оптоэлектронные приборы на основе нанокристаллических полупроводниковых (cdte) афн-пленок
Предварительный просмотр (5 стр.)
Прокрутите вниз 👇![статьи для конгресса «геосибирь-2008» page удк 621.382:530.93:365.2 разработка оптоэлектронных приборов на основе нанокристаллических полупроводниковых (cdte) афн-пленок н.р. рахимов филиал фгбоу во «уфимский государственный нефтяной технический университет в г. октябрьском, россия, г. октябрьский. e-mail: nemrah@mail.ru б.э. тураев филиал ташкентского государственного технического университета им. ислама каримова в г. термезе, узбекистан, г. термез. e-mail: bturaev2020@gmail.com аннотация: в настоящей статье нами рассмотрена характеристик излучателей на основе полупроводниковых соединений gaas, gasb, insb, pbs, pbte, pbse, gaas: zn, gaas:fe, gap:n, gaas:te, inas, zns и получение фоточувствительных афн-пленок (приемников) на основе cdse, cdte, cdte:ag, sb2se3 представляет научный и практический интерес. их освоение связано с исследованием физико-технологических основ афн-пленок ключевые слова: приборы с зарядовой связью (пзс), приемника оптического излучения (пои), фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, аномально большие фотонапряжения (афн). открытие спектроскопических методов исследования, таких как ядерно гамма резонансная спектроскопия дало в руку физиков чрезвычайно мощный и поразительно универсальный метод исследования [1,2]. диапазон применения этого метода простирается от исследований фундаментальных …](https://cdn.faylhub.uz/previews/pages/preview_zZU6nv6.webp "оптоэлектронные приборы на основе нанокристаллических полупроводниковых (cdte) афн-пленок - Страница 1")
![атель, трансформирующий световой поток интенсивности ф0 в аномально большое фотонапряжение vафн. соответственно принятой модели [5-6] эта трансформация складывается из трех этапов. во-первых, создания фототока iф0, обусловленного фотогенерацией и пространственным разделением неравновесных носителей на каждом микро-p-n-переходе. во-вторых, возникновения элементарных напряжений на микро-p-n-переходах в результате накопления объемных зарядов, создаваемых фототоком. в-третьих, формирования аномально большого фотонапряжения путем суммирования элементарных фотонапряжений на p-n-переходах. поставленная задача решается тем, что способ изготовления фотогенератора включает напыление термическим испарением при температуре 250-3000 и давление 133,32(10-5па на внешнюю поверхность подложки афн-пленки из теллурида кадмия cdte, нанесение светоотражающего слой на внутреннюю противоположную поверхность подложки при температуре 3000с и давление 1333,32(10-4па, напыление контактов на аномально фотонапряжённую плёнку. повышенные фотонапряжения, светочувствительность и надёжность работы фотогенератора достигается тем, что на пленку нанесен легирующий слой германия ge, светоотражающий слой выполнен из алюминия al, одна торцевая сторона подложки выполнена усеченной под углом 450, контакты выполнены сверху на одной из торцевых сторон пленки, на все торцевые …](https://cdn.faylhub.uz/previews/pages/preview_g9qDHZc.webp "оптоэлектронные приборы на основе нанокристаллических полупроводниковых (cdte) афн-пленок - Страница 3")
![еского напряжения. тока короткого замыкания измеряют электрометром 8. герметичность светонепроницаемого слоя 7 повышает надежность и стабильность выходных характеристик фотогенератора. светоотражающий слой 3 из алюминия позволяет увеличить светочувствительность фотогенератора при малых интенсивностях света. фотогенераторы полученные данным способом, могут найти широкое применение в качестве источника напряжения в схемах оптоэлектроники, геодезии, лазерной технике, а также юстировки квантовых генераторов в оптических системах. такие фотогенераторы не требуют источников питания и, прости в их изготовлении [7]. однако, фотоэлемент не пригоден, для использования в качестве приемника света в оптоэлектронных устройствах, так как в вентильном режиме (в отличие от фотодиодного) p-n- переход мало чувствителен к свету. напротив, нанокристаллическая полупроводниковая афн-плёнка и пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрические полупроводники, фотовольтаическая чувствительность которых высока, представляют собой перспективные для оптоэлектроники пои автономного типа. на базе нанокристаллической полупроводниковой афн-плёнки и пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрических полупроводников можно создать оптоэлектронный трансформатор напряжения. задача создания трансформатора напряжения, аналогичного по своим свойствам трансформатору с электромагнитной связью, то есть, сочетающего преобразование …](https://cdn.faylhub.uz/previews/pages/preview_BvpIMqK.webp "оптоэлектронные приборы на основе нанокристаллических полупроводниковых (cdte) афн-пленок - Страница 5")
О "оптоэлектронные приборы на основе нанокристаллических полупроводниковых (cdte) афн-пленок"
статьи для конгресса «геосибирь-2008» page удк 621.382:530.93:365.2 разработка оптоэлектронных приборов на основе нанокристаллических полупроводниковых (cdte) афн-пленок н.р. рахимов филиал фгбоу во «уфимский государственный нефтяной технический университет в г. октябрьском, россия, г. октябрьский. e-mail: nemrah@mail.ru б.э. тураев филиал ташкентского государственного технического университета им. ислама каримова в г. термезе, узбекистан, г. термез. e-mail: bturaev2020@gmail.com аннотация: в настоящей статье нами рассмотрена характеристик излучателей на основе полупроводниковых соединений gaas, gasb, insb, pbs, pbte, pbse, gaas: zn, gaas:fe, gap:n, gaas:te, inas, zns и получение фоточувствительных афн-пленок (приемников) на основе cdse, cdte, cdte:ag, sb2se3 представляет научный и практич...
Этот файл содержит 9 стр. в формате DOC (164,0 КБ). Чтобы скачать "оптоэлектронные приборы на основе нанокристаллических полупроводниковых (cdte) афн-пленок", нажмите кнопку Telegram слева.
DOC
DOCX
DOC
DOCX
DOCX
DOC
PPTX
DOCX
DOC
DOCX
DOCX