имсларни яратилиш тарихи

DOC 1,1 МБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1584171568.doc имсларни яратилиш тарихи режа: 1. имсларни яратилиш тарихи 2. наноэлектроника ҳақида тушунча 3. функционал электроника ҳақида тушунча 4. рақамли схематехникага оид стандартлар имсларни яратилиш тарихи биринчи имслар 1958 йилда яратилди. имсларнинг ҳажми иҳчам, оғирлиги кам, энергия сарфи кичик, ишончлилиги юқори бўлиб, ҳозирги кунда уч конструктив – технологик вариантларда яратилмоқда: қалин ва юпқа пардали, яримўтказгичли ва гибрид. 1965 йилдан буён микроэлектрониканинг ривожи г. мур қонунига мувофиқ бормоқда, яъни ҳар икки йилда замонавий имслардаги элементлар сони икки марта ортмоқда. ҳозирги кунда элементлар сони 106÷109 та бўлган ўта юқори (ўюис) ва гига юқори (гюис) имслар ишлаб чиқарилмоқда. микроэлектроника ўзининг ярим асрлик тарихи давомида имслар элементлари ўлчамларини камайтириш йўлида ривожланмоқда. 1999 йилда микроэлектроника технологик ажратишнинг 100 нмли довонини енгиб наноэлектроникага айланди. ҳозирги вақтда 45 нмли технологик жараён кенг тарқалган. бу жараён оптик литографияга асосланишини айтиб ўтамиз. микроэлектрон қурилмалар (имслар) яратишнинг ананавий, планар жараён каби, усуллари яқин 10 йиллик ичида иқтисодий, технологик ва интеллектуал …

ордаги квант ҳодисалар унинг характеристикаларига катта таъсир кўрсата бошлайди ва хусусан, сток – исток орасидаги туннеллашув токи 1 см2 юзада ажраладиган энергияни 1 квт га етказади. планар технологиянинг замонавий процессорлар, хотира қурилмалари ва бошқа рақамли имслар ҳосил қилишдаги ютуқлари ўлчамлари 90 нм, 45 нм ва ҳатто 28 нмни ташкил этувчи имслар ишчи элементларини ҳосил қилиш имконини яратганлиги бугунги кунда кўпчилик тадқиқотчилар томонидан нанотехнологияларнинг қўлланилиш натижасидек қаралмоқдалигини айтиб ўтамиз. бу мавжуд iso/тк 229 нуқтаи – назаридан тўғри. лекин, планар жараён биринчи имслар пайдо бўлиши билан, ўтган асрнинг 60 – йилларида ҳеч қандай нанотехнологиялар мавжуд бўлмаган вақтда пайдо бўлди ва шундан бери принципиал ўзгаргани йўқ. ҳозирги кунда телекоммуникация ва ахборотлаштириш тизимининг ривожланиш даражаси том маънода микроэлектроника ва наноэлектроника махсулотларининг уларда қўлланилиш даражасига боғлиқ. интеграл микроэлектроника ривожининг физик чегаралари мавжудлиги сабабли, ҳозирги кунда анъанавий микроэлектроника билан бир қаторда электрониканинг янги йўналиши – наноэлектроника жадал ривожланмоқда. наноэлектроника ўлчамлари 0,1 дан 100 нм гача бўлган …

си илмий ишларида тезкор транзисторлар, лазерлар, интеграл микросхемалар (чиплар) ва бошқаларни ишлаб чиқиш билан замонавий ахборот коммуникация технологияларига асос солган олимлар: ж.и. алферов, г. кремер, дж.с. килбини нобель мукофоти билан тақдирлади. интеграл микроэлектроника ва наноэлектроника билан бир вақтда функционал электроника ривожланмоқда. электрониканинг бу йўналиши ананавий элементлар (транзисторлар, диодлар, резисторлар ва конденсаторлар)дан воз кечиш ва қаттиқ жисмдаги турли физик ҳодиса (оптик, магнит, акустик ва ҳ.к.)лардан фойдаланиш билан боғлиқ. функицонал электроника асбобларига акустоэлектрон, магнитоэлектрон, криоген асбоблар ва бошқалар киради. рақамли схематехникага оид стандартлар кетма-кет рақамли қурилма киришига кодли сўз белгилари бир вақтда берилмайди. мисол учун 1-расмдаги қурилмани келтириш мумкин: параллел рақамли қурилма киришига киришига ҳар бир кириш белги бир вақтда берилади. 3-расмда бундай қурилмага мисол келтирилган: · параллел рақамли қурилма киришига киришига ҳар бир кириш белги бир вақтда берилади . 3 - расмда бундай қурилмага мисол келтирилган : к 1 к 2 1 к 3чиқ чиқ 2 мантиқий қурилма к 1 чиқ …

имланишида ифодаланади частота, амплитуда, фаза, импульслар давомийлиги, кетма-кет импульслар серияларининг бир ёки бир нечта параллел линияларида тақсимланиши, тасвир нуқталарининг текислик ва х. к. ларда тақсимланиши каби узатувчи вақтли функцияларни аниқловчи параметрлар (улар орқали ахборот узатиш ҳолатида) ахборот параметрлари деб аталади. агар физик катталик икки ёки ундан ортиқ ахборот параметрларнинг ташувчиси бўлса, у кўп ўлчовли сигнал ҳисобланади. ахборот параметрлар бир қатор аниқ миқдорлар тўпламига эга. аналог сигналлар (ахборот параметрлари берилган диапазон ичида ҳар қандай миқдорни қабул қилиши мумкин); дискрет сигналлар (ахборот параметрлари фақатгина берилган аниқ дискрет миқдорларни қабул қилиши мумкин); узлуксиз сигналлар (ахборот параметрлари ҳар вақтда ўзгариши мумкин); узлукли сигналлар (ахборот параметрлари вақтнинг дискрет онларидагина бошқа миқдорни қабул қилиши мумкин); эҳм ёрдамида автоматлаштириладиган тизимларда учрайдиган сигналларнинг типик формаларига бахзи мисоллар қуйида келтирилган: турларига бўлинади. · барча рақамли бўлмаган дискрет сигналлар кўп позицияли деб аталади. · рақамли сигналлар асосан кетма-кет ёки параллел тарзда узатилади. параллел сигналларда ахборот параметрларининг барча параметрлари турли n …

гии обеспечения безопасности информации в медицинской информационной системе externet. программные продукты и системы, научно-практич. издание № 1(101), 2013 г., с. 150-155. 4. ю.а. григорьев, в.г. матюхин. оценка времени выполнения сложного sql-запроса в субд ms sql server. организация баз данных 2004. №2 (8)- с.3-11. 5. гаврилова т.а., хорошевский в.ф. базы знаний интеллектуальных систем. учебник. — спб.: питер, 2000.-384с.  аналог сигнал ( аналогли , узлуксиз , ахборот параметри : амплитуда ) i x t  частота - аналогли сигнал ( аналогли , узлуксиз , ахборот параметри : частота ) x t i  импульсли сигна л ( аналогли , узлукли , ахборот параметри : тўртбурчакли импульс фазасининг ҳолати ) x t i i i такт такт такт  иккилик сигнал ( дискрет , узлукли , ахборот параметри : иккита белги 0 ва l ) x t i 0 сигналлар дискрет сигналлар рақамли ва кўп позицияли сигнал  иккилик с игнал ( …

Хотите читать дальше?

Скачайте полный файл бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "имсларни яратилиш тарихи"

1584171568.doc имсларни яратилиш тарихи режа: 1. имсларни яратилиш тарихи 2. наноэлектроника ҳақида тушунча 3. функционал электроника ҳақида тушунча 4. рақамли схематехникага оид стандартлар имсларни яратилиш тарихи биринчи имслар 1958 йилда яратилди. имсларнинг ҳажми иҳчам, оғирлиги кам, энергия сарфи кичик, ишончлилиги юқори бўлиб, ҳозирги кунда уч конструктив – технологик вариантларда яратилмоқда: қалин ва юпқа пардали, яримўтказгичли ва гибрид. 1965 йилдан буён микроэлектрониканинг ривожи г. мур қонунига мувофиқ бормоқда, яъни ҳар икки йилда замонавий имслардаги элементлар сони икки марта ортмоқда. ҳозирги кунда элементлар сони 106÷109 та бўлган ўта юқори (ўюис) ва гига юқори (гюис) имслар ишлаб чиқарилмоқда. микроэлектроника ўзининг ярим асрлик тарихи давомида имслар элементлари ўлчам...

Формат DOC, 1,1 МБ. Чтобы скачать "имсларни яратилиш тарихи", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: имсларни яратилиш тарихи DOC Бесплатная загрузка Telegram