integral mikrosxemalar (ims) haqida umumiy ma’lumotlar

PPTX 24 стр. 4,4 МБ Бесплатная загрузка

24 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 4,4 МБ

Тип файла PPTX

Страницы 24

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 24

elektronika 3-mustaqil ish.ppt integral mikrosxemalar (ims) haqida umumiy ma’lumotlar. reja: 9.1. integral mikrosxemalar haqida umumiy ma’lumotlar. 9.2. pardali va gibrid mikrosxemalar. 9.3. yarim o‘tkazgichli imslar. tayanch iboralar: yarimo’tkazgichlar; integral mikrosxema;diod; rezistorlar; kondensator, gibrid mikrosxema; tranzistorlar; emmiter; kollektor; baza;dielektriklar; kuchaytirgich. 9.1. umumiy ma’lumotlar integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar. integral mikrosxema (ims) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi. imslarning asosiy xossasi shundaki, u murakkab funksiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funksiyalarni ham bajaradi. xuddi shu funksiyalarni bajarish uchun diskret elementlarda mos keluvchi sxemani yig‘ish talab qilinardi. imslar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. konstruktiv belgisi shundaki, imsning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona …

2 / 24

siyasini amalga oshiruvchi ims qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi. ims komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi. asosiy ims konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi. bu belgiga ko‘ra imslar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik. asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng qo‘llaniladi. imsning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi. dielektrik asosli imslarda elementlar uning sirtida joylashadi. yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. 9.2. pardali va gibrid mikrosxemalar pardali is – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan …

3 / 24

obiqsiz yoki mikrominiatyur metall qobiqli mikrosxemalar gibrid imslar uchun aktiv elementlar bo‘lib hisoblanadilar. gibrid integral mikrosxemalarning asosiy afzalligi: nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati; keng nomentkaluturaga ega bo‘lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; mdya – asboblar, diodli va tranzistorli matrisalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi. 9.3. yarim o‘tkazgichli imslar tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli imslarni bipolyar va mdya ims larga ajratish qabul qilingan. bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan imslardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. bu sinfga galliy arsenidida yasalgan imslar, zatvori shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan imslar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda. ikkala sinfga mansub yarim o‘tkazgichli islar texnologiyasi yarim o‘tkazgich kristallini galma – gal donor va akseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga asoslangan. natijada sirt ostida turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yupqa qatlamlar, ya’ni n–p–n yoki p–n–p tuzilmali …

4 / 24

ollektorli tranzistor tuzilmasi ham, ket tuzilmasiga o‘xshash bo‘ladi, lekin integral – injeksion mantiq (i²m) deb ataluvchi injeksion manbali mantiqiy sxemalar yasashda qo‘llaniladi. diodlar. diodlar bitta p-n o‘tishga ega. lekin bipolyar tranzistorli imslarda asosiy tuzilma sifatida tranzistor tanlangan, shuning uchun diodlar tranzistorning diod ulanishi yordamida hosil qilinadi. bunday ulanishlarning beshta varianti mavjud. agar diod yasash uchun emitter – baza o‘tishdagi p-n o‘tish qo‘llanilsa, u holda kollektor – baza o‘tishdagi p-n o‘tish uziq bo‘lishi kerak. rezistorlar. bipolyar tranzistorli imslarda rezistor hosil qilish uchun bipolyar tranzistor tuzilmasining biror sohasi: emitter, kollektor yoki baza qo‘llaniladi. emitter sohalari asosida kichik qarshilikka ega bo‘lgan rezistorlar hosil qilinadi. baza qatlami asosida bajarilgan rezistorlarda ancha katta qarshiliklar olinadi. kondensatorlar. bipolyar tranzistorli imslarda teskari yo‘nalishda siljigan p–n o‘tishlar asosida yasalgan kondensatorlar qo‘llaniladi. kondensatorlarning shakllanishi yagona texnologik siklda tranzistor va rezistorlar tayyorlash bilan bir vaqtning o‘zida amalga oshiriladi. demak ularni yasash uchun qo‘shimcha texnologik amallar talab qilinmaydi. mdya – tranzistorlar. …

5 / 24

yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni ta’minlaydi. bipolyar va mdya imslar planar yoki planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. maska rolini plastina sirtini egallovchi kremniy ikki oksidi sio₂ o‘ynaydi. bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta’sirida kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadilar. planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali ims namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan. diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‘zida har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. diametri …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 24 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "integral mikrosxemalar (ims) haqida umumiy ma’lumotlar"

elektronika 3-mustaqil ish.ppt integral mikrosxemalar (ims) haqida umumiy ma’lumotlar. reja: 9.1. integral mikrosxemalar haqida umumiy ma’lumotlar. 9.2. pardali va gibrid mikrosxemalar. 9.3. yarim o‘tkazgichli imslar. tayanch iboralar: yarimo’tkazgichlar; integral mikrosxema;diod; rezistorlar; kondensator, gibrid mikrosxema; tranzistorlar; emmiter; kollektor; baza;dielektriklar; kuchaytirgich. 9.1. umumiy ma’lumotlar integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar. integral mikrosxema (ims) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona k...

Этот файл содержит 24 стр. в формате PPTX (4,4 МБ). Чтобы скачать "integral mikrosxemalar (ims) haqida umumiy ma’lumotlar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: integral mikrosxemalar (ims) h… PPTX 24 стр. Бесплатная загрузка Telegram