bipolyar tranzistor xarakteristikalarini o‘lchash va asosiy parametrlarini hisoblash

DOCX 21 стр. 2,8 МБ Бесплатная загрузка

21 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 2,8 МБ

Тип файла DOCX

Страницы 21

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 21

mavzu: bipolyar tranzistor xarakteristikalarini o‘lchash va asosiy parametrlarini hisoblash reja: kirish. 1-qism. nazariy qism 1. tranzistorlar va uning vazifasi haqida. 2. bipolyar tranzistorlar, ularning ishlash prinsipi, ulanish sxemalari, xarakteristikalari, asosiy parametrlari. 3. bc548c tranzistori 4. bipolyar tranzistor qo‘llanilishi. 2-qism. bipolyar tranzistor xarakteristikalarini o‘lchash va asosiy parametrlarini hisoblash 1. bc548c bipolyar tranzistori kirish va chiqish xarakteristikalarini o‘lchash. 2. bc548c bipolyar tranzistori asosiy parametrlarini hisoblash. umumiy xulosa foydalanilgan adabiyotlar 1-qism. nazariy qism. bipolyar tranzistor deb o‗zaro ta‘sirlashuvchi ikkita p-n o‗tish va uchta elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega bo‗lgan yarim o‗tkazgich asbobga aytiladi. tranzistordan tok oqib o‗tishi ikki turdagi zaryad tashuvchilar - elektron va kovaklarning harakatiga asoslangan. bipolyar tranzistor p-n-r va n-p-n o‗tkazuvchanlikka ega bo‗lgan uchta yarim o‗tkazgichdan tashkil topgan (4.1 a va b-rasm). endilikda keng tarqalgan n- p-n tuzilmali bipolyar tranzistorni ko‗rib chiqamiz. tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+ - soha) emitter deb ataladi va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o‗rta sohaga …

2 / 21

teskari ulangan deb ataladi. tranzistor raqamli sxemalarda qo‗llanilganda u to„yinish rejimida (ikkala o‗tish ham to‗g‗ri yo‗nalishda siljigan), yoki berk rejimda (ikkala o‗tish teskari siljigan) ishlashi mumkin. bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy qilib ulanadi, shu sababli quyidagi ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (ub) (4.3 a-rasm); umumiy emitter (ue) (4.3 b-rasm); umumiy kollektor (uk) (4.3 v- rasm). bu vaqtda umumiy chiqish potentsiali nolga teng deb olinadi. kuchlanish manbai qutblari va tranzistor toklarining yo‗nalishi tranzistorning aktiv rejimiga mos keladi. ub ulanish sxemasi qator kamchiliklarga ega bo‗lib, juda kam ishlatiladi. a) b) v) 4.3 – rasm. bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi. ub ulanish sxemasida aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar tranzistorni o‗zgarmas tokda ishlashini qo‗rib chiqamiz (4.3 a-rasm). bipolyar tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo‗lib baza sohasining yetarlicha kichik kengligi w hisoblanadi; bu vaqtda w l sharti albatta bajarilishi kerak (l-bazadagi asosiy …

3 / 21

ning injektsiya toklari. emitter tokining ier tashkil etuvchisi kollektor orqali oqib o‗tmaydi va zararli hisoblanadi (tranzistorning qo‗shimcha qizishiga olib keladi). ier ni kamaytirish maqsadida bazadagi aktseptor kiritma kontsentratsiyasi emitterdagi donor kiritma kontsentratsiyasiga nisbatan ikki darajaga kamaytiriladi. emitter tokidagi ien qismini injektsiya koeffitsienti aniqlaydi.   i эn iэ , (4.2) bu kattalik emitter ishi samaradorligini xarakterlaydi (  =0,990-0,995). injektsiyalangan elektronlar kollektor o‗tish tomon baza uzunligi bo‗ylab elektronlar zichligining kamayishi hisobiga bazaga diffundlanadilar va kollektor o‗tishga yetgach, kollektorga ekstraktsiyalanadilar (kollektor o‗tish elektr maydoni hisobiga tortib olinadilar) va ikn kollektor toki hosil bo‗ladi. zichlikning kamayishi kontsentratsiya gradienti deb ataladi. gradient qancha katta bo‗lsa, tok ham shuncha katta bo‗ladi. bu vaqtda bazadan injektsiyalanyotgan elektronlarning bir qismi kovaklar bilan bazaga ekstraktsiyalanishini ham hisobga olish kerak. rekombinatsiya jarayoni bazaning elektr neytrallik shartini tiklash uchun talab qilinadigan kovaklarning kamchiligini yuzaga keltiradi. talab qilinayotgan kovaklar baza zanjiri bo‗ylab kelib tranzistor baza toki ibrek ni yuzaga keltiradi. …

4 / 21

l etuvchidan iborat bo‗ladi ik  ikn  ik 0 agar ikn ni emitterning to‗liq toki bilan aloqasini hisobga olsak, u holda ikn  iэ · ik 0 , (4.4) bu yerda   п - emitter tokining uzatish koeffitsienti. bu kattalik ub ulanish sxemasidagi tranzistorni kuchaytirish xossalarini namoyon etadi. kirxgofning birinchi qonuniga mos ravishda baza toki tranzistorning boshqa toklari bilan quyidagi nisbatda bog‗liq iэ  iб · ik . (4.5) bu ifodani (4.4)ga qo‗yib, baza tokining emitterning to‗liq toki orqali ifodasini olishimiz mumkin: iб  1 iэ  ik 0 . (4.6) koeffitsient  1 ligini hisobga olgan holda, shunday hulosa qilish mumkin: ub ulanish sxemasi tok bo‗yicha kuchayish bermaydi ( ik  iэ ). tok bo‗yicha yaxshi kuchaytirish natijalarini umumiy emitter sxemasida ulangan tranzistorda olish mumkin (4.3 b-rasm). bu sxemada emitter umumiy elektrod, baza toki - kirish toki, kollektor toki esa – chiqish toki hisoblanadi. (4.4) va (4.5) …

5 / 21

i mumkin. ub sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‗lib ukb = const bo‗lgandagi ie= f (ueb) bog‗liqlik, ue sxemasi uchun esa uke = const bo‗lgandagi ib=f(ube) bog‗liqlik hisoblanadi. kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri odatda to‗g‗ri yo‗nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. shu sababli tashqi ko‗rinishiga ko‗ra kirish xarakteristiklari eksponentsial xarakterga ega (4.4- rasm). rasmlardan ko‗rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o‗zgarishi kirish xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. xarakteristikaning siljishi erli effekti (baza kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. buning ma‘nosi shundaki, kollektor o‗tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda baza sohasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi hisobiga sodir bo‗ladi. baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi asosiy bo‗lmagan zaryad tashuvchilar kontsentratsiya gradientining ortishi hisobiga emitter tokining ortishi. a) b) 4.4 – rasm. shu sababli kollektor o‗tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan ub sxemadagi kirish xarakteristika chapga, ue sxemada esa o‗ngga siljiydi. ub sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 21 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar tranzistor xarakteristikalarini o‘lchash va asosiy parametrlarini hisoblash"

mavzu: bipolyar tranzistor xarakteristikalarini o‘lchash va asosiy parametrlarini hisoblash reja: kirish. 1-qism. nazariy qism 1. tranzistorlar va uning vazifasi haqida. 2. bipolyar tranzistorlar, ularning ishlash prinsipi, ulanish sxemalari, xarakteristikalari, asosiy parametrlari. 3. bc548c tranzistori 4. bipolyar tranzistor qo‘llanilishi. 2-qism. bipolyar tranzistor xarakteristikalarini o‘lchash va asosiy parametrlarini hisoblash 1. bc548c bipolyar tranzistori kirish va chiqish xarakteristikalarini o‘lchash. 2. bc548c bipolyar tranzistori asosiy parametrlarini hisoblash. umumiy xulosa foydalanilgan adabiyotlar 1-qism. nazariy qism. bipolyar tranzistor deb o‗zaro ta‘sirlashuvchi ikkita p-n o‗tish va uchta elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega bo‗lgan yarim o‗tkazgich asbobga aytiladi. tranz...

Этот файл содержит 21 стр. в формате DOCX (2,8 МБ). Чтобы скачать "bipolyar tranzistor xarakteristikalarini o‘lchash va asosiy parametrlarini hisoblash", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar tranzistor xarakterist… DOCX 21 стр. Бесплатная загрузка Telegram