оптико-управляемые микросхемы на основе афн-пленок
Page preview (5 pages)
Scroll down 👇![удк 621.365.2 разработка оптико-управляемых микросхем на их основе тураев б.э1., рахимов н.р2. 1термезский филиал ташкентского государственного технического университета им. ислама каримова 2уфимского государственного нефтяного технического университета аннотация. в данной работе рассмотрена разработка оптико-управляемых микросхем на основе афн-пленок. для этой цели использован пои генераторного типа с тонкослойной афн-пленкой при создании оптико-управляемых микросхем, а также показаны их преимущества и применение в оптоэлектронике. ключевые слова: пленок аномального высокого фотонапряжения (афн), полупроводниковые соединение, оптикоуправляемые микросхемы, оптоэлектронный датчик, моп-транзистор. для получения афн-пленок из соединений cdse, сdte, cdte:cd необходимо использовать метод термического испарения в вакууме. вакуумная установка собрана на основе механического форвакуумного насоса типа рвн-4 и паромасленного диффузионного насоса типа н-01, которые обеспечивают давление порядка 10-4 мм рт. ст. в качестве испарителей использованы тигли из окиси алюминия или бериллия [1]. температура испарения полупроводника достигалась регулированием тока. подложки нагревались с помощью печки, конструкция которой дает возможность изменять температуру подложки до 600° с. температура на подложке и испарителя …](/media/previews/pages/preview_gUPcHZR.webp "оптико-управляемые микросхемы на основе афн-пленок - Page 1")
![ние остаточных газов в вакуумной камере, условия термической обработки пленок после напыления. оптимальные технологические параметры афн-пленок, у которых фотонапряжение достигалось 1000 в/см2 при комнатной температуре, следующие (табл. 2.): таблица 2. полупроводниковый материал вакуум мм рт. ст. температура подложки, °с угол напыления толщина пленки, мкм cdte 10-4 200 - 250 35° 0,7 - 1,5 cdse 10-4 200 - 300 35° 0,7 - 2,0 при получении пленок термическим осаждением веществ на подложку важными характеристиками являются толщина пленок и распределение этой толщины по длине пленки. в работах [2-4] проведен расчет распределения толщины по длине пленки для общего случая, когда плоскость подложки необязательно параллельна плоскости испарителя. эта задача представляет самостоятельный интерес не только для афн-пленок, но и для ферромагнитных пленок, пленок, широко применяемых для ориентации жидких кристаллов и др., которые получаются специально косоугольным осаждением исходного вещества. обозначив через ɵ угол наклона подложки относительно нормали, и проводя соответствующие вычисления, получено распределение толщины по длине пленки …](/media/previews/pages/preview_CZafVxj.webp "оптико-управляемые микросхемы на основе афн-пленок - Page 3")
![ис.1). описывается способ устранения неоднородности толщины по длине афн-пленки, при косоугольном осаждении, путем дополнительного допыления. этот вопрос является решающим для получения пленок с оптимальной толщиной. для получения плёнок равномерной толщины прибегают к нескольким приемам. в одном из них применяют ряд небольших испарителей, расположенных по кольцу параллельно подложке или одного испарителя, вращаемого вокруг оси, перпендикулярной к плоскости подложки. в другой методике получения плёнок равномерной толщины подложку вращают вокруг оси, перпендикулярной её плоскости. эти приемы не применимы для случая афн-пленок, т. к. при испарении вышеописанными способами специфичная структура с наклоненными дендритными выступами, которая возникает при косоуголном осаждении нарушается и афн исчезает. другим недостатком этих методик, вообще, является применение многих испарителей, что технически не всегда возможно а тем более вращение испарителя или подложки с токопроводами. также в работе [5] разработан способ устранения неоднородности толщины по длине афн-пленки при косоуголном осаждении. для этого между испарателем и подложками в вакуумной камере устанавливаем металлическую шторку, которую …](/media/previews/pages/preview_Oe2AJPs.webp "оптико-управляемые микросхемы на основе афн-пленок - Page 4")
![6 образцов сdте приведены в таблице 3 (длина образцов 1,7 см). таблица 3.влияние дополнительного допыления на афн в пленках cdte. номер образца vафн, в до допыления vафн, в после допыления добавочное vафн, в % 9 11 12 14 16 19 84 95 103 110 120 115 101 137 152 143 165 168 17 42 48 33 45 53 16,8 30,7 31,8 23 27,3 31,6 видно, что при применении разработанного способа, увеличение афн достигает 30 %. снятием зависимости vафн от длины пленки показано, что в пленках с градиентом толщины vафн распределено неравномерно, а в пленках, полученных вышеописанной технологией равномерно. библиографический список 1. фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника / под ред. э.и. адировича. – ташкент: фан, 1972. с. 143–229 2. рахимов н.р., оптоэлектронные датчики на основе афн-эффекта [текст]: монография / н.р. рахимов, о.к. ушаков. – новосибирск: сгга, 2010. – 218 с. 3. приемники оптического излучения на основе полупроводниковых пленок с аномальным …](/media/previews/pages/preview_SqBEGk7.webp "оптико-управляемые микросхемы на основе афн-пленок - Page 5")
About "оптико-управляемые микросхемы на основе афн-пленок"
удк 621.365.2 разработка оптико-управляемых микросхем на их основе тураев б.э1., рахимов н.р2. 1термезский филиал ташкентского государственного технического университета им. ислама каримова 2уфимского государственного нефтяного технического университета аннотация. в данной работе рассмотрена разработка оптико-управляемых микросхем на основе афн-пленок. для этой цели использован пои генераторного типа с тонкослойной афн-пленкой при создании оптико-управляемых микросхем, а также показаны их преимущества и применение в оптоэлектронике. ключевые слова: пленок аномального высокого фотонапряжения (афн), полупроводниковые соединение, оптикоуправляемые микросхемы, оптоэлектронный датчик, моп-транзистор. для получения афн-пленок из соединений cdse, сdte, cdte:cd необходимо использовать метод термич...
This file contains 21 pages in DOC format (203.0 KB). To download "оптико-управляемые микросхемы на основе афн-пленок", click the Telegram button on the left.
DOC
DOCX
DOC
DOCX
DOC
DOCX
DOCX
DOCX
DOC
DOCX
DOC
DOC