интеграл микросхемалар

DOC 64,0 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1403794573_47413.doc интеграл микросхемалар ════════════════════════════════════════════ режа: 1. умумий маълумотлар 2. пардали ва гибрид микросхемалар 3. ярим ўтазгичли имслар 7.1. умумий маълумотлар интеграл микросхемалар электр асбобларнинг сифат даражасидаги янги тури бўлиб электрон қурилмаларнинг асосий негиз элементи ҳисобланадилар. интеграл микросхема (имс) электр жиҳатдан ўзаро боғланган электр радиоматериаллар (транзисторлар, диодлар, резисторлар, конденсаторлар ва бошқалар) мажмуи бўлиб, ягона технологик циклда бажарилади, яъни бир ватқнинг ўзида ягона конструкция (асос)да маълум ахборотни қайта ишлаш функциясини бажаради. имсларнинг асосий хоссаси шундаки, у мураккаб функцияларни бажариш билан бирга кучайтиргич, триггер, ҳисоблагич, хотира қурилмаси ва бошқа функцияларни ҳам бажаради. худди шу функцияларни бажариш учун дискрет элементларда мос келувчи схемани йиғиш талаб қилинарди. имслар учун икки асосий белги мавжуд: конструктив ва технологик. конструктив белгиси шундаки, имснинг барча элементлари асосий асос ичида ёки сиртида жойлашади, электр жиҳатдан бирлаштирилган ва ягона қобиқга жойлаштирилган бўлиб, ягона ҳисобланади. имс элементларининг ҳаммаси ёки бир қисми ва элементлараро боғланишлар ягона технологик циклда бажарилади. шу сабабли интеграл миросхемалар …

н бири бўлиб асос тури ҳисобланади. бу белгига кўра имслар икки турга бўлинади: ярим ўтказгичли ва диэлектрик. асос сифатида ярим ўтказгичли материаллар орасида кремний ва галлий арсениди кенг қўлланилади. имснинг барча элементлари ёки элементларнинг бир қисми ярим ўтказгичли монокристалл пластина кўринишида асос ичида жойлашади. диэлектрик асосли имсларда элементлар унинг сиртида жойлашади. ярим ўтказгич асосли микросхемаларнинг асосий афзаллиги – элментларнинг жуда катта интеграция даражаси ҳисобланади, лекин унинг номинал параметрлари диапазони жуда чекланган бўлиб улар бир - биридан изоляцияланишни талаб қилади. диэлектрик асосли микросхемаларнинг афзаллиги – элементларнинг жуда яхши изоляцияси, уларнинг хоссаларининг барқарорлиги, ҳамда элементлар тури ва электр параметрлари танловининг кенглиги. 7.2. пардали ва гибрид микросхемалар пардали ис – бу диэлектрик асос сиртига суртилган элементлари парда кўринишида бажарилган микросхема. пардалар паст босимда турли материаллардан юпқа парадалар кўринишида чўкмалар ҳосил қилиш йўли билан олинади. парда ҳосил қилиш усули ва унга боғлиқ бўлган қалинлигига кўра юпқа пардали ис (парда қалинлиги 1 – 2 мкмгача) …

иодли ва транзисторли матрицалар ва юқори яроқли микросхемалар чиқиши. 7.3. ярим ўтазгичли имслар транзисторнинг ишлатилиш турига кўра ярим ўтказгичли имсларни биполяр ва мдя имс ларга ажратиш қабул қилинган. бундан ташқари, охирги вақтларда бошқарилувчи ўтишли майдоний транзисторлар ясалган имслардан фойдаланиш катта аҳамият касб этмоқда. бу синфга галлий арсенидида ясалган имслар, затвори шоттки диоди кўринишида бажарилган майдоний транзисторлар киради. ҳозирги кунда бир вақтнинг ўзида ҳам биполяр, ҳам майдоний транзисторлар қўлланилган имслар яратиш тенденцияси белгиланмоқда. иккала синфга мансуб ярим ўтказгичли ислар технологияси ярим ўтказгич кристаллини галма – гал донор ва акцептор киритмалар билан легирлаш (киритиш)га асосланган. натижада сирт остида турли ўтказувчанликка эга бўлган юпқа қатламлар, яъни n–p–n ёки p–n–p тузилмали транзисторлар ҳосил бўлади. бир транзисторнинг ўлчамлари эниги бир неча микрометрларни ташкил этади. алоҳида элементларнинг изоляцияси ёки р-n ўтиш ёрдамида, ёки диэлектрик парда ёрдамида амалга оширилиши мумкин. транзисторли тузилма фақат транзисторларни эмас, балки бошқа элементлар (диодлар, резисторлар, конденсаторлар) ясашда ҳам қўлланилади. микроэлектроникада биполяр транзисторлардан …

-n ўтиш қўлланилса, у ҳолда коллектор – база ўтишдаги р-n ўтиш узиқ бўлиши керак. резисторлар. биполяр транзисторли имсларда резистор ҳосил қилиш учун биполяр транзистор тузилмасининг бирор соҳаси: эмиттер, коллектор ёки база қўлланилади. эмиттер соҳалари асосида кичик қаршиликка эга бўлган резисторлар ҳосил қилинади. база қатлами асосида бажарилган резисторларда анча катта қаршиликлар олинади. конденсаторлар. биполяр транзисторли имсларда тескари йўналишда силжиган р–n ўтишлар асосида ясалган конденсаторлар қўлланилади. конденсаторларнинг шаклланиши ягона технологик циклда транзистор ва резисторлар тайёрлаш билан бир вақтнинг ўзида амалга оширилади. демак уларни ясаш учун қўшимча технологик амаллар талаб қилинмайди. мдя – транзисторлар. имсларда асосан затвори изоляцияланган ва канали индукцияланган мдя–транзисторлар қўлланилади. транзистор каналлари р- ва n– турли бўлиши мумкин. мдя–транзисторлар фақат транзисторлар сифатида эмас, балки конденсаторлар ва резисторлар сифатида ҳам қўлланилади, яъни барча схема функциялари биргина мдя – тузилмаларда амалга оширилади. агар диэлектрик сифатида sio2 қўлланилса, у ҳолда бу транзисторлар моя–транзисторлар деб аталади. мдя – тузилмаларни яратишда элементларни бир – биридан …

ция градиенти таъсирида киритма атомларини ярим ўтказгичли асосга киритиш), ёки ионли легирлаш ёрдамида амалга оширилади. ионли легирлашда махсус манбалардан олинган киритма ионлари тезлашади ва электр майдонда фокусланадилар, асосга тушадилар ва ярим ўтказгичнинг сирт қатламига сингадилар. планар технологияда ясалган ярим ўтказгичли биполяр тузилмали имс намунаси ва унинг эквивалент электр схемаси 7.1 а, б - расмда келтирилган. диаметри 76 ммли ягона асосда бир варакайига усулда бир вақтнинг ўзида ҳар бири 10 тадан 2000 та элемент (транзисторлар, резисторлар, конденсаторлар)дан ташкил топган 5000 микросхема яратиш мумкин. диаметри 120 мм бўлган пластинада ўнлаб миллионтагача элемент жойлаштириш мумкин. замонавий имслар қотишмали планар – эпитаксиал технологияда ясалади. бу технология планар технологиядан шуниси билан фарқ қиладики, барча элементлар р–турдаги асосда ўстирилган n–турдаги кремний қатламида ҳосил қилинади. эпитаксия деб кристалл тузилмаси асосникидан бўлган қатлам ўстиришга айтилади. а) б) 7.1 – расм. планар – эпитаксиал технологияда ясалган транзисторлар анча тежамли, ҳамда планарлига нисбатан яхшиланган параметр ва харатеристикаларга эга. бунинг учун …

Хотите читать дальше?

Скачайте полный файл бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "интеграл микросхемалар"

1403794573_47413.doc интеграл микросхемалар ════════════════════════════════════════════ режа: 1. умумий маълумотлар 2. пардали ва гибрид микросхемалар 3. ярим ўтазгичли имслар 7.1. умумий маълумотлар интеграл микросхемалар электр асбобларнинг сифат даражасидаги янги тури бўлиб электрон қурилмаларнинг асосий негиз элементи ҳисобланадилар. интеграл микросхема (имс) электр жиҳатдан ўзаро боғланган электр радиоматериаллар (транзисторлар, диодлар, резисторлар, конденсаторлар ва бошқалар) мажмуи бўлиб, ягона технологик циклда бажарилади, яъни бир ватқнинг ўзида ягона конструкция (асос)да маълум ахборотни қайта ишлаш функциясини бажаради. имсларнинг асосий хоссаси шундаки, у мураккаб функцияларни бажариш билан бирга кучайтиргич, триггер, ҳисоблагич, хотира қурилмаси ва бошқа функцияларни ҳам баж...

Формат DOC, 64,0 КБ. Чтобы скачать "интеграл микросхемалар", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: интеграл микросхемалар DOC Бесплатная загрузка Telegram