integral mikrosxemalar texnologiyasi

DOC 21 стр. 168,5 КБ Бесплатная загрузка

21 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 168,5 КБ

Тип файла DOC

Страницы 21

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (6 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 21

analogli integral sxemalar integral mikrosxemalar texnologiyasi reja: 1. integral mikrosxema (ims) haqida umumiy ma’lumotlar 2. plenkali elementlar – rezistorlar va kondensatorlar 3. o‘kazgichlar (simlar) va kontakt maydonchalari 4. osma elementlarni tanlash 5. yaratish texnologiyasi 6. mikrosxemalarni belgilash 7. raqamli sxemalar: oltinchi element integral mikrosxema (ims) haqida umumiy ma’lumotlar integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo’lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar. integral mikrosxema (ims) elektr jihatdan o’zaro bog’langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo’lib, yagona texnologik siklda bajariladi, yani bir vatqning o’zida yagona konstruktsiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funktsiyasini bajaradi. imslarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funktsiyalarni ham bajaradi. xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret elementlardamos keluvchi sxemani yig’ish talab qilinardi. imslar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. konstruktiv belgisi shundaki, imsning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr …

2 / 21

a oshiruvchi ims qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruktsiyada yasaladi. ims komponentasi deb uning diskret element funktsiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi. asosiy ims konstruktiv belgilaridan biri bo’lib asos turi hisoblanadi. bu belgiga ko’ra imslar ikki turga bo’linadi: yarim o’tkazgichli va dielektrik. asos sifatida yarim o’tkazgichlimateriallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng qo’llaniladi. imsning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o’tkazgichli monokristall plastina ko’rinishida asos ichida joylashadi. dielektrik asosli imslarda elementlar uning sirtida joylashadi. yarim o’tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo’lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. pardali va gibrid mikrosxemalar pardali is – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko’rinishida bajarilgan mikrosxema. pardalar past …

3 / 21

ur metall qobiqli mikrosxemalar gibrid imslar uchun aktiv elementlar bo’lib hisoblanadilar. gibrid integral mikrosxemalarning asosiy afzalligi: nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati: keng nomenal turaga ega bo’lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; mdya – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi. analogli integral sxemalar. e turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari integral sxema (it) yoki mikrosxema - ma’lum bir o‘zgartirishni bajaradigan va signallarni qayta ishlaydigan va elektr birlashgan elementlarni, komponentlarni va kristallarni yuqori zichlikda joylashtirilgan mikroelektronli mahsulot. integral mikrosxema (imt) – ma’lum bir o‘zgartirish funksiyasini bajaradigan va elektro radio elementlarni (ere) o‘zaro elektr bog‘langan majmuini qamrab olgan, yagona tehnologik siklda tayyorlangan elektron texnikani konstruksiyasi bo‘yicha bir yaxlit tamomlangan mahsulot. imt lar yarimo‘tkazgichli va plenkalilarga bo‘linadi: - yarimo‘tkazgichli imt – bu mikrosxema bo‘lib, barcha elementlar va elementlararo ulanishlar hajmida va yarim o‘tkazgichni yuzasida bajarilgan; - plenkali imt – bu mikrosxema bo‘lib, barcha elementlar va …

4 / 21

alishiga sharoit tug‘diradi. imt ni loyihalashtirilganda minimal sonli passiv elementlardan iborat sxemali qarorni qabul qilishga intilish kerak, chunki rezistor va kondensatorlar imt platasini ko‘p maydonini egallaydi. buning ustiga yetarli aniqlik nominallarda bu elementlarni yaratish texnologik imkoniyatlari cheklangan. tagliklar gis da tagliklar dielektrikli va mexanikli asos bo‘lib aktiv va passiv elementlarni, shuningdek plyonkali va osma elementlarni joylashtirish uchun xizmat qiladi. gis ni ayrim elementlarini taglik izolyatsiyalaydi va konstruksiyasi issiqlikni olish elesmenti hisoblanadi. shuning uchun taglik sillik va yassi yuzaga, yuqori hajmli qarshilikka, surtilgan plyonkalarga kimyoviy inertlilikka yuqori elektrik va mexanik ishiqlikka, yuqori ishchi haroratga va arzon narxga ega bo‘lishi kerak. tagliklarni tashqi o‘lchamlari standartlashtirilgan: o‘lchamlari asosan 48x60 mm, qalinligi 0,5-0,6 mm bo‘lib sitall va polikordon tayyorlanadi. yupqa plyonkali gis platalari arzon, yuqori mexanik pishiqlikka ega, issiqlikka chidamlikni o‘tkazuvchanlik, issiqlikka chidamlilik va kim- yoviy bardoshlikka ega bo‘lishi kerak. sopolni yuqori mexanik mustahkamligi teshiklar, pazalar (ariqchalar) bilan korpusni betali sifatida platani ishlatishga imkon …

5 / 21

i g‘adir-budir yuzaga yopishishi yaxshiroq, mikronetokisliklarni ta’siri esa 10-70 mkm qalinidagi plenkalar hususiyatlariga kam ta’sir ko‘rsatadi. plata o‘lchamlari korpusining muayyan konstruksiyasi bilan ainqlanadi. plata qalinligi 0,6-1,0 mm. 1206 (153. 15-1) metallshishali korpusni tanlangani hisobga olingan holda va tonologik hisob kitoblarga ko‘ra plataning o‘lchamlari 16,0x15,0 tashkil etadi. plenkali elementlar – rezistorlar va kondensatorlar yupqa plenkali rezistorlar – eng ko‘p tarqalgan imt elementlari hisoblanib, turli materiallardan tayyorlanishi mumkin: metallar va ular qorishmlaridan, metallar aralashmasi va yarim o‘tkazgichlardan, metallar aralashmasi va dielektrik metariallardan. plenkani kvadrat qarshiligi 200 dan 600 om/s gacha va sochiolish quvvatini taxminan 10 mvt/mm2 ta ega bo‘lgan ko‘pincha xrom gost 5905-67 bo‘yicha ishlatiladi. bunda u vaqt bo‘yicha yetarli stabillashgan. yupqa plenkali rezistorlarni himoyalangan dielektrikni zinapoyalari bo‘lmagan silliq yuzada joylashtiriladi. rezistiv materiallarning asosiy parametrlari – bu rezistiv plenkani kvadratini solishtirma qarshiligi, qarshilikni haroratli koeffitsiyenti va yo‘l qo‘yiladigan sochilish quvvati. kondensatorlar qoplamlari uchun eng yaxshi material bo‘lib alyuminiy hisoblanadi, ammo u taglikka …

6 / 21

shda solishtirma yuza qarshiligi ps(n0) har bir kvadratga 10 dan 10 ming om gacha bo‘lgan rezistiv plyonkalar kerak bo‘ladi. plyonka qarshiligi qancha kichik bo‘lsa, ps shuncha yuqori bo‘ladi. o‘kazgichlar (simlar) va kontakt maydonchalari o‘tkazgichlar (simlar). imt elementlari qalinligi 0,8 mkm gacha alyuminiyli tarqatish yordamida elektrik o‘zaro ulangan. kontakt maydonchalari. kontakt maydonchalari (km) yarimo‘tkazuvchi kristallning odatda atrofida joylashtirilib, oltin yoki alyuminiy simlarini uchlari yordamida (termokompressiya usuli bilan) yarimo‘tkazuvchi sxemani yaratish uchun xizmat qiladi. tarqatishni yaratganidek (odatda alyuminiy) km uchun o‘sha material ishlatiladi. o‘tkazgichlar va kontak maydonchalari kichik solishtirma qarshilikka taglikka yaxshi birikishga, yuqori korroziyalikka chidamlikka ega bo‘lishi kerak. o‘tkazgich va kontak maydonchalarni tayyorlashda elektroo‘tkazuvchanlik miqdori bo‘yicha bir-birovidan farqlanadigan va taglik bilan yopishishni mustahkamligi bo‘yicha turli metallar ishlatilishi mumkin. boshida (avval) taglikka yaxshi adgeziya (birikishga) ega (nixrom yoki titian) material plyonkasi yopishtiriladi. keyin – yuqori solishtirma o‘tkazuvchanlikka ega material (alyuminiy, mis va boshq.), undan keyin – payvandlash uchun yoki simli yopishtirish yoki …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 21 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "integral mikrosxemalar texnologiyasi"

analogli integral sxemalar integral mikrosxemalar texnologiyasi reja: 1. integral mikrosxema (ims) haqida umumiy ma’lumotlar 2. plenkali elementlar – rezistorlar va kondensatorlar 3. o‘kazgichlar (simlar) va kontakt maydonchalari 4. osma elementlarni tanlash 5. yaratish texnologiyasi 6. mikrosxemalarni belgilash 7. raqamli sxemalar: oltinchi element integral mikrosxema (ims) haqida umumiy ma’lumotlar integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo’lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar. integral mikrosxema (ims) elektr jihatdan o’zaro bog’langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo’lib, yagona texnologik siklda bajariladi, yani bir vatqning o’zida yagona konstruktsiya (asos...

Этот файл содержит 21 стр. в формате DOC (168,5 КБ). Чтобы скачать "integral mikrosxemalar texnologiyasi", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: integral mikrosxemalar texnolog… DOC 21 стр. Бесплатная загрузка Telegram