bipolyar transistor kuchaytrgichelementi

PPTX 12 стр. 194,3 КБ Бесплатная загрузка

12 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 194,3 КБ

Тип файла PPTX

Страницы 12

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 12

ispolzovanie ikt na uroke o’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi urganch davlat unversiteti fizika-matematika fakulteti fizika kafedrasi 191-fizika guruh talabasi ozodov sodiqjonning radioelektronika fanidan mavzu:bipolyar transistor kuchaytrgich elementi sifatida kurs ishi rahbari: _________________ kurs ishi mavzu:bipolyar transistor kuchaytrgich elementi sifatida mundarija:kirish………………………………………………………… . . . . . . . …..4 1 bob radiotexnik qurilmalardagi raqamli sxemalarning analitik tahlili 1.1. radiotexnik qurilmalarning bipolyar tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari …………………………………………………………………..8 1.2. radiotexnik qurilmalarning mdya tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari ………………………………………………………………….11 2 bob komplimentar bipolyar tranzistorlarda past kuchlanishli raqamli sxemalarni matematik modellashtirish 2.1. bipolyar tranzistorlarda elektron kalitlarni matematik modellashtirish.17 2.2. dinamik yuklamali bipolyar tranzistorda yig`ilgan invertor.…………20 2.3. komplimentar bipolyar tranzistorda yasalgan invertor ………………23 xulosa……………………………………….………………………...……24 foydalanilgan adabiyotlar ro`yhati………………………………………26 kirish elektronika yutuqlari natijasi sifatida elektrovakuum va yarim o‘tkazgichli asboblarning turli xil va ijobiy xususiyatlarida namoyon bo‘ladi. zamonaviy elektornikani o‘rganish uchun avvalambor radioelektronika asboblarining tuzilishi, ishlash printsipi va fizikaviy asoslarini bilib olish kerak. radioelektronika barcha qayd qilish, …

2 / 12

alari bipolyar integral sxemalar yordamida amaliyotda ko`p qo`llaniladigan an’anaviy radiotexnik qurilmalar tayyorlanishi mumkin. avval yarim o`tkazgichli bipolyar asboblarni, bazaviy sxemalarning xarakteristikalarini, shuningdek, ularning tuzilishini ko`rib chiqamiz. bipolyar tranzistorlar asosidagi sxemalarni hisoblashda ularning ishini to`liq baholashga imkon beruvchi bo`lak–to`g`ri chiziqli approksimatsiya usulidan foydalaniladi. bu usulning asosiy xususiyati shundaki, tranzistordagi p–n o`tish vs siljish kuchlanishiga ega bo`lgan ideal diod kabi hisoblanadi. uning xarakteristikasi 1.1–rasmda punktir chiziq bilan ko`rsatilgan. bipolyar tranzistorlar asosidagi sxemala bilan maydoniy mdya tranzistorlar asosidagi sxemalarning asosiy farqi shundaki, ulardan birining o`chib–yonishi (ya’ni qayta ulanishi) uchun nafaqat kuchlanish berish zarur, balki ulardan boshqaruvchi baza tokining oqib o`tishi ham ta’minlash kerak. bipolyar tranzistorlar asosida raqamli sxemalarni qurishda shu e’tiborga olish lozimki, tranzistorlarning kirish qarshiligi maydoniy tranzistorlardagi kabi nafaqat sig’imli tashkil etuvchiga, balki rezistiv (aktiv) tashkil etuvchiga ham ega. bipolyar tranzistorlarni tok bilan boshqarish maydoniy mdya tranzistorlarnikiga qaraganda kuchliroq ekanligi aniqlandi. 1.2. radiotexnik qurilmalarning mdya tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari agar n–p–n strukturali …

3 / 12

signallarini kuchaytirishda ishlatiladi. ii bob. yarim o‘tkazgichli diodlar, ularning tuzilishi va ishlash printsipi 2.1§ yarim o‘tkazgichli diodlarning ishlash harorat oralig‘i har bir tipik guruhni ta’riflaydigan o‘ziga xos parametrlaridan tashqari ularning maxsus belgilanishiga bog‘liq bo‘lmagan barcha yo‘dlar uchun umumiy parametrlari mavjud. ularga quyidagilar kiradi: ishlash harorat oralig‘i, ruxsat beriladigan teskari kuchlanish, ruxsat beriladigan to‘g‘rilangan tok, ruxsat beriladigan sochish quvvati. harorat oshgan sari o‘tkazuvchini o‘zining elektr-o‘tkazuvchanligi oshib boradi, to‘yinish toki va n-p o‘tishning buzilish ehtimoli oshadi. yarim o‘tkazgichning taqiqlangan zonasi qanchalik keng bo‘lsa, o‘tishni yo‘l qo‘yiladigan maksimal harorati shunchalik katta bo‘ladi. masalan, germaniy diodlari uchun atrof muhitni ruxsat etilgan harorati c chegaradada, kremniy diodlari uchun esa s chegarasidadir. harorat pasaygan sari to‘g‘ri va teskari qarshiligi oshib boradi, shuningdek kristallning mo‘rtligi oshish tufayli mexanik shikastlanish ehtimoli paydo bo‘ladi. 2.2§ yuqori chastotali yarim o‘tkazuvchi diodlar to‘g‘rilovchi diodlarga o‘xshab, yuqori chastotali yo‘d larda ham n-p o‘tishning nosimmetrik o‘tkazuvchanligi ishlatiladi. ular to‘g‘rilovchi diodlarga qaraganda ancha yuqori …

4 / 12

o‘tishga keltirilgan tashqi kuchlanishni bir qismi diodning baza qarshiligida qolishi tufayli, to‘g‘rilash samaradorligi pasayadi. shundan kelib chiqadiki, yuqori chastotada ishlaydigan yo‘dni n-p o‘tishlari kichik sig‘imli va bazaning kichik qarshiligiga ega bo‘lishi kerak. agar zanjir elementlaridan birortasi tok kuch yoki kuchlanishga bog'lik o'zgaruvchan miqdor bo'lsa, ko'rilayotgan tenglama ham, va shunga ko‘ra zanjir ham chiziqli bo'lmaydi. bordiyu r, l va c kattaliklardan birortasi vaqtga bog‘lik o'zgaradigan kattalik bo'lsa zanjir chizikli bo'ladi. unda (2.1) tenglama parametrik tengla- maga aylangani uchun zanjir parametrik zanjir deyiladi. bu mulohazalar shuni ko‘rsatadiki, chiziqli zanjirlarning xarakterlovchi kattaliklari- parametrlari o'zgarmas miqdorlarn ya'ni chiziqli elementlar bo'ladi. chiziqli bo'lmagan zanjirlarda esa, kamida bitta chiziqli bo'lmagan element qatnashadi. chiziqli zanjirlarda tok kuchining ortishi uning elementlaridagi potensial tushuvining proportsional ravishda ortishiga olib keladi. 8 2.3§ tunel diodlar tunnel diodlar ko‘p miqdorda aralashmali yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi (yaratilgan yarim o‘tkazgichlar). yaratilgan yarim o‘tkazgichlar asosida bajarilgan n-p o‘tishni volt-amperli tavsifi manfiy qarshilikli hududga ega bo‘lib, bunda …

5 / 12

don ta`sir natijasida xosil bo’lgan elektr o’tkazuvchanlikni o’rganish va undan foydalanish masalalari bilan shugullanadigan fan sohasidir. elektronika yutuqlari natijasi sifatida elektrovakuum va yarim o’tkazgichli asboblarning turli xil va ijobiy xususiyatlarida namoyon bo’ladi. zamonaviy elektornikani o’rganish uchun avvalam bor radioelektronika asboblarining tuzilishi, ishlash printsipi va fizikaviy asoslarini bilib olish kerak. …integral mikrosxemalar radio elektron apparaturalarda elementlararo ulanishlarni ta`minlash bilan birgalikda, ularning kichik o`lchamlarini, energiya ta`minotini, massa va material hajmini ta`minlaydilar. ko`p sonli chiqishlar va qobiqlarning yo`qligi radio elektron apparaturalarning hajmi va massasini kichraytiradi. moddaning yarim o‘tkazgichlik xossasiga asoslangan elementlarda fizik jarayonlar mikronlar tartibidagi sohalarda yuz berib, zamonaviy mikrochiplarda kremniy kristalining kichik bo‘lagida bir-biriga ulangan millionlab diodlar, tranzistorlar, qarshiliklar, kondensatorlar joylashgan. yarim o‘tkazgichli diod (yo’d) ikki elektrodli qurilma bo‘lib, uning ishlashi n-p o‘tishni elektrik xususiyatlarga, yoki metal yarim o‘tkazuvchi kontaktini ishlatilishiga asoslangan. bu xususiyatlarga quyidagilar kiradi: bir tomonlama o‘tkauvchanlik, volt-amper tavsifini nochiziqligi, volt-amperli tavsifini manfiy qarshilikka ega bo‘lagi mavjudligi, elektrli buzilishda teskar …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 12 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar transistor kuchaytrgichelementi"

ispolzovanie ikt na uroke o’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi urganch davlat unversiteti fizika-matematika fakulteti fizika kafedrasi 191-fizika guruh talabasi ozodov sodiqjonning radioelektronika fanidan mavzu:bipolyar transistor kuchaytrgich elementi sifatida kurs ishi rahbari: _________________ kurs ishi mavzu:bipolyar transistor kuchaytrgich elementi sifatida mundarija:kirish………………………………………………………… . . . . . . . …..4 1 bob radiotexnik qurilmalardagi raqamli sxemalarning analitik tahlili 1.1. radiotexnik qurilmalarning bipolyar tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari …………………………………………………………………..8 1.2. radiotexnik qurilmalarning mdya tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari ………………………………………………………………….11 2 bob komplimentar bipolyar tranzistorlarda past kuchlanis...

Этот файл содержит 12 стр. в формате PPTX (194,3 КБ). Чтобы скачать "bipolyar transistor kuchaytrgichelementi", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar transistor kuchaytrgic… PPTX 12 стр. Бесплатная загрузка Telegram