интеграл микросхемалар

DOC 227,0 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1584171578.doc интеграл микросхемалар режа: 1.имсларни турлари ва элементлари 2.мдя-транзистори асосидаги имс тайёрлов операциялари. яримўтказгич имслар тайёрлаш учун асосий материал бўлган - кремний монокристал қуймалари олишдан бошланади. монокристал қуймалар ҳосил қилишнинг бир қанча усуллари мавжуд. чохральский усулида таркибига донор ёки акцептор киритмалар қўшилган ўта тоза кремний эритмаси юзига кремний монокристали туширилади. эритма эритган монокристал ўз ўқи атрофида аста – секин айлантирилиб кўтарилади. монокристал кўтарилиши билан эритма кристалланади ва кремний монокристали ҳосил бўлади. ҳосил бўлган кремний қуймаси n– ёки р–турли электр ўтказувчанликка эга бўлади. қуйма узунлиги 150 см, диаметри эса 150 мм ва ундан катта бўлиши мумкин. зонали эритиш усулида монокристал ифлослантирувчи киритмалардан қўшимча тозаланади. бунда кристаллнинг тор зонаси эритилиб, эритилган зона кристаллнинг бир учидан иккинчи учига аста силжитиб борилади. киритмаларнинг эриган фазада эрувчанлиги қаттиқ ҳолатдаги эрувчанлигига қараганда катта бўлса, ўша киритмалар суюқ фазага ўтиб кристаллнинг иккинчи учига силжиб боради, ва ўша ерда тўпланади. киритмалар тўпланган соҳа тозалаш жараёнлари тугагандан сўнг кесиб …

да sio2 қатлам бир неча муҳим функцияларни бажаради: сиртни ҳимояловчи қатлам; ниқоб вазифасини бажариб, ундаги тирқишдан зарур киритмалар киритилади; мдя – транзисторларда затвор остидаги юпқа диэлектрик қатлам сифатида ишлайди. легирлаш. яримўтказгич ҳажмига киритмаларни киритиш жараёни легирлаш деб аталади. имслар тайёрлашда легирлаш схеманинг актив ва пассив элементларини ҳосил қилиш учун, зарур ўтказувчанликни таъминлаш учун керак. легирлашнинг асосий усуллари юқори темератураларда киритмалар атомларини диффузиялаш ва юқори энергияли ионлар билан бомбардимон қилиш (ионларни кристалл панжарага киритиш) дан иборат. диффузия ёрдамида легирлаш бутун кристалл юзаси бўйлаб ёки ниқобдаги тирқишлар орқали маълум соҳаларда (локал) амалга оширилади. ион легирлаш етарли энергиягача тезлатилган киритма ионларини ниқобдаги тирқишлар орқали кристалга киритиш билан амалга оширилади. ион легирлаш универсаллиги ва осон амалга оширилиши билан характерланади. ионлар токини ўзгартириб легирловчи киритмалар концентрациясини, энергиясини ўзгартириб эса – легирлаш чуқурлигини бошқариш мумкин. емириш. яримўтказгич, унинг сиртидаги оксидлар ва бошқа бирикмаларни кимёвий моддалар ҳамда уларнинг аралашмалари ёрдамида эритиб тозалаш жараёнига емириш дейилади. емириш яримўтказгич …

ълум шаклдаги локал соҳаларни ҳосил қилиш жараёни фотолитография деб аталади. ушбу соҳалар кимёвий емиришдан ҳимояланган бўлиши шарт. фотолитография жараёнида ультрабинафша нур таъсирида ўз хусусиятларини ўзгартирувчи, фоторезист деб аталувчи, махсус моддалар ишлатилади. фоторезист оксидланган кремний пластинаси сиртига суртилади ва кварц шиша ниқоб орқали ёритилади. ниқоблар шаффоф ва шаффоф эмас соҳаларга эга бўлгани учун фоторезистнинг маълум соҳаларига ёруғлик (ультрабинафша нур) таъсир этиб, унинг хусусияти ўзгартирилади. бундай ниқоблар фотошаблонлар деб аталади. фоторезист турига боғлиқ ҳолда унинг эрувчанлиги ортиши (позитив фоторезист) ёки камайиши (негатив фоторезист) мумкин. позитив фоторезист қатлам ёруғлик нури таъсирида нобарқарор ҳолатга ўтади ва эритувчи таъсирида эрийдиган, негатив фоторезист эса – аксинча, ёруғлик таъсирида эримайдиган бўлиб қолади, унинг ёруғлик таъсиридан ҳимояланган соҳалари эрийди. шундай қилиб, фоторезист қатламдан фотошаблондаги шаклни такрорловчи ҳимояловчи ниқоб ҳосил қилинади. фоторезист қатламда ҳосил қилинган “дарча”лар орқали оксидланган яримўтказгичнинг ҳимояланмаган соҳаларига кимёвий ишлов берилади (емирилади). имс тайёрлашда фотолитография жараёнидан бир неча марта (5÷7 марта) фойдаланилади (негиз қатламлар, эмиттерлар, омик …

, контакт юзачалар, пасив ва актив элементлар электродлари) ҳосил қилиш жараёнини кўриб чиқамиз. металлаш учун олтин, никель, кумуш, алюминий ва cr-au, ti-au ва бошқалар ишлатилади. кремний асосидаги имсларда металлашни амалга ошириш учун асосан алюминийдан фойдаланилади. нарҳи қиммат бўлмаган ҳолда, кўрсатиб ўтилган металлар каби, у р – кремний билан омик (тўғриламайдиган) контакт ҳосил қилади, кичик солиштирма қаршиликка эга ва катта токка чидайди. алюминий вакуумда термик буғлатиш усули билан сиртга ўтказилади. n–турли соҳа билан омик контакт ҳосил қилиш учун ундаги донорлар концентрацияси 1020 см-3 атрофида бўлиши керак. бундан юқори концентрацияга эга бўлган соҳа n+ деб белгиланади. металлаш жараёни яримўтказгич пластина ҳажмида схема элементлари ҳосил қилингандан сўнг амалга оширилади. биринчи навбатда пластина сиртида siо2 қатлам ҳосил қилинади. шундан кейин кремний билан контактлар ҳосил қилиниши керак бўлган жойларда, фотолитография усули билан, siо2 парда қатламида “дарча”лар очилади. сўнг вакуумда термик буғлатиш усули билан пластина сиртида қалинлиги 1 мкм атрофида бўлган алюминий қатлам ҳосил қилинади. контакт …

арланади. сўнг кристал сиртидаги контакт юзачалар қобиқ электродларига ингичка (ø 20÷30 мкм) симлар ёрдамида уланади. симлар уланаётганда термокомпрессиядан фойдаланилади, яъни уланаётган сим билан контакт юзачаси ёки микросхема электроди 200÷300 0с температурада ва юқори босимда бир – бирига босиб бириктирилади. монтаж операциялари тугагандан сўнг кристалл юзаси атроф муҳит атмосфераси таъсиридан ҳимоялаш учун қобиқланади. одиий интеграл схемаларда чиқиш электродлари сони 8-14 та, кисларда эса 64 тагача ва ундан кўпроқ бўлиши мумкин. ислар қобиқлари металл ёки пластмассадан тайёрланади. исларнинг қобиқсиз турлари ҳам мавжуд. интеграл микросхема (имс) кўп сонли транзистор, диод, конденсатор, резистор ва уларни бир – бирига уловчи ўтказгичларни ягона конструкцияга бирлаштиришни (конструктив интеграция); схемада мураккаб ахборот ўзгартиришлар бажарилишини (схемотехник интеграция); ягона технологик циклда, бир вақтнинг ўзида схеманинг электрорадио элементлари (эрэ) ҳосил қилинишини, уланишлар амалга оширилишини ва бир вақтда гуруҳ усули билан кўп сонли бир хил интеграл микросхемалар ҳосил қилиш (технологик интеграция) ни акс эттиради. имс, ягона технологик циклда, ягона асосда тайёрланган ва …

Хотите читать дальше?

Скачайте полный файл бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "интеграл микросхемалар"

1584171578.doc интеграл микросхемалар режа: 1.имсларни турлари ва элементлари 2.мдя-транзистори асосидаги имс тайёрлов операциялари. яримўтказгич имслар тайёрлаш учун асосий материал бўлган - кремний монокристал қуймалари олишдан бошланади. монокристал қуймалар ҳосил қилишнинг бир қанча усуллари мавжуд. чохральский усулида таркибига донор ёки акцептор киритмалар қўшилган ўта тоза кремний эритмаси юзига кремний монокристали туширилади. эритма эритган монокристал ўз ўқи атрофида аста – секин айлантирилиб кўтарилади. монокристал кўтарилиши билан эритма кристалланади ва кремний монокристали ҳосил бўлади. ҳосил бўлган кремний қуймаси n– ёки р–турли электр ўтказувчанликка эга бўлади. қуйма узунлиги 150 см, диаметри эса 150 мм ва ундан катта бўлиши мумкин. зонали эритиш усулида монокристал ифлосл...

Формат DOC, 227,0 КБ. Чтобы скачать "интеграл микросхемалар", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: интеграл микросхемалар DOC Бесплатная загрузка Telegram