integral mikrosxemalar (ims)

PPT 43 стр. 429,5 КБ Бесплатная загрузка

43 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 429,5 КБ

Тип файла PPT

Страницы 43

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 43

powerpoint presentation mavzu 3. integral mikrosxemalar (ims) reja ims. ims ning tavsiflanishi. yarimo'tkazgichli ims lar. imslar yaratishning texnologik jarayoni. ims integral mikrosxema – yuqori zichlikda joylashtirilgan element va komponentlarning (tranzistor, diod, rezistorlar va h.k.z) konstruktiv va elektron jihatdan ulangan mikroelektron qurilmasi bo'lib, signallarni qayta ishlash (o'girish) uchun mo'ljallangan. ims (angl.chip «yupqa plastinka» ma'nosini ham bildiradi. ims integral mikrosxema (ims) o'ta ixcham, o'ta pishiq, kichik tannarxga ega bo'lgan va kam quvvat iste'mol qiladigan radioelement yasash yo'lidagi urinishlar mahsulidir. ims elementi deb, konstruktsiyasi bo'yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelement (ere) funktsiyasini bajaruvchi imsning qismiga aytiladi. ims komponenti deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo'lgan imsning bo'lagiga aytiladi. ims o'lchamlari imslar 22x22x4 mmli to'g'ri to'rtburchak shakldagi yoki diametri 9,4 mm bo'lgan tsilindr shakldagi metall yoki metall shisha qobiqlarga joylashtiriladi. qobiqlar yana polimer materiallardan ham yasalishi mumkin, chiqishlari esa latundan yasaladi. qobiqsiz mikrosxemalar polimer material bo'lgan termoreaktiv kompaund bilan usti …

2 / 43

ruktiv-texnologik turiga ko'ra: yarimo'tkazgichli, pardali va gibrid imslar; aktiv element turiga ko'ra: bipolyar tranzistorli va mdya-tranzistorli imslar; iste'mol quvvatiga ko'ra: kam quvvatli, o'rta quvvatli, katta quvvatli imslar; ishchi chastotasiga ko'ra: past chastota, o'rta chastota va yuqori chastota imslari; elementlarni bir-biridan izolyatsiyalanish usuliga ko'ra va x.z. imslarning belgilanish tizimi imslar 6ta elementdan iborat bo'lgan belgilanish tizimi yordamida klassifikatsiyalanadi: birinchi element (k – harfi) – ims keng ko'lamda qo'llanilish uchun mo'ljallanganligini bildiradi. eksport uchun mo'ljallanganlari ek harflari bilan belgilanadi. ikkinchi element (harf) material va qobiq turini bildiradi (a- plastmassali planar, e-metall-polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan, i-shishakeramikli planar, b-qobiqsiz va x.z.). imslarning belgilanish tizimi uchinchi element (bitta son) – imsning konstruktiv-texnologik turini bildiradi (1,5,6,7-yarimo'tkazgichli, 2,4,8-gibrid, 3-boshqa: pardali, keramik, vakuumli). to'rtinchi element (ikkita yoki uchta son) – ims seriyasining tartib raqamini bildiradi. ikkita son birlalikda-aniq seriya raqamini bildiradi. beshinchi element (ikkita harf) – imsning funktsional vazifasini bildiradi. oltinchi element bir turdagi ims seriyalari ichidagi …

3 / 43

r xil o'tkazuvchanlikka ega yupqa qatlamlar va qatlam chegaralarida p–n o'tishlar hosil bo'ladi. ayrim qatlamlar rezistorlar sifatida, p–n o'tishlar-diodli va tranzistorli tuzilmalarda qo'llaniladi. imslar yaratishning texnologik jarayoni imslar yaratishning texnologik jarayoni legirlash lokal tarzda maxsus teshikli maskalar yordamida amalga oshiriladi, ular yordamida esa kiritma atomlari plastinaning kerakli sohalariga kiritiladi. maska rolini odatda sio2 kremniy dioksidi bajaradi, kremniyli plastinaning yopiluvchi sirti. ushbu plenkada xar xil uslublarda kerakli shakldagi derazalar hosil bo'ladi. bipolyar is ning asosiy elementi bo'lib n–p–n-tranzistor xizmat qiladi va uning tayyorlanishiga butun texnologik tsikl yo'naltiriladi. boshqa elementlar, imkon qadar qo'shimcha texnologik operatsiyalarsiz ushbu tranzistordan yaratiladi. imslar yaratishning texnologik jarayoni mdya (moya) is asosiy elementi bo'lib mdya (moya) tranzistori xizmat qiladi. bipolyar is elementlarini ular kristal orqali aloqa qilmasliklari uchun bir biridan izolyatsiya qilish kerak bo'ladi. mdya (moya) elementlari bir biridan izolyatsiya qilishni talab etmaydi. bu uning bipolyar is ga qaraganda uning afzalligi hisoblanadi. oxirgi vaqtda podlojka (taglik) materiali sifatida …

4 / 43

lanadi. (choxralskiy usuli) hosil bo'lgan kremniy quymasi n– yoki r–turli elektr o'tkazuvchanlikka ega bo'ladi. quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo'lishi mumkin. zonali eritish usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo'shimcha tozalanadi. yarimo'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar epitaksiya. epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo'lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi. termik oksidlash. termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (sio2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun'iy yo'l bilan oksidlashdan iborat jarayon. u yuqori (1000÷1200) 0s temperaturalarda kechadi. yarimo'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar fotolitografiya - yarimo'tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma'lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni. ushbu sohalar kimyoviy emirishdan himoyalangan bo'lishi shart. fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur ta'sirida o'z xususiyatlarini o'zgartiruvchi, fotorezist …

5 / 43

o'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar legirlash - yarimo'tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni. imslar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish hamda zarur o'tkazuvchanlikni ta'minlash uchun kerak. diffuziya yordamida legirlash butun kristall yuzasi bo'ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma'lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi. ion legirlash etarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi. ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi. ionlar tokini o'zgartirib legirlovchi kiritmalar kontsentratsiyasini, energiyasini o'zgartirib esa – legirlash chuqurligini boshqarish mumkin. yarimo'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar emirish - yarimo'tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoni. emirish yarimo'tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda “darcha”lar ochish va turli ko'rinishga ega bo'lgan “chuqurchalar” hosil qilish uchun qo'llaniladi. yarimo'tkazgich sirtini tozalash va “darcha”lar hosil qilish uchun izotrop emirishdan foydalaniladi, bunda yarimo'tkazgich barcha kristallografik yo'nalishlar bo'ylab bir xil tezlikda eritiladi. yarimo'tkazgich imslar …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 43 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "integral mikrosxemalar (ims)"

powerpoint presentation mavzu 3. integral mikrosxemalar (ims) reja ims. ims ning tavsiflanishi. yarimo'tkazgichli ims lar. imslar yaratishning texnologik jarayoni. ims integral mikrosxema – yuqori zichlikda joylashtirilgan element va komponentlarning (tranzistor, diod, rezistorlar va h.k.z) konstruktiv va elektron jihatdan ulangan mikroelektron qurilmasi bo'lib, signallarni qayta ishlash (o'girish) uchun mo'ljallangan. ims (angl.chip «yupqa plastinka» ma'nosini ham bildiradi. ims integral mikrosxema (ims) o'ta ixcham, o'ta pishiq, kichik tannarxga ega bo'lgan va kam quvvat iste'mol qiladigan radioelement yasash yo'lidagi urinishlar mahsulidir. ims elementi deb, konstruktsiyasi bo'yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelement (ere) funktsiyasini bajaruvchi imsning qismiga a...

Этот файл содержит 43 стр. в формате PPT (429,5 КБ). Чтобы скачать "integral mikrosxemalar (ims)", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: integral mikrosxemalar (ims) PPT 43 стр. Бесплатная загрузка Telegram