интеграл микросхемалар

PPTX 38 стр. 810,4 КБ Бесплатная загрузка

38 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 810,4 КБ

Тип файла PPTX

Страницы 38

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 38

презентация powerpoint интеграл микросхемалар режа: умумий маълумотлар. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар. 2. бтлар асосидаги интеграл микросхемаларни тайёрлаш. 1947 йилнинг 23 декабрида 3та америка физиклари: уильям шокли, джон бардин ва уолтер браттейнлар ҳамкасбларига янги яримўтказгичли асбоб – кучайтиргич ёки транзисторни намойиш этишди. у радиолампаларга нисбатан бирмунча, арзон, мустаҳкам, чидамли ҳамда кам энергия истеъмол қилар эди. 1956 йилда транзистор ихтирочилари нобель мукофотига сазовор бўлишган. биринчи транзистор уильям шокли, джон бардин ва уолтер браттейн биринчи транзистор (1957 й.) ва операцион кучайтиргич (1967 й.) эпитаксия. эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учун ишлатилади. асос бунда мустаҳкамликни таъминлаш ва кристалланаётган қатлам такрорлаши зарур бўлган кристалл панжара сифатида хизмат қилади. кейинги технологик жараёнларда эпитаксиал қатламда имснинг актив ва пассив элементлари ҳосил қилинади. газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил …

2 / 38

бомбардимон қилиш (ионларни кристалл панжарага киритиш) дан иборат. тайёрлов операциялари. яримўтказгич имслар тайёрлаш учун асосий материал бўлган - кремний монокристал қуймалари олишдан бошланади. монокристал қуймалар ҳосил қилишнинг бир қанча усуллари мавжуд. чохральский усулида таркибига донор ёки акцептор киритмалар қўшилган ўта тоза кремний эритмаси юзига кремний монокристали туширилади. эритма эритган монокристал ўз ўқи атрофида аста – секин айлантирилиб кўтарилади. монокристал кўтарилиши билан эритма кристалланади ва кремний монокристали ҳосил бўлади. ҳосил бўлган кремний қуймаси n– ёки р–турли электр ўтказувчанликка эга бўлади. қуйма узунлиги 150 см, диаметри эса 150 мм ва ундан катта бўлиши мумкин. зонали эритиш усулида монокристал ифлослантирувчи киритмалардан қўшимча тозаланади. бунда кристаллнинг тор зонаси эритилиб, эритилган зона кристаллнинг бир учидан иккинчи учига аста силжитиб борилади. киритмаларнинг эриган фазада эрувчанлиги қаттиқ ҳолатдаги эрувчанлигига қараганда катта бўлса, ўша киритмалар суюқ фазага ўтиб кристаллнинг иккинчи учига силжиб боради, ва ўша ерда тўпланади. киритмалар тўпланган соҳа тозалаш жараёнлари тугагандан сўнг кесиб ташланади. емириш. яримўтказгич, …

3 / 38

сил қилинади. фотолитография. яримўтказгич пластинадаги металл ёки диэлектрик пардалар сиртида маълум шаклдаги локал соҳаларни ҳосил қилиш жараёни фотолитография деб аталади. ушбу соҳалар кимёвий емиришдан ҳимояланган бўлиши шарт. фотолитография жараёнида ультрабинафша нур таъсирида ўз хусусиятларини ўзгартирувчи, фоторезист деб аталувчи, махсус моддалар ишлатилади. фоторезист оксидланган кремний пластинаси сиртига суртилади ва кварц шиша ниқоб орқали ёритилади. ниқоблар шаффоф ва шаффоф эмас соҳаларга эга бўлгани учун фоторезистнинг маълум соҳаларига ёруғлик (ультрабинафша нур) таъсир этиб, унинг хусусияти ўзгартирилади. бундай ниқоблар фотошаблонлар деб аталади. фоторезист турига боғлиқ ҳолда унинг эрувчанлиги ортиши (позитив фоторезист) ёки камайиши (негатив фоторезист) мумкин. позитив фоторезист қатлам ёруғлик нури таъсирида нобарқарор ҳолатга ўтади ва эритувчи таъсирида эрийдиган, негатив фоторезист эса – аксинча, ёруғлик таъсирида эримайдиган бўлиб қолади, унинг ёруғлик таъсиридан ҳимояланган соҳалари эрийди. шундай қилиб, фоторезист қатламдан фотошаблондаги шаклни такрорловчи ҳимояловчи ниқоб ҳосил қилинади. фоторезист қатламда ҳосил қилинган “дарча”лар орқали оксидланган яримўтказгичнинг ҳимояланмаган соҳаларига кимёвий ишлов берилади (емирилади). имс тайёрлашда фотолитография жараёнидан …

4 / 38

сида металлашни – кристалл ёки асос сиртида металл пардалар (схемада элементларнинг ўзаро уланиши, контакт юзачалар, пасив ва актив элементлар электродлари) ҳосил қилиш жараёнини кўриб чиқамиз. металлаш учун олтин, никель, кумуш, алюминий ва cr-au, ti-au ва бошқалар ишлатилади. кремний асосидаги имсларда металлашни амалга ошириш учун асосан алюминийдан фойдаланилади. нарҳи қиммат бўлмаган ҳолда, кўрсатиб ўтилган металлар каби, у р – кремний билан омик (тўғриламайдиган) контакт ҳосил қилади, кичик солиштирма қаршиликка эга ва катта токка чидайди. алюминий вакуумда термик буғлатиш усули билан сиртга ўтказилади. n–турли соҳа билан омик контакт ҳосил қилиш учун ундаги донорлар концентрацияси 1020 см-3 атрофида бўлиши керак. бундан юқори концентрацияга эга бўлган соҳа n+ деб белгиланади. металлаш жараёни яримўтказгич пластина ҳажмида схема элементлари ҳосил қилингандан сўнг амалга оширилади. биринчи навбатда пластина сиртида siо2 қатлам ҳосил қилинади. шундан кейин кремний билан контактлар ҳосил қилиниши керак бўлган жойларда, фотолитография усули билан, siо2 парда қатламида “дарча”лар очилади. сўнг вакуумда термик буғлатиш усули билан …

5 / 38

атишга яроқли кристаллар қобиқларга ўрнатилади, бунда кристал аввал қобиққа елимланади ёки кавшарланади. сўнг кристал сиртидаги контакт юзачалар қобиқ электродларига ингичка (ø 20÷30 мкм) симлар ёрдамида уланади. симлар уланаётганда термокомпрессиядан фойдаланилади, яъни уланаётган сим билан контакт юзачаси ёки микросхема электроди 200÷300 0с температурада ва юқори босимда бир – бирига босиб бириктирилади. монтаж операциялари тугагандан сўнг кристалл юзаси атроф муҳит атмосфераси таъсиридан ҳимоялаш учун қобиқланади. оддий интеграл схемаларда чиқиш электродлари сони 8-14 та, кисларда эса 64 тагача ва ундан кўпроқ бўлиши мумкин. ислар қобиқлари металл ёки пластмассадан тайёрланади. исларнинг қобиқсиз турлари ҳам мавжуд. интеграл микросхема (имс) кўп сонли транзистор, диод, конденсатор, резистор ва уларни бир – бирига уловчи ўтказгичларни ягона конструкцияга бирлаштиришни (конструктив интеграция); схемада мураккаб ахборот ўзгартиришлар бажарилишини (схемотехник интеграция); ягона технологик циклда, бир вақтнинг ўзида схеманинг электрорадио элементлари (эрэ) ҳосил қилинишини, уланишлар амалга оширилишини ва бир вақтда гуруҳ усули билан кўп сонли бир хил интеграл микросхемалар ҳосил қилиш (технологик интеграция) …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 38 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "интеграл микросхемалар"

презентация powerpoint интеграл микросхемалар режа: умумий маълумотлар. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар. 2. бтлар асосидаги интеграл микросхемаларни тайёрлаш. 1947 йилнинг 23 декабрида 3та америка физиклари: уильям шокли, джон бардин ва уолтер браттейнлар ҳамкасбларига янги яримўтказгичли асбоб – кучайтиргич ёки транзисторни намойиш этишди. у радиолампаларга нисбатан бирмунча, арзон, мустаҳкам, чидамли ҳамда кам энергия истеъмол қилар эди. 1956 йилда транзистор ихтирочилари нобель мукофотига сазовор бўлишган. биринчи транзистор уильям шокли, джон бардин ва уолтер браттейн биринчи транзистор (1957 й.) ва операцион кучайтиргич (1967 й.) эпитаксия. эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учу...

Этот файл содержит 38 стр. в формате PPTX (810,4 КБ). Чтобы скачать "интеграл микросхемалар", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: интеграл микросхемалар PPTX 38 стр. Бесплатная загрузка Telegram