ims larning tayyorlanish texnologiyasi,ularning aktiv va passiv elementlari

PPT 47 стр. 753,0 КБ Бесплатная загрузка

47 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 753,0 КБ

Тип файла PPT

Страницы 47

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 47

powerpoint presentation elektronika va radiotexnika kafedrasi mavzu 2. ims larning tayyorlanish texnologiyasi, ularning aktiv va passiv elementlari reja ims lar. ims ning tavsiflanishi. ims larning aktiv va passiv elementlari. ims larning asosiy parametrlari. yarimo'tkazgichli ims lar. imslar yaratishning texnologik jarayoni. ims integral mikrosxema – yuqori zichlikda joylashtirilgan element va komponentlarning (tranzistor, diod, rezistorlar va h.k.z) konstruktiv va elektron jihatdan ulangan mikroelektron qurilmasi bo'lib, signallarni qayta ishlash (o'girish) uchun mo'ljallangan. ims (angl. chip «yupqa plastinka» ma'nosini ham bildiradi. ims integral mikrosxema (ims) o'ta ixcham, o'ta pishiq, kichik tannarxga ega bo'lgan va kam quvvat iste'mol qiladigan radioelement yasash yo'lidagi urinishlar mahsulidir. ims elementi deb, konstruktsiyasi bo'yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelement (ere) funktsiyasini bajaruvchi imsning qismiga aytiladi. ims komponenti deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo'lgan imsning bo'lagiga aytiladi. ims o'lchamlari imslar 22x22x4 mmli to'g'ri to'rtburchak shakldagi yoki diametri 9,4 mm bo'lgan tsilindr shakldagi metall yoki metall shisha …

2 / 47

a katta, ultra katta va giga katta imslar; qabul qilinayotgan, saqlanayotgan va ishlov berilayotgan signal turiga ko'ra: analog va raqamli imslar; tayyorlanish konstruktiv-texnologik turiga ko'ra: yarimo'tkazgichli, pardali va gibrid imslar; aktiv element turiga ko'ra: bipolyar tranzistorli va mdya-tranzistorli imslar; iste'mol quvvatiga ko'ra: kam quvvatli, o'rta quvvatli, katta quvvatli imslar; ishchi chastotasiga ko'ra: past chastota, o'rta chastota va yuqori chastota imslari; elementlarni bir-biridan izolyatsiyalanish usuliga ko'ra va x.z. imslarning belgilanish tizimi imslar 6ta elementdan iborat bo'lgan belgilanish tizimi yordamida klassifikatsiyalanadi: birinchi element (k – harfi) – ims keng ko'lamda qo'llanilish uchun mo'ljallanganligini bildiradi. eksport uchun mo'ljallanganlari ek harflari bilan belgilanadi. ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (a- plastmassali planar, e-metall-polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan, i-shishakeramikli planar, b-qobiqsiz va x.z.). imslarning belgilanish tizimi uchinchi element (bitta son) – imsning konstruktiv-texnologik turini bildiradi (1,5,6,7-yarimo'tkazgichli, 2,4,8-gibrid, 3-boshqa: pardali, keramik, vakuumli). to'rtinchi element (ikkita yoki uchta son) – ims seriyasining tartib raqamini bildiradi. …

3 / 47

ari katta emas, 10komdan kam bo'lishi kerak. masalan, raqamli is lar analog ims larga qaraganda kam rezistorlarga ega. mt lardagi raqamli ims lar deyarli rezistorga ega emaslar, ularning vazifalarini vax tik sohasida ishlovchi qo'shimcha tranzistorlar bajaradi. rezistorlar bilan bir qatorda gibrid is da passiv elementlar sifatida plenkali kondensatorlar qo'llaniladi. bunda passiv elementlar ims larning sxematexnik va ekspluatatsion xarakteristikalarini belgilaydi. past chastotali ims diskret miniatyur kondensatorlar va katushkalar qo'llaniladi, analogli yuqori chastotali ims larda plenkalilar (sig'imi 100pf dan kam) qo'llaniladi. plenkali kondensatorlar yupqa va qalin plenkali bo'lad va ims lar maydonining ko'p qismini egallaydi. shu sababli yarimo'tkazgichli ims larda kondensatorlarning o'rnini teskari siljitilgan p–n o'tishlar va metall-dielektrik-yarimo'tkazgichlar (mdya-kondensatorlar). bajaradi. is ning aktiv va passiv elementlari manba kuchlanishi; mantiqiy 1 va 0 ga mos keluvchi kuchlanish sathlari; xalaqitbardoshlik (eng kichik qiymati keltiriladi); iste'mol quvvati (iste'mol toki); yuklama imkoniyatlari (mantiqiy 1 va 0 sathlari uchun kirish va chiqish toklar qiymatlari); tezkorlik (signalni tarqalishini …

4 / 47

egaralarida p–n o'tishlar hosil bo'ladi. ayrim qatlamlar rezistorlar sifatida, p–n o'tishlar-diodli va tranzistorli tuzilmalarda qo'llaniladi. imslar yaratishning texnologik jarayoni imslar yaratishning texnologik jarayoni legirlash lokal tarzda maxsus teshikli maskalar yordamida amalga oshiriladi, ular yordamida esa kiritma atomlari plastinaning kerakli sohalariga kiritiladi. maska rolini odatda sio2 kremniy dioksidi bajaradi, kremniyli plastinaning yopiluvchi sirti. ushbu plenkada xar xil uslublarda kerakli shakldagi derazalar hosil bo'ladi. bipolyar is ning asosiy elementi bo'lib n–p–n-tranzistor (bipolyarniy tranzistor) xizmat qiladi va uning tayyorlanishiga butun texnologik tsikl yo'naltiriladi. boshqa elementlar, imkon qadar qo'shimcha texnologik operatsiyalarsiz ushbu tranzistordan yaratiladi. imslar yaratishning texnologik jarayoni mdya (moya) is asosiy elementi bo'lib mdya (moya) tranzistori xizmat qiladi. bipolyar is elementlarini ular kristal orqali aloqa qilmasliklari uchun bir biridan izolyatsiya qilish kerak bo'ladi. mdya (moya) elementlari bir biridan izolyatsiya qilishni talab etmaydi. bu uning bipolyar is ga qaraganda uning afzalligi hisoblanadi. oxirgi vaqtda podlojka (taglik) materiali sifatida arsenid-galliy keng tarqaldi. ushbu asosdagi yarimo'tkazgichli …

5 / 47

il bo'lgan kremniy quymasi n– yoki r–turli elektr o'tkazuvchanlikka ega bo'ladi. quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo'lishi mumkin. zonali eritish usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo'shimcha tozalanadi. yarimo'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar epitaksiya. epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo'lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi. termik oksidlash. termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (sio2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun'iy yo'l bilan oksidlashdan iborat jarayon. u yuqori (1000÷1200) 0s temperaturalarda kechadi. yarimo'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar fotolitografiya - yarimo'tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma'lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni. ushbu sohalar kimyoviy emirishdan himoyalangan bo'lishi shart. fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur ta'sirida o'z xususiyatlarini o'zgartiruvchi, fotorezist deb ataluvchi, maxsus …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 47 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "ims larning tayyorlanish texnologiyasi,ularning aktiv va passiv elementlari"

powerpoint presentation elektronika va radiotexnika kafedrasi mavzu 2. ims larning tayyorlanish texnologiyasi, ularning aktiv va passiv elementlari reja ims lar. ims ning tavsiflanishi. ims larning aktiv va passiv elementlari. ims larning asosiy parametrlari. yarimo'tkazgichli ims lar. imslar yaratishning texnologik jarayoni. ims integral mikrosxema – yuqori zichlikda joylashtirilgan element va komponentlarning (tranzistor, diod, rezistorlar va h.k.z) konstruktiv va elektron jihatdan ulangan mikroelektron qurilmasi bo'lib, signallarni qayta ishlash (o'girish) uchun mo'ljallangan. ims (angl. chip «yupqa plastinka» ma'nosini ham bildiradi. ims integral mikrosxema (ims) o'ta ixcham, o'ta pishiq, kichik tannarxga ega bo'lgan va kam quvvat iste'mol qiladigan radioelement yasash yo'lidagi urinis...

Этот файл содержит 47 стр. в формате PPT (753,0 КБ). Чтобы скачать "ims larning tayyorlanish texnologiyasi,ularning aktiv va passiv elementlari", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: ims larning tayyorlanish texnol… PPT 47 стр. Бесплатная загрузка Telegram