laboratoriya ishi - yarim o'tkazgichli diodni volt amper xarakteristikasini olish

PDF 6 стр. 1,0 МБ Бесплатная загрузка

6 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 1,0 МБ

Тип файла PDF

Страницы 6

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 6

7– laboratoriya ishi yarim o’tkazgichli diodni volt amper xarakteristikasini olish kerakli asbob va materiallar. 1. mikroampermetr, 2. milli-ampermetr, 3. voltmetr, 4. selenli to’g’irlagich, 5. reostat. ishning maqsadi: yarim o’tkazgichlar nazariyasi bilan tanishish va n-p o’tishini o’rganish. nazariy muqaddima metallarda erkin elektronlar kontsentratsiyasi juda katta (1022 -1023 sm3) shuning uchun materiallarni elektr tokiga qarshiligi katta emas. dielektrlarda erkin elektron kontsentratsiyasi kam ( n ˂1014 sm3 ), qarshiligi esa katta. elektr qarshiligiga nisbatan yarim o’tkazgichlar metall va dielektriklarni oraliq holatini egallaydi. metallar solishtirma qarshiligi 108 -106 om m, yarim o’tkazgichlarda om m, dielektriklarda esa 108 om m dan katta yarim o’tkazgichlarning solishtirma qarshiligi temperatura, yorug’lik, aralashmalar ta’sirini o’zgarishiga qarab o’zgaradi. metallardan farqli ravishda yarim o’tkazgichlarni qarshiligi temperatura kamayishi bilan sezilarli darajada ortadi, yarim o’tkazgichlardagi bunday o’ziga xoslik ularda erkin elektronlar kontsentratsiyasi temperatura pasayishi bilan kamayishidir. mendeleev jadvalini uchinchi, to’rtinchi, beshinchi, oltinchi gruppa elementlari ko’pgna metall oksidlari, sulfidlari va boshqa birikmalar, yarim o’tkazgichlardir. …

2 / 6

iy o’tkazgichlarda tok tashuvchilarning konsentratsiyasi (elektronlar va teshiklar) moddaning tarkibiga kirgan aralashmaga bog’liq emas, balki kristallni xususiy energetik spektrini xarakteriga bog’liq. shu bilan birga, bir qator moddalarda tok tashuvchilar konsentratsiyasi ularni tarkibiga kirgan aralashmalar bilan aniqlanadi. bunday yarim o’tkazgichlarga aralashmali yarim o’tkazgichlar deyiladi. moddaga kiritilgan 10% aralashma qarshiligi 103 -106 marta kamaytiradi va erkin elektronlar yoki teshiklar konsentratsiyasini oshiradi. kremniy va germaniy (iv gruppa elementlari) yarim o’tkazgichlar juda yaxshi o’rganilgan va keng ko’lamda qo’llaniladi. ularga v gruppa (fosfor, mishyak) elementlari qo’shish (alohida texnologik usulda bajariladi) erkin elektronlar konsentratsiyasini keskin oshirib yuboradi (donor aralashma). bunday aralashmali yarim o’tkazgichlarga n- tipdagi yarim o’tkazgizlar deyiladi (asosiy tok tashuvchilar –erkin elektronlardir). kremniy yoki germaniyga iii gruppa elementlarini qo’shish (masalan bor v) qo’shimcha teshiklar hosil bo’lishiga olib keladi (aktseptor aralashma). bunday aralashmali yarim o’tkazgichlar p o’tkazuvchanlikka ega bo’ladi. asosiy tok tashuvchilar – teshiklar n – o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan yarim o’tkazgich va p- o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan …

3 / 6

tsiyasini turlichaligi bu o’rinda sezilarli farqni hosil qiladi. metallarda erkin elektronlar konsentratsiyasi shunchalik yuqorigi elektronlarni bir metall sirtidan ikkinchi metall sirtiga o’tishi hisobiga kontakt potentsiallar farqi hosil bo’ladi. n p shuning uchun, metallarda ikkinlangan elektr qatlamini qalinligi 10-8 sm (yoki atom o’lchami tarkibida), ikki metal kontakti biror qarshilik vujudga kelmaydi, potentsial ber metalldan sakrab o’zgaradi (7.2-rasm, a) ularda kontakt potentsiallar farqi elektronlarni (teshiklarni) bir turdagi yarim o’tkazgichdan boshqa turdagi yarim o’tkazgichga o’tish natijasida vujudga keladi. yarim o’tkazgichlarda n-p – o’tish qalinligi d bir nechta atom o’lchamiga teng bo’ladi (2-rasm, b). ushbu ikkilangan elektr qatlami bo’yicha potentsial tekis o’zgaradi, ikkilangan elektr qatlam ma’lum qarshilikka ega bo’ladi va uni o’lchami atom o’lchamlaridan bir necha bora katta bo’ladi. ( d =10-5 sm va kattaroq) n-p – o’tish egallab turgan sohada asosiy tok tashuvchilar yetarli darajada kam shuning uchun ushbu soha qarshiligi yetarlicha kattadir. bu soha to’siq qatlami deb yuritiladi 7.2-rasm, b da elektr …

4 / 6

o’tkazgichlar chegarasiga qarab harakatlanadi. n-p – o’tish kengligi qisqaradi, uning qarshiligi kamayadi, tok qiymati esa teskari yo’nalishdagi tok qiymatiga nisbatan sezilarli ortadi. o’tayotgan tokni quyidagi kuchlanishga bog’liqlik egri chizig’i n-p – o’tishni voltamper xarakteristikasi deyiladi (7.4-rasm). . 7.4-rasm. yarim o’tkazgichli diodning voltamper xarakteristikasi shu holat e’tiborliki, n-p – o’tishli yarim o’tkazgich ma’lum teskari kuchlanishgacha bardosh beradi, so’ngra dielektriklardagi kabi teshilish yuz beradi. germaniy va kremniy asosidagi n-p – o’tishli yarim o’tkazgich elementlari radiotexnikada va elektrotexnikada keng qo’llanilmoqda. ushbu ishdan maqsad selenli to’g’irlagichning xususiyatlarini o’rganish. yarim o’tkazgichli diodni voltamper xarakteristikasini o’lchash. ishni bajarish tartibi 1. 7.5-rasm asosida sxema yig’ilsin. 7.5-rasm. qurilma sxemasi. 2. ish boshlanishidan oldin potentsiometr surilgichini olinadigan kuchlanish nolga teng bo’ladigan holatga qo’yish kerak. 3. qayta ulagich “k” tokni to’g’ri yo’naltiriladigan holatga o’tkazilsin (+belgi). 4. potentsiometr r ni surilgichini asta – sekin siljitib – 1v, 2v, 3v, 4v, 5v kuchlanishlar o’rnatilsin. i 5. olingan milliampermetr ko’rsatishlari (i+) va voltmetr …

5 / 6

i o’tkazuvchanlik nima? 4. teshikli o’tkazuvchanlikni tushuntiring. 5. voltamper xarakteristikasini grafigi chizilsin. 6. donor va aktseptor aralashmalari ta’sirini tushuntiring. 7. n-p – o’tish qanday xususiyatga ega. mashg`ulotda pedagogik texnologiya usullarini qo`llash b. b. b. metodiga asoslangan tarqatma material 7.2-jadval тushuncha bilaman bildim bilmayman 1 bitta yarim davrli to’g’irlagichni elektr sxemasini tushuntiring. 2 diod tuzilishini tushuntiring. 3 xususiy va aralashmali o’tkazuvchanlik nima? 4 teshikli o’tkazuvchanlikni tushuntiring. “aqliy hujum” metodi 7.3-jadval № nazariy savollar 1 yarim o’tkazgichli diod to’g’risida tushuncha 2 donor va akseptor aralashmalar ta’siri to’g’risida. 3 тeshikli o’tkazuvchanlik . 4 yarim o’tkazgichli diod to’g’risida tushuncha

Хотите читать дальше?

Скачайте все 6 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "laboratoriya ishi - yarim o'tkazgichli diodni volt amper xarakteristikasini olish"

7– laboratoriya ishi yarim o’tkazgichli diodni volt amper xarakteristikasini olish kerakli asbob va materiallar. 1. mikroampermetr, 2. milli-ampermetr, 3. voltmetr, 4. selenli to’g’irlagich, 5. reostat. ishning maqsadi: yarim o’tkazgichlar nazariyasi bilan tanishish va n-p o’tishini o’rganish. nazariy muqaddima metallarda erkin elektronlar kontsentratsiyasi juda katta (1022 -1023 sm3) shuning uchun materiallarni elektr tokiga qarshiligi katta emas. dielektrlarda erkin elektron kontsentratsiyasi kam ( n ˂1014 sm3 ), qarshiligi esa katta. elektr qarshiligiga nisbatan yarim o’tkazgichlar metall va dielektriklarni oraliq holatini egallaydi. metallar solishtirma qarshiligi 108 -106 om m, yarim o’tkazgichlarda om m, dielektriklarda esa 108 om m dan katta yarim o’tkazgichlarning solishtirma qarsh...

Этот файл содержит 6 стр. в формате PDF (1,0 МБ). Чтобы скачать "laboratoriya ishi - yarim o'tkazgichli diodni volt amper xarakteristikasini olish", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: laboratoriya ishi - yarim o'tka… PDF 6 стр. Бесплатная загрузка Telegram

laboratoriya ishi - yarim o'tkazgichli diodni volt amper xarakteristikasini olish

Предварительный просмотр (5 стр.)

Хотите читать дальше?

О "laboratoriya ishi - yarim o'tkazgichli diodni volt amper xarakteristikasini olish"

Похожие файлы