integral mikrosxemalar

DOC 5 стр. 83,0 КБ Бесплатная загрузка

5 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 83,0 КБ

Тип файла DOC

Страницы 5

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 5

9-mavzu: integral mikrosxemalar. reja: 1. integral mikrosxema. 2. integral mokrosxemalarni turlari. integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar. integral mikrosxema (ims) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi. imslarning asosiy xossasi shundaki, u murakkab funksiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funksiyalarni ham bajaradi. xuddi shu funksiyalarni bajarish uchun diskret elementlarda mos keluvchi sxemani yig‘ish talab qilinardi. imslar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. konstruktiv belgisi shundaki, imsning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bo‘lib, yagona hisoblanadi. ims elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega. hozirgi kunda yasalish …

2 / 5

adi. bu belgiga ko‘ra imslar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik. asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng qo‘llaniladi. imsning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi. dielektrik asosli imslarda elementlar uning sirtida joylashadi. yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. pardali is – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi. parda hosil qilish usuli va unga bog‘liq bo‘lgan qalinligiga ko‘ra yupqa pardali is (parda qalinligi 1 – 2 mkmgacha) va qalin pardali is (parda qalinligi 10 – 20 mkm …

3 / 5

blar, diodli va tranzistorli matrisalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi. tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli imslarni bipolyar va mdya ims larga ajratish qabul qilingan. bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan imslardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. bu sinfga galliy arsenidida yasalgan imslar, zatvori shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan imslar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda. ikkala sinfga mansub yarim o‘tkazgichli islar texnologiyasi yarim o‘tkazgich kristallini galma – gal donor va akseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga asoslangan. natijada sirt ostida turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yupqa qatlamlar, ya’ni n–p–n yoki p–n–p tuzilmali tranzistorlar hosil bo‘ladi. bir tranzistorning o‘lchamlari enigi bir necha mikrometrlarni tashkil etadi. alohida elementlarning izolyatsiyasi yoki p-n o‘tish yordamida, yoki dielektrik parda yordamida amalga oshirilishi mumkin. tranzistorli tuzilma faqat tranzistorlarni emas, balki boshqa elementlar (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) yasashda ham qo‘llaniladi. mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tashqari ko‘p emitterli …

4 / 5

5 / 5

Хотите читать дальше?

Скачайте все 5 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "integral mikrosxemalar"

9-mavzu: integral mikrosxemalar. reja: 1. integral mikrosxema. 2. integral mokrosxemalarni turlari. integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar. integral mikrosxema (ims) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi. imslarning asosiy xossasi shundaki, u murakkab funksiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funksiyalarni ham bajaradi. xuddi shu funksiyalarni bajarish uchun diskret elementlarda mos keluvchi...

Этот файл содержит 5 стр. в формате DOC (83,0 КБ). Чтобы скачать "integral mikrosxemalar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: integral mikrosxemalar DOC 5 стр. Бесплатная загрузка Telegram