qattiq jismlar fizikasi 3

PPTX 28 стр. 1,1 МБ Бесплатная загрузка

28 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 1,1 МБ

Тип файла PPTX

Страницы 28

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 28

43 elektrodinamika k.p.abduraxmanov, v.s.xamidov, m.f.raxmatullaeva 13 – ma’ruza fizika kafedrasi 2019 qattiq jismlar fizikasi 1 ma’ruza rejasi kirishmali yarim o‘tkazgichlar, donor va aktseptor energetik sathlar. kirishmali yarim o‘tkazgichlarda tok tashuvchi zaryadlar konsentratsiyasi. kirishmali yarim o‘tkazgichlarning o‘tkazuvchanligi va uni temperaturaga bog‘liqligi. 2 hattoki etarlicha toza bo'lgan yarim o'tkazgichlarda o'zining xususiy energetik sathlarini hosil qiluvchi kirishma atomlari mavjuddir. bu energetik sathlar, yarim o'tkazgichning taqiqlangan sohasida valent sohasi shipi va o'tkazuvchanlik sohasi tubidan ma'lum masofalarda joylashishi mumkin. ayrim hollarda, yarim o'tkazgichga kerakli elektrofizik xususiyatlarni berish uchun, ataylab, kirishma atomlarini kiritadilar. 3 faraz qilaylik, kremniy kristalida bir qism kremniy atomlari o'rniga besh valentli mishyak atomlari joylashtirilgan bo'lsin. 4 ta qo'shni atomlar bilan kovalent bog'lanishni o'rnatish uchun mishyak atomi 4 ta valent elektronlarini sarflaydi, beshinchi elektron bu bog'lanishlarni o'rnatishda qatnashmaydi. mishyak atomi, dielektrik singdiruvchanligi  = 12 bo'lgan kremniy kristall panjarasi muhitida bo'lgani uchun, 5–elektron mish'yak atomi yadrosi bilan 12 marta susaygan bog'lanishda bo'ladi. maydon …

2 / 28

k sohasida elektronlarni hosil qiluvchi kirishmalar donorlar deb ataladi, ularning energetik sathlari donor sathlar deb ataladi. donor kirishmalarga ega bo'lgan yarim o'tkazgichlar, elektron yarim o'tkazgichlar yoki n – tipdagi yarim o'tkazgichlar deb ataladi. 5 yana faraz qilaylik, kremniy kristall panjarasidagi bir qism kremniy atomlari o'rnini 3 valentli bor (v) atomlari egallagan bo'lsin. 4 ta qo'shni atomlar bilan kovalent bog'lanishni hosil qilish uchun bor atomiga bitta elektron etishmaydi. bu etishmaydigan elektronni qo'shni kremniy atomlaridan olishi mumkin. bu holda ham qo'shimcha elektronni olish uchun taxminan ea 0,01 ev energiya zarur bo'ladi. 6 to'ldirilmagan bog'lanish kovakni eslatadi va kremniyning valent sohasida bo'sh vakant holatni hosil qiladi. valent sohasi shipining yaqinida ea 0,01 ev masofada bor atomining elektronlar egallamagan energetik sathi joylashadi. 7 yarim o'tkazgichning valent sohasidan elektronlarni tortib oluvchi kirishmalar – aktseptorlar, ularning energetik sathlari – aktseptor sathlar deb ataladi. aktseptorlarga ega bo'lgan yarim o'tkazgichlar kovakli yarim o'tkazgichlar yoki r – tipli yarim …

3 / 28

sentratsiyalarining ko'paytmasi o'zgarmas kattalik hisoblanadi. 11 n- tipli yarim o'tkazgich uchun fermi sathi: r – tipli yarim o'tkazgich uchun fermi sathi: nd i na - donor va aktseptor kirishma atomlari kontsentratsiyalari. ed i ea - donor va aktseptor sathlari energiyalari 12 temperatura ko'tarilishi bilan o'tkazuvchanlik sohasidagi elektronlar kontsentratsiyasi orta boradi, donor sathlaridagi elektronlar kontsentratsiyasi kamayadi, donor sathlari elektronlardan kambag'allashadi. r – tipli yarim o'tkazgichda ham aktseptor sathlar , bo'sh holatlardan kambag'allashadi. kirishma atomlarida elektronlar butunlay tugaganda, n – tipli yarimo'tkazgichning o'tkazuvchanlik sohasida elektronlar kontsentratsiyasi nd – donorlar kontsentratsiyasiga tenglashadi. past temperaturalarda o'tkazuvchanlikni kirishma atomlari xosil qiladi. 13 n - tipli yarim o'tkazgichda elektronlar kontsentratsiyasi quyidagicha aniqlanadi: aktseptorli yarim o'tkazgichda teshiklar kontsentratsiyasi quyidagicha aniqlanadi: mn va mp - elektronlar va teshiklar effektiv massalari. 14 yuqori temperaturalar sohasi temperaturaning bundan keyingi ortishida xususiy zaryad tashuvchilar faol qo'zg'alaboshlaydilar, yarim o'tkazgich xususiy yarim o'tkazgich holatiga yaqinlashaboradi, natijada, fermi sathi xususiy yarim o'tkazgichdagi fermi sathi …

4 / 28

ar, fotoelementlar, quyosh batareyalari; termistorlar; varikaplar (o'zgaruvchan sig'imli kondensatorlar); bipolyar va maydonli tranzistorlar; kompyuterlarning xotiraga olish qurilmalari. 17 yarim o'tkazgichlar – zamonaviy elektronikaning asosidir 18 yarim o'tkazgichli diod (p-n – o'tish) bir taraflama o'tkazuvchanlik xususiyatiga ega: bir yo'nalishda tok o'tkazadi. o'zgaruvchan tokdan doimiy tok olishning sodda chizmalarida ishlatiladi. boshqa yarim o'tkazgich asboblari, mikrosxemalarni yaratishga asos bo'ladi. 19 termistor temperatura o'zgarishida o'zining qarshiligini o'zgartiruvchi yarim o'tkazgich asbobidir. p-n- o'tishsiz hajmiy qarshilikka ega bo'lgan element hisoblanadi. temperaturani nazorat qilish tizimlarida qo'llaniladi. 20 tushayotgan nurlanish jadalligiga bog'liq o'z qarshiligini o'zgartiruvchi yarim o'tkazgich elemntidir. p-n- o'tishsiz hajmiy qarshilikka ega bo'lgan element hisoblanadi. optik nurlanishni qabul qiluvchi va ilg'ovchi asboblarni yaratishda qo'llaniladi. fotorezistor (fotoqarshilik) 21 fotodiod yoritilganlikda o'z qarshiligini o'zgartiradi va o'zidan tok o'tkazaboshlaydi. p-n - o'tishdan iborat. nurlanishni ilg'ovchi va ma'lumotlarni qabul qilish – uzatish tizimlarini yaratishda qo'llaniladi. quyosh batareyalari va modullari fotodiodlardan tashkil topgandir. 22 elektr energiyasini yorug'likka ag'daradi. o'z tarkibidi p-n - …

5 / 28

o'tishdan iborat bo'lgan tuzilma. elektr signallarni kuchaytiradi. fizikaviy darajada mantiqiy operatsiyalarni amalga oshiradi. tranzistor 25 mikrosxema yarim o'tkazgich diodlari, tranzistorlari va qarshiliklar majmuasidan iborat bo'lgan maqsadli funktsiyani bajaradigan tuzilmadir. planar texnologiya asosida yaratiladi. ayrim mikrosxemalar 55 mln tranzistorlardan tashkil topadi. 26 foydalanilgan adabiyotlar savelev i. v. kurs fiziki. m.: nauka 1989 t. 1 savelev i. v. kurs fiziki. m.: nauka 1989 t. 2 savelev i. v. kurs fiziki. m.: nauka 1989 t. 3 trofimova t. i. kurs fiziki. m.: visshaya shkola, 1985 g. abduraxmanov k.p., egamov u. fizika kursi , 2011 y. detlaf a.a., yavorskiy b.m. kurs fiziki. m.: visshaya shkola, 1989 g. epifanov g.i. fizika tverdogo tela. m. visshaya shkola, 1977. ogurtsov n.a. kurs lektsiy po fizike, xarkov,2007. kolmakov yu.n. kurs lektsiy po fizike, tula, 2002. oplachko t.m.,tursunmetov k,a. fizika, tashkent, 2007. 27 ta'lim saytlari va internet resurslari fizika.uz – talabalar va fizika o'qituvchilari uchun sayt. neutrino.ucoz.ru- tatu fizika …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 28 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "qattiq jismlar fizikasi 3"

43 elektrodinamika k.p.abduraxmanov, v.s.xamidov, m.f.raxmatullaeva 13 – ma’ruza fizika kafedrasi 2019 qattiq jismlar fizikasi 1 ma’ruza rejasi kirishmali yarim o‘tkazgichlar, donor va aktseptor energetik sathlar. kirishmali yarim o‘tkazgichlarda tok tashuvchi zaryadlar konsentratsiyasi. kirishmali yarim o‘tkazgichlarning o‘tkazuvchanligi va uni temperaturaga bog‘liqligi. 2 hattoki etarlicha toza bo'lgan yarim o'tkazgichlarda o'zining xususiy energetik sathlarini hosil qiluvchi kirishma atomlari mavjuddir. bu energetik sathlar, yarim o'tkazgichning taqiqlangan sohasida valent sohasi shipi va o'tkazuvchanlik sohasi tubidan ma'lum masofalarda joylashishi mumkin. ayrim hollarda, yarim o'tkazgichga kerakli elektrofizik xususiyatlarni berish uchun, ataylab, kirishma atomlarini kiritadilar. 3 fa...

Этот файл содержит 28 стр. в формате PPTX (1,1 МБ). Чтобы скачать "qattiq jismlar fizikasi 3", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: qattiq jismlar fizikasi 3 PPTX 28 стр. Бесплатная загрузка Telegram