologik jarayonsiz, tranzistorni tayyorlash orqali yasaladi (5.1.3-rasm). 5.1.3-rasm. tipik biqutbiy integral tranzistor geometriyasi (a) va ko‘ndalang kesimi (b). 1-emitter; 2-baza; 3-kollektor; 4-qatlam. 1. laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish. 1.1. ims …

3 / 29

nib, ims tayyorlash texnologik bosqichlarining ketma – ketligi haqida umumiy bayon bering va ularga qisqacha xarakteristika bering. 2.5. yarimo‘tkazgich plastina namunasining mikroskopning ko‘rinish sohasiga o‘rnating, aniq tasvirga erishing va ko‘rinayotgan tasvirni chizib oling. 2.6. kuzatilayotgan tasvir qaysi texnologik bosqichga taaluqli. hisobot mazmuni: - berilgan majmuadagi ims larning asosiy belgilanishlari; - berilgan majmuadagi har bir ims uchun qisqacha xarakteristika; - yarimo‘tkazgich va gibrid ims lar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. bt da yasalgan ue kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish. ishning asosiy maqsadi: bipolyar tranzistorda umumiy emitterli sxema asosidagi yasalgan sodda kuchaytirgich sxemasining parametrlarini o‘lchash. 1. laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish. ishda 5.2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich kaskadi parametrlari o‘lchanadi. 5.2.1-rasm. ue sxemasidagi bt da bajarilgan sodda kuchaytirgich sxemasi. tranzistor aktiv rejimda ishlaydi. rb va rk rezistorlar o‘zgarmas tok bo‘yicha ish rejimini ta’minlaydilar. …

4 / 29

va ck ulanishi kerak. kuchaytirgich bosqichi asosiy parametrlarini hisoblash uchun quyidagi formulalardan foydalanish mumkin: (5.2.4). bu yerda ; . emitter zanjirida manfiy teskari aloqa yuzaga keltiruvchi re rezistor mavjud bo‘lganda ; (5.2.5). 2. laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq. 2.1. o‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor rejimini o‘rnatish. 2.1.1. 5.2.2 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (bu 5.2.1 – rasmda keltirilgan kuchaytirgich kaskadi sxemasining tranzistor ishchi nuqtasini aniqlovchi qismi). har bir talaba o‘z variantlar bo‘yicha qiymatlarni 5.2.1-jadvaldan oladi. misol uchun: e2 =10 v. rk =3,3 kom. rb =10-56 kom o‘rnating. o‘zgarmas , kuchlanishlarni o‘lchash uchun voltmetrlarni ulang. 5.2.2-rasm. kuchaytirgich ishchi rejimini o‘rnatish. 2.1.2. e1 kattalikni o‘zgartirib borib, (*) bo‘lgan hol uchun tranzistor ishchi nuqtasini tanlang. 5.2.1-jadval. variantlar bo‘yicha qiymatlar jadvali. № e1 e2 re rk e1 e2 re rk 1 1 23 1 23 23 1 23 1 2 2 22 2 22 22 2 22 2 3 3 21 3 21 21 3 …

5 / 29

hizing: 1. ; 2. ; 3. ; 4. ; 5. ; 6. ; 7. ; 8. . hisobot mazmuni: - o‘lchash sxemalari; - olingan bog‘liqlik jadvallari va grafiklari; - o‘lchash va hisoblash natijalarining tahlili. bt da yasalgan ub kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish. ishning maqsadi: sxemalarda bipolyar tranzistor (bt) bazasi umumiy (ub) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qilish, yuklama qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o‘rganish. qisqacha ma’lumot. sxemalarda signal manbai bt ning baza yoki emitter elektrodiga, yuklama esa kollektor yoki emitter elektrodiga ulanishi mumkin. bu hollarda bt ning uchinchi elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo‘lib qoladi. sxemalarda tranzistorning qaysi elektrodi signal (o‘zgaruvchan tok) bo‘yicha umumiyligiga qarab, tranzistor ue, ub, uk ulanishlarga ega deyiladi. bunday sxemalar umumiy emitter (ue) li, umumiy baza (ub) li, umumiy kollektor (uk) li deb nomlangan (5.3.1-rasm). elektron sxemalarni tahlil qilish uchun bt ning elektrodlari orasidagi tok va kuchlanishlar bir-biri bilan qanday bog‘langanligini, ya’ni uning …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 29 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi"

ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. bt va mt da yasalgan kuchaytirgich sxemalarini va barqaror tok generatorini tadqiq etish. emitter (istok) qaytargich sxemasini tadqiq etish. ishning maqsadi: berilgan printsipial sxemadan ims strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish. qisqacha ma’lumot. integral mikrosxema (ims) o‘ta ixcham, o‘ta pishiq, kichik tannarxga ega bo‘lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan radioelement yasash yo‘lidagi urinishlar mahsulidir. ims elementi deb, konstruktsiyasi bo‘yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelementlari (ere) funktsiyasini bajaruvchi ims ning qismiga aytiladi. ims komponenti deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo‘lgan ims ning bo‘lagiga aytil...

Этот файл содержит 29 стр. в формате DOCX (1005,1 КБ). Чтобы скачать "ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: ims tayyorlash texnologiyasi va… DOCX 29 стр. Бесплатная загрузка Telegram