integral mikrosxemalar (ims)

DOCX 8 стр. 98,0 КБ Бесплатная загрузка

8 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 98,0 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 8

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 8

11-12- mavzular; elektr signallari. 1. integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari. bugungi kunda alohida mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab chiqarilmoqda. bunday mikrosxe-malarga; integral mikrosxemalar (ims) deyiladi. birinchi imslar 1958 yilda yaratilgan bo’lib uning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori hisoblanadi. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji g. mur qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy imslardagi elementlar soni ikkimarta ortmoqda. hozirgi kunda elementlar soni 106÷109 ta bo‘lgan o‘ta yuqori (o‘yuis) va giga yuqori (gyuis) imslar ishlab chiqarilmoqda. imslar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. konstruktiv belgisi- imsning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqqa joylashtirilgan bo‘lib, yaxlit hisoblanadi. texnologik belgisi-ims elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega. hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra imslarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali …

2 / 8

rning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi. dielektrik asosli imslarda elementlar uning sirtida joylashadi. yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi –elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyasiyalanishni talab qiladi. dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyasiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. pardali is – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi. yupqa pardali is - parda qalinligi 1 – 2 mkmgacha. qalin pardali is -parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va undan katta. hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu sababli pardali islar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.) dan tashkil topadi. gibrid is (yoki gis) – pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar …

3 / 8

liy legirlash amalga oshiriladi. maska rolini sio2 o‘ynaydi. bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida teshiklar shakllanadi. kiritmalar kiritish diffuziya yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanib asosga tushadi va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadi. planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar elektr sxemasi zamonaviy imslar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. bu texnologiyada barcha elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi. planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega. mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metallizatsiyalash qo‘llaniladi. metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. kremniyli imslarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi. 3. mdya-tranzistorlar asosidagi imslar. yarim o‘tkazgichli imslar- bipolyar va mdya ims larga ajratiladi. imslarda zatvori izolyasiyalangan va kanali induksiyalangan mdya–tranzistorlar qo‘llaniladi. tranzistor kanallari p- va …

4 / 8

a zichlikni ta’minlaydi. mikroelektronikada ko‘p emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar ham qo‘llaniladi. ko‘p emitterli tranzistorlar (ket) umumiy baza qatlami bilan birlashtirilgan bir kollektor va bir necha (8-10 gacha va ko‘p) emitterdan tashkil topgan. ular tranzistor –tranzistorli mantiq (ttm) sxemalarni yaratishda qo‘llaniladi. ko‘p kollektorli tranzistor tuzilmasi ham, ket tuzilmasiga o‘xshash bo‘ladi, lekin integral –injeksion mantiq (i2m) deb ataluvchi injeksion manbali mantiqiy sxemalar yasashda qo‘llaniladi. 4. raqamli sxemalarning tasniflanishi. ims bajarayotgan asosiy vazifa –elektr signali (tok yoki kuchlanish) ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin. shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar – analog integral mikrosxemalar (ais), raqamli signallarni qayta ishlaydiganlari esa – raqamli integral sxemalar (ris) deb ataladi. integral mikrosxemalarning murakkablik darajasi komponent integratsiya darajasi kattaligi bilan ifodalanadi. bu kattalik raqamli imslar uchun kristallda joylashishi mumkin bo‘lgan mantiqiy ventillar soni bilan belgilanadi. 100 ta dan kam ventilga ega bo‘lgan imslar kichik integratsiya …

5 / 8

hamda boshqarish usullariga qarab statistik boshqaruvli triggerlar turiga bo‘linadi. oxirgi vaziyatda to^g^ri va inversiyali kirish boshqaruvi to ^ - risida gapiriladi.triggeriar telemexanika va avtomatika qurilmalarida, xotira elementlari sifatida keng qo‘llanilib keladi. ba’zan triggerlardan to‘rtburchakli ilpuls generatori sifatida yoki raqamli qurilmalarda impuls hisoblagichlari sifatida ham qo‘llaniladi. boshqarish usuliga ko‘ra, asinxron va sinxron triggerlarga bo‘1inadi, asinxron triggerlarda boshqarish kirish signallari orqali boshqarilsa, sinxron triggerlarda sinxron signal kelganda triggernmg ishlash tartibi (haqiqatlar jadvali) asosida boshqariladi. elektron qurilmalarda ba’zan maxsus haqiqat jadvali asosida ishlaydigan triggerlami ms-triggerlami ham yaratiladi. asinxron rs-trigger. asinxron triggerlar 2 ta kirishga ega (5.1- rasm). s (cet)-o‘matish va r (reset)- bosh holatga keltirish 2 ta chi- qishga: to‘g ‘ri - q va inversiyali a trigger oldingi x holatdan chiqishda 0 - holatga, s ga nol berilganda va r ga 1 berilganda, s gal, r ga nol berilsa u 1 - holatga o ‘tadi. agar s=r=0 bo‘lsa trigger eski holatini saq- lab …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 8 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "integral mikrosxemalar (ims)"

11-12- mavzular; elektr signallari. 1. integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari. bugungi kunda alohida mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab chiqarilmoqda. bunday mikrosxe-malarga; integral mikrosxemalar (ims) deyiladi. birinchi imslar 1958 yilda yaratilgan bo’lib uning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori hisoblanadi. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji g. mur qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy imslardagi elementlar soni ikkimarta ortmoqda. hozirgi kunda elementlar soni 106÷109 ta bo‘lgan o‘ta yuqori (o‘yuis) va giga yuqori (gyuis) imslar ishlab chiqarilmoqda. imslar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. konstruktiv belgisi- imsning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirt...

Этот файл содержит 8 стр. в формате DOCX (98,0 КБ). Чтобы скачать "integral mikrosxemalar (ims)", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: integral mikrosxemalar (ims) DOCX 8 стр. Бесплатная загрузка Telegram