zatvori izolyasiya qilingan bipolyar tranzistor

DOCX 33 стр. 1,7 МБ Бесплатная загрузка

33 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 1,7 МБ

Тип файла DOCX

Страницы 33

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 33

mavzu: zatvori izolyasiya qilingan bipolyar tranzistor. zatvori izolyatsiya qilingan bipolyar tranzistor (zibt) yoki inglizcha nomi bilan isolated gate bipolar transistor (igbt) — bu kuchli elektr energiyasini boshqarishda keng qo‘llaniladigan yarim o‘tkazgichli qurilma bo‘lib, bipolyar tranzistor va mosfet’ning afzalliklarini birlashtiradi. quyida zibt (igbt) ga doir 3 ta reja asosida ma'lumotlar keltirilgan: 1. ijbt ning tuzilishi va ishlash prinsipi tuzilishi: zibt — uch qismdan iborat: kollektor, emitter va zatvorka (gate). ichki tuzilmasi mosfet’ning boshqaruv qismiga va bipolyar tranzistorning kuch qismiga o‘xshaydi. u odatda n+ substart, p-layer, n- drift layer va n+ emitterdan tashkil topgan. ishlash prinsipi: zibt gate orqali boshqariladi, lekin oqim bipolyar tranzistordagidek zanjir orqali oqadi. bu unga katta toklarni kichik boshqaruv signali bilan boshqarish imkonini beradi. 2. ijbt ning afzalliklari va kamchiliklari · afzalliklari: yuqori samaradorlik va kam quvvat yo‘qotishlar. yuqori tok va kuchlanishlarni boshqara oladi. gate orqali kuchsiz signal bilan boshqariladi. mosfet’ga qaraganda yuqori kuchlanishli qo‘llanmalarda samaraliroq. · kamchiliklari: …

2 / 33

aradi, lekin boshqaruv signali (gate) mosfet prinsipida, ya'ni kuchlanish orqali amalga oshiriladi. ishlash prinsipi: gate orqali boshqaruv signali berilganda, fet qismi ochiladi va tiristorning triggeri ishga tushadi. tashqi kuchlanish olib tashlangandan keyin tiristor yopilmaguncha tok o‘tishda davom etadi. 2. maydonli tiristorlarning turlari va afzalliklari mos controlled thyristor (mct): bu turdagi tiristor gate orqali mosfet yordamida boshqariladi. field controlled thyristor (fct): elektr maydon orqali boshqariladi, lekin strukturasi biroz farq qiladi. afzalliklari: katta quvvatlarni boshqarish imkoniyati. tez ishlash va yuqori samaradorlik. kuchlanish orqali boshqarilishi tufayli kam quvvatli signallar bilan nazorat qilish oson. 3. qo‘llanilish sohalari sanoat avtomatikasi: motorlarni yumshoq ishga tushirish va to‘xtatish tizimlarida. energiya ta’minoti tizimlari: yuqori kuchlanishli ac/dc konvertorlar, inverorlar. transport: elektr transporti (masalan, poyezdlar) boshqaruv tizimlarida. yuqori chastotali uzatkichlar va telekommunikatsiya: tez javob beruvchi kuchli kalit sifatida. mavzu: integral mikrosxemada elementlarni tayyorlash. integral mikrosxemalar va ularning asosiy tarkibiy qismlari integral mikrosxema (imx) — bu bitta yarimo‘tkazgichli plastinkada (odatda kremniyda) …

3 / 33

ali maskalar qo‘llanadi. metallizatsiya – elektr aloqalarini hosil qilish uchun metall qatlamlar yotqiziladi (odatda alyuminiy yoki mis). test va kesish – tayyor chiplar test qilinadi va alohida qismlarga ajratiladi. 3. integral mikrosxemalarni tayyorlashda qo‘llaniladigan zamonaviy texnologiyalar cmos (complementary metal-oxide-semiconductor) – energiyani kam iste’mol qiladigan texnologiya bo‘lib, ko‘p yadroli chiplar yaratishda keng qo‘llaniladi. nanotexnologiyalar – 7 nm va undan kichik texnologik jarayonlar yordamida juda zich chiplar ishlab chiqariladi. fotolitografiyada euv (extreme ultraviolet) – eng yangi texnika bo‘lib, yuqori aniqlikda elementlar yaratish imkonini beradi. soc (system on chip) – bitta chipda butun tizimni mujassamlashtirish, masalan, mobil telefon protsessori. ishlab chiqarishdagi asosiy muammolar va ularning yechimlari chang zarralari ta’siri – 1 mikron o‘lchamdagi zarralar ham xatolarga sabab bo‘lishi mumkin, shuning uchun toza xona texnologiyasi qo‘llaniladi. miniatyuralash muammolari – elementlar o‘lchami kichraygan sari issiqlik va kuchlanish boshqaruvi muhim bo‘ladi. energiya samaradorligi – past quvvatda ishlaydigan dizaynlar va mos keluvchi materiallar tanlanadi. mavzu: maydonli tranzistorda …

4 / 33

rish vazifasini bajaradi, bu kuchaytirish jarayoni asosan drenaj va manba elektrodlari o‘rtasidagi tok orqali amalga oshadi. bu kuchaytirgichlar ayniqsa yuqori kirish qarshiligi talab qilinadigan joylarda qo‘llaniladi, masalan, sensorlardan olingan juda kichik kuchlanishli signallarni kuchaytirishda. maydonli tranzistorning shlyuzi orqali beriladigan kuchlanish drenaj-manba zanjiridagi tokni boshqaradi, va shu tarzda signal kuchayadi. bu jarayonda tranzistor hech qanday mexanik harakat qilmaydi, bu esa yuqori tezlik va barqarorlikni ta’minlaydi. kuchaytirgichlar ko‘p turli sxemalarda ishlatiladi. ularning eng oddiy ko‘rinishida bir dona fet tranzistor, bir nechta rezistor va kondensatorlar bo‘ladi. kirish signali shlyuzga beriladi, chiqish esa drenajdan olinadi. natijada, kuchlanish kuchayadi va signal ancha kuchli holga keladi. fet kuchaytirgichlar audio apparaturalarda, radioqabul qilgichlarda, televizorlarda, tibbiy asboblarda va sanoat o‘lchov tizimlarida keng ishlatiladi. ular past shovqin darajasi va yuqori aniqlik tufayli ayniqsa sezgir o‘lchovlar uchun juda foydalidir. bundan tashqari, mosfetlar yuqori chastotali qurilmalarda juda samarali ishlaydi. maydonli tranzistorli kuchaytirgichlar har doim ham kuchlanishni sezilarli darajada oshirish uchun ishlatiladi. …

5 / 33

i bir bosqichda erishib bo‘lmaydigan darajada kuchaytirish mumkin bo‘ladi. bu kuchaytirgichlarda tranzistorlar asosiy element hisoblanadi. tranzistorlarning vazifasi signalni faqat uzatish emas, balki uni kuchaytirishdir. tranzistorlar ishlayotganda, ular kirishdagi juda kichik tok yoki kuchlanish o‘zgarishini chiqishdagi katta tok yoki kuchlanishga aylantiradi. har bir bosqichda bu jarayon takrorlanadi. ko‘pincha, har bir kaskad ma’lum bir vazifani bajaradi. masalan, birinchi bosqich signallarni shovqin ostidan ajratib olish uchun mo‘ljallangan bo‘ladi (bu ayniqsa radio signallarni qabul qilishda muhim). o‘rta bosqich signalni barqaror darajada kuchaytiradi, chiqish bosqichi esa signalni yuklama qurilmaga (masalan, dinamik yoki antenna) berish uchun yetarli quvvatga olib keladi. kaskadli kuchaytirgichlarni loyihalashda muhim masalalardan biri bu bosqichlar orasidagi muvofiqlikdir. agar bir bosqichning chiqish qarshiligi keyingi bosqichning kirish qarshiligiga to‘g‘ri kelmasa, signal yo‘qotilishi yoki deformatsiyalanishi mumkin. shuning uchun qarshiliklarni moslashtirish muhim texnologik masala hisoblanadi. shuningdek, kuchaytirgich kaskadlari ishlayotganda o‘zlarining ichki shovqinini ham kuchaytiradi. har bir tranzistor va passiv elementlar (kondensator, rezistor va hokazo) o‘zining shovqinini kiritadi. …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 33 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "zatvori izolyasiya qilingan bipolyar tranzistor"

mavzu: zatvori izolyasiya qilingan bipolyar tranzistor. zatvori izolyatsiya qilingan bipolyar tranzistor (zibt) yoki inglizcha nomi bilan isolated gate bipolar transistor (igbt) — bu kuchli elektr energiyasini boshqarishda keng qo‘llaniladigan yarim o‘tkazgichli qurilma bo‘lib, bipolyar tranzistor va mosfet’ning afzalliklarini birlashtiradi. quyida zibt (igbt) ga doir 3 ta reja asosida ma'lumotlar keltirilgan: 1. ijbt ning tuzilishi va ishlash prinsipi tuzilishi: zibt — uch qismdan iborat: kollektor, emitter va zatvorka (gate). ichki tuzilmasi mosfet’ning boshqaruv qismiga va bipolyar tranzistorning kuch qismiga o‘xshaydi. u odatda n+ substart, p-layer, n- drift layer va n+ emitterdan tashkil topgan. ishlash prinsipi: zibt gate orqali boshqariladi, lekin oqim bipolyar tranzistordagidek zan...

Этот файл содержит 33 стр. в формате DOCX (1,7 МБ). Чтобы скачать "zatvori izolyasiya qilingan bipolyar tranzistor", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: zatvori izolyasiya qilingan bip… DOCX 33 стр. Бесплатная загрузка Telegram