mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi

DOCX 19 стр. 1,1 МБ Бесплатная загрузка

19 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 1,1 МБ

Тип файла DOCX

Страницы 19

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 19

mavzu: mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi. reja: 1. maydoniy transistorlar 2. maydoniy tranzistorni statik xarakteristikalari va asosiy parametrlari. 3. kanali induksiyalangan mdya – tranzistor 4. maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar 5. xulosa maydoniy transistor. maydoniy tranzistor (mt) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o’tkazuvchi kanaldagi elektr o’tkazuvchanligikni o’zgartirish hisobiga elektr maydon o’zgarishi bilan boshqariladigan yarim o’tkazgichli aktiv asbobga aytiladi. maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo’ljallangan. maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo’lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi. maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o‗tkazuvchanligiga ko‗ra ikki turi mavjud: p–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o‗tkazgichli (mdya) tuzilishga ega bo‗lgan zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. ular mdya- tranzistorlar deb ham ataladilar. p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 27 – rasmda n– kanalli …

2 / 19

n qutblanishda zatvor va istok oralig‗iga tashqi kuchlanish berilsa uzi p–n o‗tish teskari yo‗nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi bo‗ylab kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi. kanal qarshiligi ortadi, lekin chiqish toki is = 0 bo‗ladi, chunki usi=0 (28 a - rasm). agar istok va stok oralig‗iga kuchlanish manbai ulansa, u holda kanal bo‗ylab istokdan stok tomonga elektronlar dreyfi boshlanadi, ya‘ni kanal orqali stok toki is oqib o‗ta boshlaydi. kuchlanish manbai usi ning ulanishi p–n o‗tish kengligiga ham ta‘sir ko‗rsatadi, chunki o‗tish kuchlanishi kanal uzunligi bo‗ylab turlicha bo‗ladi. kanal potensiali uning uzunligi bo‗ylab o‗zgaradi: istok potensiali nolga teng bo‗lib, stok tomonga ortib boradi, stok potensiali esa usi ga teng bo‗ladi. p–n o‗tishdagi teskari kuchlanish istok yaqinida u зи ga, stok yaqinida esa teng bo‗ladi. natijada o‗tish kengligi stok tomonda kattaroq bo‗lib, kanal kesimi stok tomoga kamayib boradi (28. b -rasm). a) b) 28 –rasm. 3.1. maydoniy tranzistorni …

3 / 19

onst qiymatlaridagi is =f (usi) bog‗liqlik. usi ortishi bilan is deyarli to‗g‗ri chiziqli o‗zgaradi (tekis o‗zgarish rejimi) va usi= usi.to‘y. qiymatiga yetganda (b nuqta) is ortishi to‗xtaydi. a) b) 29 – rasm. mt asosiy parametrlari. maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo‗lib xarakteristika tikligi hisoblanadi. bu yerda smax – uzi=0 bo‗lgandagi maksimal tiklik. (3.12) (3.13) ifodalardan ko‗rinib turibdiki, uzi ortishi bilan stok toki va maydoniy tranzistor xarakteristika tikligi kamayadi. statik xarakteristikalardan maydoniy tranzistorning boshqa parametrlarini ham aniqlash mumkin. tranzistorning differensial (ichki) qarshiligi istok va stok oralig‗idagi kanal qarshiligini ifodalaydi. bu koeffisient stokdagi kuchlanish stok tokiga zatvordagi kuchlanishga nisbatan qanchalik ta‘sir ko‗rsatishini ifodalaydi. ―manfiy‖ ishora kuchlanish o‗zgarishi yo‗nalishlarining qarama-qarshiligini bildiradi. har doim ham bu koeffisientni xarakteristikadan aniqlab bo‗lmaganligi sababli, bu kattalikni quyidagicha hisoblash mumkin: 3.2. kanali induksiyalangan mdya – tranzistor p – n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda mdya–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‗tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida …

4 / 19

hlarga ega: istokdan – i, stokdan – s, zatvordan – z va asos deb ataluvchi – a kristalldan. stok va istoklarning p+ - sohalari n – turdagi yarim o‗tkazgich bilan ikkita p–n o‗tish hosil qilganligi sababli, usi kuchlanishining biror qutblanishida bu o‗tishlardan biri teskari yo‗nalishda ulanadi va stok toki is deyarli nolga teng bo‗ladi. a) b) 30– rasm. tranzistorda tok o‗tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutbdagi kuchlanish beriladi. zatvor elektr maydoni sio2 dielektrik qatlami orqali yarim o‗tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‗lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) ni o‗ziga tortadi. natijada yuqori qatlam elektronlari kambag‗allashib, kovaklar bilan esa boyib boradi. zatvor kuchlanishi bo‗sag‗aviy deb ataluvchi ma‘lum qiymati u0 ga yetganda, yuqori qatlamda elektr o‗tkazuvchanlik kovak o‗tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog‗lovchi p-turdagi kanal shakllanadi. bu vaqtda stok toki is ortadi. 31 – rasmda p – …

5 / 19

lektronlar itarib chiqariladilar. kanal elektronlar bilan kambag‗allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo‗lsa, bu tok shuncha kichik bo‗ladi. tranzistorning bunday rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi. boyish rejimida stok xarakteristikalari uzi = 0 da olingan boshlang‗ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag‗allashish rejimida esa – pastda joylashadi (34 b- rasm). a) b) 33 – rasm. s, ri va  statik differensial parametrlar xuddi p–n –o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (3.14), (3.15) va (3.16) ifodalardan mos ravishda aniqlanadi. xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‗ladi. kirish qarshiligi va elektrodlararo sig‗imlarga kelsak, mdya – tranzistorlar p-n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‗rsatkichlarga ega. rzi kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‗lib 1012-1015 om ni tashkil etadi. elektrodlararo sig‗imlar qiymati szi, ssi lar uchun -10 pf dan, szs uchun -2 pf dan ortmaydi. bu ko‗rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar. 3.4. keng …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 19 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi"

mavzu: mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi. reja: 1. maydoniy transistorlar 2. maydoniy tranzistorni statik xarakteristikalari va asosiy parametrlari. 3. kanali induksiyalangan mdya – tranzistor 4. maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar 5. xulosa maydoniy transistor. maydoniy tranzistor (mt) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o’tkazuvchi kanaldagi elektr o’tkazuvchanligikni o’zgartirish hisobiga elektr maydon o’zgarishi bilan boshqariladigan yarim o’tkazgichli aktiv asbobga aytiladi. maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo’ljallangan. maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo’lishida faqat bir turdagi zaryad ...

Этот файл содержит 19 стр. в формате DOCX (1,1 МБ). Чтобы скачать "mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: mdya-tranzistorlarning volt-amp… DOCX 19 стр. Бесплатная загрузка Telegram