analogli integral sxemalar. e turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari

DOC 129,5 KB Bepul yuklash

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1403709826_46304.doc analogli integral sxemalar analogli integral sxemalar. e turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari reja: 1. tagliklar 2. plenkali elementlar – rezistorlar va kondensatorlar 3. o‘kazgichlar (simlar) va kontakt maydonchalari 4. osma elementlarni tanlash 5. yaratish texnologiyasi 6. mikrosxemalarni belgilash 7. raqamli sxemalar: oltinchi element analogli integral sxemalar. e turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari integral sxema (it) yoki mikrosxema - ma’lum bir o‘zgartirishni bajaradigan va signallarni qayta ishlaydigan va elektr birlashgan elementlarni, komponentlarni va kristallarni yuqori zichlikda joylashtirilgan mikroelektronli mahsulot. integral mikrosxema (imt) – ma’lum bir o‘zgartirish funksiyasini bajaradigan va elektro radio elementlarni (ere) o‘zaro elektr bog‘langan majmuini qamrab olgan, yagona tehnologik siklda tayyorlangan elektron texnikani konstruksiyasi bo‘yicha bir yaxlit tamomlangan mahsulot. imt lar yarimo‘tkazgichli va plenkalilarga bo‘linadi: - yarimo‘tkazgichli imt – bu mikrosxema bo‘lib, barcha elementlar va elementlararo ulanishlar hajmida va yarim o‘tkazgichni yuzasida bajarilgan; - plenkali imt – bu mikrosxema bo‘lib, barcha elementlar va elementlararo ulanishlar plyonka ko‘rinishida bajarilgan; - gibrid imt plenkali …

nimal sonli passiv elementlardan iborat sxemali qarorni qabul qilishga intilish kerak, chunki rezistor va kondensatorlar imt platasini ko‘p maydonini egallaydi. buning ustiga yetarli aniqlik nominallarda bu elementlarni yaratish texnologik imkoniyatlari cheklangan. tagliklar gis da tagliklar dielektrikli va mexanikli asos bo‘lib aktiv va passiv elementlarni, shuningdek plyonkali va osma elementlarni joylashtirish uchun xizmat qiladi. gis ni ayrim elementlarini taglik izolyatsiyalaydi va konstruksiyasi issiqlikni olish elesmenti hisoblanadi. shuning uchun taglik sillik va yassi yuzaga, yuqori hajmli qarshilikka, surtilgan plyonkalarga kimyoviy inertlilikka yuqori elektrik va mexanik ishiqlikka, yuqori ishchi haroratga va arzon narxga ega bo‘lishi kerak. tagliklarni tashqi o‘lchamlari standartlashtirilgan: o‘lchamlari asosan 48х60 mm, qalinligi 0,5-0,6 mm bo‘lib sitall va polikordon tayyorlanadi. yupqa plyonkali gis platalari arzon, yuqori mexanik pishiqlikka ega, issiqlikka chidamlikni o‘tkazuvchanlik, issiqlikka chidamlilik va kim- yoviy bardoshlikka ega bo‘lishi kerak. sopolni yuqori mexanik mustahkamligi teshiklar, pazalar (ariqchalar) bilan korpusni betali sifatida platani ishlatishga imkon yaratadi, yuqori issiqlik o‘tkazishi esa baquvvat …

larni ta’siri esa 10-70 mkm qalinidagi plenkalar hususiyatlariga kam ta’sir ko‘rsatadi. plata o‘lchamlari korpusining muayyan konstruksiyasi bilan ainqlanadi. plata qalinligi 0,6-1,0 mm. 1206 (153. 15-1) metallshishali korpusni tanlangani hisobga olingan holda va tonologik hisob kitoblarga ko‘ra plataning o‘lchamlari 16,0х15,0 tashkil etadi. plenkali elementlar – rezistorlar va kondensatorlar yupqa plenkali rezistorlar – eng ko‘p tarqalgan imt elementlari hisoblanib, turli materiallardan tayyorlanishi mumkin: metallar va ular qorishmlaridan, metallar aralashmasi va yarim o‘tkazgichlardan, metallar aralashmasi va dielektrik metariallardan. plenkani kvadrat qarshiligi 200 dan 600 om/s gacha va sochiolish quvvatini taxminan 10 mvt/mm2 ta ega bo‘lgan ko‘pincha xrom gost 5905-67 bo‘yicha ishlatiladi. bunda u vaqt bo‘yicha yetarli stabillashgan. yupqa plenkali rezistorlarni himoyalangan dielektrikni zinapoyalari bo‘lmagan silliq yuzada joylashtiriladi. rezistiv materiallarning asosiy parametrlari – bu rezistiv plenkani kvadratini solishtirma qarshiligi, qarshilikni haroratli koeffitsiyenti va yo‘l qo‘yiladigan sochilish quvvati. kondensatorlar qoplamlari uchun eng yaxshi material bo‘lib alyuminiy hisoblanadi, ammo u taglikka yomon yopishadi. kondensatorlar qoplamalari yuqori …

0 dan 10 ming om gacha bo‘lgan rezistiv plyonkalar kerak bo‘ladi. plyonka qarshiligi qancha kichik bo‘lsa, ps shunchа yuqori bo‘ladi. o‘kazgichlar (simlar) va kontakt maydonchalari o‘tkazgichlar (simlar). imt elementlari qalinligi 0,8 mkm gacha alyuminiyli tarqatish yordamida elektrik o‘zaro ulangan. kontakt maydonchalari. kontakt maydonchalari (km) yarimo‘tkazuvchi kristallning odatda atrofida joylashtirilib, oltin yoki alyuminiy simlarini uchlari yordamida (termokompressiya usuli bilan) yarimo‘tkazuvchi sxemani yaratish uchun xizmat qiladi. tarqatishni yaratganidek (odatda alyuminiy) km uchun o‘sha material ishlatiladi. o‘tkazgichlar va kontak maydonchalari kichik solishtirma qarshilikka taglikka yaxshi birikishga, yuqori korroziyalikka chidamlikka ega bo‘lishi kerak. o‘tkazgich va kontak maydonchalarni tayyorlashda elektroo‘tkazuvchanlik miqdori bo‘yicha bir-birovidan farqlanadigan va taglik bilan yopishishni mustahkamligi bo‘yicha turli metallar ishlatilishi mumkin. boshida (avval) taglikka yaxshi adgeziya (birikishga) ega (nixrom yoki titian) material plyonkasi yopishtiriladi. keyin – yuqori solishtirma o‘tkazuvchanlikka ega material (alyuminiy, mis va boshq.), undan keyin – payvandlash uchun yoki simli yopishtirish yoki boshqa uchlarini, shuningdek tashqari ta’sirlardan sim yurituvchi yo‘llarni …

lyonkali mikroshemalarda osma elementlar sifatida mitti yarimo‘tkazuvchi asboblarni keng qo‘llashadi: tranzistorlar, diodlar va h.k. gis ning bu komponentlarga qo‘yiladigan muhim talablar – kichik o‘lchamlari va og‘irligi (vazni). egiluvchan uchli asboblarning kamchiligi – gis korpusida ularni yig‘ish jarayonini avtomatizatsiyalash qiyinligi. uchlari zaldirli asboblarni qo‘llash yig‘ish jaraynini nazorat qilishni qiyinlashtiradi. uchlari to‘sinli (balkali) bo‘lgan asboblar qimmat, ammo yig‘ishni avtomatizatsiyalash va o‘rnatish zichligini oshirishga imkon tug‘diradi. yaratish texnologiyasi fotolitografiya yordamida yupqa plyonkali gibridli imt tayyorlashni asosiy bosqichlarini ko‘rib chiqamiz. birinchi navbatda plataga rezistiv materialdan yaxlik plyonka changlatiladi, uning ustidan esa tok o‘tkazuvchi materialdan yaxlit plyonka yopiladi. so‘ng fotorezist suriladi, unga fotoshablon orqali yorug‘lik tushiriladi, rasmi chiqariladi va nusxalantiriladi. topologik chizmagpa asoslanib platani yuzasi bo‘sh qolgan uchastkalardan fotorezistordagi darcha orqali zaharlovchi modda bilan o‘tkazuvchi va rezistivli plyonka olib tashlanadi. keyin ikkinchi fotolitografiya o‘tkaziladi, uning natijasida rezistivli plyonka yuzasidan selektivli –zaxarlovchi bilan rezistorlar bo‘ladigan joylardan o‘tkazuvchi plyonka olib tashlanadi. plataga tok o‘tkazuvchi plyonkalarni adgezatsiyasini yaxshilashda …

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Faylni Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"analogli integral sxemalar. e turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari" haqida

1403709826_46304.doc analogli integral sxemalar analogli integral sxemalar. e turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari reja: 1. tagliklar 2. plenkali elementlar – rezistorlar va kondensatorlar 3. o‘kazgichlar (simlar) va kontakt maydonchalari 4. osma elementlarni tanlash 5. yaratish texnologiyasi 6. mikrosxemalarni belgilash 7. raqamli sxemalar: oltinchi element analogli integral sxemalar. e turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari integral sxema (it) yoki mikrosxema - ma’lum bir o‘zgartirishni bajaradigan va signallarni qayta ishlaydigan va elektr birlashgan elementlarni, komponentlarni va kristallarni yuqori zichlikda joylashtirilgan mikroelektronli mahsulot. integral mikrosxema (imt) – ma’lum bir o‘zgartirish funksiyasini bajaradigan va elektro radio elementlarni (ere) o‘zaro elektr bog‘l...

DOC format, 129,5 KB. "analogli integral sxemalar. e turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: analogli integral sxemalar. e t… DOC Bepul yuklash Telegram