integral mikrosxemalar

PPTX 38 стр. 785,8 КБ Бесплатная загрузка

38 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 785,8 КБ

Тип файла PPTX

Страницы 38

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 38

prezentatsiya powerpoint integral mikrosxemalar reja: umumiy ma'lumotlar. yarimo'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar. 2. btlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash. 1947 yilning 23 dekabrida 3ta amerika fiziklari: uilyam shokli, djon bardin va uolter bratteynlar hamkasblariga yangi yarimo'tkazgichli asbob – kuchaytirgich yoki tranzistorni namoyish etishdi. u radiolampalarga nisbatan birmuncha, arzon, mustahkam, chidamli hamda kam energiya iste'mol qilar edi. 1956 yilda tranzistor ixtirochilari nobel mukofotiga sazovor bo'lishgan. birinchi tranzistor uilyam shokli, djon bardin va uolter bratteyn birinchi tranzistor (1957 y.) va operatsion kuchaytirgich (1967 y.) epitaksiya. epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. asos bunda mustahkamlikni ta'minlash va kristallanayotgan qatlam takrorlashi zarur bo'lgan kristall panjara sifatida xizmat qiladi. keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlamda imsning aktiv va passiv elementlari hosil qilinadi. gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo'lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan epitaksial qatlamlar hosil …

2 / 38

lari yuqori temeraturalarda kiritmalar atomlarini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bombardimon qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish) dan iborat. tayyorlov operatsiyalari. yarimo'tkazgich imslar tayyorlash uchun asosiy material bo'lgan - kremniy monokristal quymalari olishdan boshlanadi. monokristal quymalar hosil qilishning bir qancha usullari mavjud. choxralskiy usulida tarkibiga donor yoki aktseptor kiritmalar qo'shilgan o'ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi. eritma eritgan monokristal o'z o'qi atrofida asta – sekin aylantirilib ko'tariladi. monokristal ko'tarilishi bilan eritma kristallanadi va kremniy monokristali hosil bo'ladi. hosil bo'lgan kremniy quymasi n– yoki r–turli elektr o'tkazuvchanlikka ega bo'ladi. quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo'lishi mumkin. zonali eritish usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo'shimcha tozalanadi. bunda kristallning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristallning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. kiritmalarning erigan fazada eruvchanligi qattiq holatdagi eruvchanligiga qaraganda katta bo'lsa, o'sha kiritmalar suyuq fazaga o'tib kristallning ikkinchi uchiga siljib boradi, va o'sha erda to'planadi. …

3 / 38

bo'lgan “chuqurcha”lar hosil qilish zarur bo'ladi. anizotrop emirish bilan, masalan, mikrosxemalar tayyorlashda (elementlarni bir – biridan dielektrik bilan izolyatsiyalashda) dielektrik qatlam o'stiriluvchi “chuqurcha”lar hosil qilinadi. fotolitografiya. yarimo'tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma'lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni fotolitografiya deb ataladi. ushbu sohalar kimyoviy emirishdan himoyalangan bo'lishi shart. fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur ta'sirida o'z xususiyatlarini o'zgartiruvchi, fotorezist deb ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi. fotorezist oksidlangan kremniy plastinasi sirtiga surtiladi va kvarts shisha niqob orqali yoritiladi. niqoblar shaffof va shaffof emas sohalarga ega bo'lgani uchun fotorezistning ma'lum sohalariga yorug'lik (ultrabinafsha nur) ta'sir etib, uning xususiyati o'zgartiriladi. bunday niqoblar fotoshablonlar deb ataladi. fotorezist turiga bog'liq holda uning eruvchanligi ortishi (pozitiv fotorezist) yoki kamayishi (negativ fotorezist) mumkin. pozitiv fotorezist qatlam yorug'lik nuri ta'sirida nobarqaror holatga o'tadi va erituvchi ta'sirida eriydigan, negativ fotorezist esa – aksincha, yorug'lik ta'sirida erimaydigan bo'lib qoladi, uning yorug'lik ta'siridan himoyalangan sohalari eriydi. shunday qilib, fotorezist qatlamdan fotoshablondagi shaklni …

4 / 38

va gibrid islarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo'llaniladi. pardalar vakuumda termik bug'latish, materialni ionlar bilan bombardimon qilib uchirish yoki gaz fazadan, suvli eritmadan kimyoviy o'tkazish usullari bilan hosil qilinadi. har bir usulning afzalligi va kamchiligi mavjud. misol tariqasida metallashni – kristall yoki asos sirtida metall pardalar (sxemada elementlarning o'zaro ulanishi, kontakt yuzachalar, pasiv va aktiv elementlar elektrodlari) hosil qilish jarayonini ko'rib chiqamiz. metallash uchun oltin, nikel, kumush, alyuminiy va cr-au, ti-au va boshqalar ishlatiladi. kremniy asosidagi imslarda metallashni amalga oshirish uchun asosan alyuminiydan foydalaniladi. narhi qimmat bo'lmagan holda, ko'rsatib o'tilgan metallar kabi, u r – kremniy bilan omik (to'g'rilamaydigan) kontakt hosil qiladi, kichik solishtirma qarshilikka ega va katta tokka chidaydi. alyuminiy vakuumda termik bug'latish usuli bilan sirtga o'tkaziladi. n–turli soha bilan omik kontakt hosil qilish uchun undagi donorlar kontsentratsiyasi 1020 sm-3 atrofida bo'lishi kerak. bundan yuqori kontsentratsiyaga ega bo'lgan soha n+ deb belgilanadi. metallash jarayoni yarimo'tkazgich plastina hajmida …

5 / 38

isbatan katta bo'lgan mis ham qo'llanilmoqda. plastinalarni kristallarga ajratish va yig'ish operatsiyalari. barcha asosiy texnologik operatsiyalar bajarib bo'lingandan so'ng, yuzlarcha va undan ko'p islarga ega plastina alohida kristallarga bo'linadi. plastinalar lazer skrayber yordamida, ya'ni tayyorlangan islar orasidan lazer nurini yurgizib kristallarga ajratiladi. 1 – rasm. fotolitografiya jarayonining ketma -ketligi. ishlatishga yaroqli kristallar qobiqlarga o'rnatiladi, bunda kristal avval qobiqqa elimlanadi yoki kavsharlanadi. so'ng kristal sirtidagi kontakt yuzachalar qobiq elektrodlariga ingichka (ø 20÷30 mkm) simlar yordamida ulanadi. simlar ulanayotganda termokompressiyadan foydalaniladi, ya'ni ulanayotgan sim bilan kontakt yuzachasi yoki mikrosxema elektrodi 200÷300 0s temperaturada va yuqori bosimda bir – biriga bosib biriktiriladi. montaj operatsiyalari tugagandan so'ng kristall yuzasi atrof muhit atmosferasi ta'siridan himoyalash uchun qobiqlanadi. oddiy integral sxemalarda chiqish elektrodlari soni 8-14 ta, kislarda esa 64 tagacha va undan ko'proq bo'lishi mumkin. islar qobiqlari metall yoki plastmassadan tayyorlanadi. islarning qobiqsiz turlari ham mavjud. integral mikrosxema (ims) ko'p sonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 38 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "integral mikrosxemalar"

prezentatsiya powerpoint integral mikrosxemalar reja: umumiy ma'lumotlar. yarimo'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar. 2. btlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash. 1947 yilning 23 dekabrida 3ta amerika fiziklari: uilyam shokli, djon bardin va uolter bratteynlar hamkasblariga yangi yarimo'tkazgichli asbob – kuchaytirgich yoki tranzistorni namoyish etishdi. u radiolampalarga nisbatan birmuncha, arzon, mustahkam, chidamli hamda kam energiya iste'mol qilar edi. 1956 yilda tranzistor ixtirochilari nobel mukofotiga sazovor bo'lishgan. birinchi tranzistor uilyam shokli, djon bardin va uolter bratteyn birinchi tranzistor (1957 y.) va operatsion kuchaytirgich (1967 y.) epitaksiya. epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa mon...

Этот файл содержит 38 стр. в формате PPTX (785,8 КБ). Чтобы скачать "integral mikrosxemalar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: integral mikrosxemalar PPTX 38 стр. Бесплатная загрузка Telegram