технология изготовления афн-пленок методом термического испарения в вакууме

DOC 11 стр. 53,5 КБ Бесплатная загрузка

11 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 53,5 КБ

Тип файла DOC

Страницы 11

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 11

удк 621.365.2 технология изготовления афн-пленок методом термического испарения в вакууме тураев б.э. национальный университет узбекистана имени мирзо улугбека аннотация. данная статья посвящена изучению технологические особенности изготовления афн-пленок и разработка оптико-управляемых микросхем на основе использование пои генераторного типа с тонкослойной афн-пленкой при создании оптико-управляемых микросхем, а также показаны их преимущества и применение в оптоэлектронике. ключевые слова: полупроводниковые соединение cdse, сdte, cdte:cd, оптикоуправляемые микросхемы, оптоэлектронный датчик, моп-транзистор, пленок аномального высокого фотонапряжения (афн), для получения афн-пленок из соединений cdse, сdte, cdte:cd необходимо использовать метод термического испарения в вакууме. вакуумная установка собрана на основе механического форвакуумного насоса типа рвн-4 и паромасленного диффузионного насоса типа н-01, которые обеспечивают давление порядка 10-4 мм рт. ст. в качестве испарителей использованы тигли из окиси алюминия или бериллия [1]. температура испарения полупроводника достигалась регулированием тока. подложки нагревались с помощью печки, конструкция которой дает возможность изменять температуру подложки до 600° с. температура на подложке и испарителя контролировалась хромель-алюмелевыми термопарами, закрепленными …

2 / 11

тролировать время осаждения материала. для сохранения состава шихты и начального потока испаряемого материала перед испарением шихты отжигали в режиме испарения в течение 20 - 25 минут. малое расстояние между электродами при продольном режиме работы уменьшает электрическую прочность пленок, поэтому для получения пленок с большой толщиной и повышения температуры осаждения, а также во избежание уноса и прямого попадания частиц на подложку поверхность тигля закрывали кварцевой пластинкой. при применении соответствующих приспособлений нам удалось получить слои в широком диапазоне толщин (0,1 - 3,0 мкм) и при высоких температурах подложки (400 °с). в некоторых случаях, для предотвращения отклонения от стехиометрического состава произведено подпыление s или сds одновременно в процессе испарения. при испарении смеси порошков cds+cdse также нарушалась стехиометрия. материалы cdse и cds в соответствующем количестве помещали в тигель и испаряли одновременно. в пленках, полученных такой методикой, электрофизические свойства колебались в довольно большом диапазоне. для сохранения стехиометрии во всех образцах производили испарение по методу трех …

3 / 11

пленок и распределение этой толщины по длине пленки. в работах [2-4] проведен расчет распределения толщины по длине пленки для общего случая, когда плоскость подложки необязательно параллельна плоскости испарителя. эта задача представляет самостоятельный интерес не только для афн-пленок, но и для ферромагнитных пленок, пленок, широко применяемых для ориентации жидких кристаллов и др., которые получаются специально косоугольным осаждением исходного вещества. для получения плёнок равномерной толщины прибегают к нескольким приемам. в одном из них применяют ряд небольших испарителей, расположенных по кольцу параллельно подложке или одного испарителя, вращаемого вокруг оси, перпендикулярной к плоскости подложки. в другой методике получения плёнок равномерной толщины подложку вращают вокруг оси, перпендикулярной её плоскости. эти приемы не применимы для случая афн-пленок, т. к. при испарении вышеописанными способами специфичная структура с наклоненными дендритными выступами, которая возникает при косоуголном осаждении нарушается и афн исчезает. другим недостатком этих методик, вообще, является применение многих испарителей, что технически не всегда возможно а тем более вращение …

4 / 11

ьной толщины в 1 мкм, росте близлежащего к испарителю конца плёнки со скоростью 0,04 мкм/мин, отдаленного конца 0,02 мкм/мин, скорость перемещения шторки была равной 1 мм/мин. результаты проведенных экспериментов по дополнительному допылению для 6 образцов сdте приведены в таблице 3 (длина образцов 1,7 см). таблица 3.влияние дополнительного допыления на афн в пленках cdte. номер образца vафн, в до допыления vафн, в после допыления добавочное vафн, в % 9 11 12 14 16 19 84 95 103 110 120 115 101 137 152 143 165 168 17 42 48 33 45 53 16,8 30,7 31,8 23 27,3 31,6 видно, что при применении разработанного способа, увеличение афн достигает 30 %. снятием зависимости vафн от длины пленки показано, что в пленках с градиентом толщины vафн распределено неравномерно, а в пленках, полученных вышеописанной технологией равномерно. знание характеристических микропараметров афн-пленок позволяет уточнить представления о природе генерации фотонапряжений в микрофотоэлементах и по ним в частности афн-пленка …

5 / 11

ения элементарных напряжений на микроp-n-переходах в результате накопления объемных зарядов, создаваемых фототоком. в-третьих, формирования аномально большого фотонапряжения путем суммирования элементарных фотонапряжений на p-n-переходах. в настоящей статье нами предлагаются способы создания оптико-управляемых микросхем на основе тонкослойной афн-пленки. физический механизм, обусловливающий возникновение афн-эффекта в полупроводниковых пленках с периодической р-n-р-структурой, связан как известно, с неполной компенсацией фотонапряжений в р-n и n-рпереходах, обусловленной специальной технологией косого напыления пленок на подложку. это небольшое некомпенсированное фотонапряжение в р-n-р ячейке (vя<кт/q) возникает либо вследствие асимметричного освещения, либо вследствие асимметрии значений темновых токов насыщения р-n и n-р-переходов. в действительности в формировании афн-эффекта могут участвовать оба указанных выше фактора. коэффициенты, зависящие от фоточувствительностей переходов a1 и a2 входят в состав выражений фототоков перехода, т.е. jф1=а1i или jф2 =а2i; jф1 - фототок р-n-перехода, jф2 - фототoк n-р- перехода, i - освещенность. при этом важнейшими задачами являются разработка научных методов получения афн-пленок (из различных материалов) с заданными свойствами и методов эффективного …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 11 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "технология изготовления афн-пленок методом термического испарения в вакууме"

удк 621.365.2 технология изготовления афн-пленок методом термического испарения в вакууме тураев б.э. национальный университет узбекистана имени мирзо улугбека аннотация. данная статья посвящена изучению технологические особенности изготовления афн-пленок и разработка оптико-управляемых микросхем на основе использование пои генераторного типа с тонкослойной афн-пленкой при создании оптико-управляемых микросхем, а также показаны их преимущества и применение в оптоэлектронике. ключевые слова: полупроводниковые соединение cdse, сdte, cdte:cd, оптикоуправляемые микросхемы, оптоэлектронный датчик, моп-транзистор, пленок аномального высокого фотонапряжения (афн), для получения афн-пленок из соединений cdse, сdte, cdte:cd необходимо использовать метод термического испарения в вакууме. вакуумная у...

Этот файл содержит 11 стр. в формате DOC (53,5 КБ). Чтобы скачать "технология изготовления афн-пленок методом термического испарения в вакууме", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: технология изготовления афн-пле… DOC 11 стр. Бесплатная загрузка Telegram