emitterlari bog‘langan mantiqiy elementlar

DOCX 19 sahifa 272,8 KB Bepul yuklash

19 sahifa

FaylHub.uz

Telegram orqali yuklab olish

Hajm 272,8 KB

Fayl turi DOCX

Sahifalar 19

Yangilangan Dek 2025

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1 / 19

6-ma’ruza. emitterlari bog’langan mantiq. mdya tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar. komplementar invertorlar. optronlar. 6.1. emitterlari bog‘langan mantiqiy elementlar. zamonaviy emitterlari bog‘langan mantiq (ebm) elementnlarning yaratilishiga raqamli qurilmalarning tezkorligini oshirish muammosi yechish sabab bo‘lgan. ebm elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq xolda bo‘ladi va bazada qo‘shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar to‘planayotganda bt to‘yinish rejimida ishlaydi. tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga o‘tishi uzoq kechadigan jarayon bo‘lganligi sababli, ttm element tezkorligi cheklangan. bt dagi kalit inertsiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin. ushu qaralayotgan ebm shunday sxemotexnikaviy yechimlardan biri deyish mumkin. bt ning to‘yinmagan rejimi nagruzka va parazit sig‘imlarni tez qayta zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini beradi. qayta ulanuvchi elementning ulanish vaqti minimal qiymatga ega bo‘ladi. bu vaqtda bt ning berkilish vaqti davomiyligi ortmaydi. shu sababdan ebm elementlar yuqori tezkorlikka ega bo‘ladi. tok qayta ulagichi. tok qayta ulagich sxemasi ikkita simmetrik yelkadan …

2 / 19

v. · agar ukir qiymati δ ≤ 0,1 v ga kamaysa, u holda ie1 tok i0 ga nisbatan 1 % gacha kamayadi, ie2 tok esa 99 % gacha ortadi. · demak, kirish signali u-kir ≤ u0 – δ (mantiqiy 0) bo‘lganda vt1 tranzistor berk bo‘ladi, vt2 tranzistordan esa to‘liq i0 toki oqib o‘tadi. · agar ukir qiymati δ ≥ 0,1 v ga ortsa, u holda ie1 tok i0 ga nisbatan 99 % gacha ortadi, ie2 tok esa 1 % gacha kamayadi. · demak, kirish signali u+kir ≥ u0 + δ (mantiqiy 1) bo‘lganda vt2 tranzistorni berk deb hisoblash mumkin, vt1 tranzistordan esa to‘liq i0 tok oqib o‘tadi. · natijada ideal tok qayta ulagichiga ega bo‘lish mumkin. sathlar orasidagi farq - qayta ulanish kichikligi uning kamchiligi hisoblanadi, chunki qayta ulanish sohasi kirish signallarini tayanch kuchlanish u0 dan uqu=u+kir–u-kir=2δ≈ 0,3 v qiymatga o‘zgarishi bilan aniqlanadi. demak, xalaqitbardoshlik ham kichik bo‘ladi. lekin mantiqiy …

3 / 19

rak. 6.2-rasm. ikki kirishga ega bo‘lgan ebm me ning sxemasi chiqishda emitter qaytargichlarning qo‘llanilishi mantiqiy o‘tishni 0,7v gacha va xalaqitlarga bardoshlikni deyarli 0,3v gacha oshiradi. bundan tashqari, emitter qaytargichdagi kichik chiqish qarshiligi tufayli sxemaning yuklama qobiliyati ortadi va yuklamadagi sig‘im qayta zaryadlanishi tezlashadi. manbaning manfiy qutbi umumiy deb olingan ebm sxemaning kamchiligi bo‘lib chiqish signali mantiqiy sathlarining kuchlanish manbai qiymatiga bog‘liqligi hisoblanadi. bundan tashqari, chiqish umumiy nuqta bilan qisqa tutashganda emitter qaytargich tranzistori ishdan chiqadi. kuchlanish manbai em ning musbat qutbini umumiy nuqtaga ulab aytib o‘tilgan kamchiliklarni bartaraf etish mumkin. bunda, sxemaning ish printsipi, albatta o‘zgarishsiz qoladi. ebm elementlar o‘ta yuqori tezlikda ishlovchi tizimlar uchun negiz hisoblanadi. elementlarni montaj usulda birlashtirish yo‘li bilan turli funktsiyalarni amalga oshirish imkoniyati tug‘iladi. 6.3-rasm. 500 markali ebm elementning tuzilish sxemasi ttmga nisbatan ebm sxemotexnikasi funktsional tomondan yahshi moslanuvchan hamda turli murakkablikdagi mantiq algebrani yaratish imkonini yaratadi. bu xossa esa matritsali kristallar asosida maxsus kis …

4 / 19

imda bunday kalitlar qoldiq elektr toki (yopiq holatda) va qoldiq kuchlanish (ochiq holatda) bilan tavsiflanadi. mdya tranzistorli kalitlarning uch turi mavjud: rezistorli, dinamik (tranzistor) yuklamali va komplementar (kmdya) kalitlar. kmdya kalitlari qo‘shimcha tranzistorlarda amalga oshiriladi, ya’ni, qarama-qarshi turdagi o‘tkazuvchanlik kanallari bo‘lgan tranzistorlarda yasaladi. quyida sanab o‘tilgan uch turdagi mdya tranzistorli kalitlarining statik xususiyatlarini ko‘rib chiqamiz. misol sifatida rezistor yuki bo‘lgan kalitni olaylik. n-kanalli tranzistorda amalga oshirilgan bunday kalitning sxemasi 6.5-rasmda ko‘rsatilgan. kalitni yopish uchun tranzistorning zatvoriga e kuchlanish beriladi. 6.5-rasm. rezistiv yuklamali mdya - tranzistorli kalit. yopiq holatdagi tranzistorda qoldiq tok stok p-n o‘tishning teskari tokidir, chunki bu o‘tish ec ga yaqin teskari yo‘nalishda kuchlanishda ishlaydi. shunday qilib, elektr toki kristall yuzasi yetarlicha yaxshi ishlov berilgan va sirtga yaqin kanallar bo‘lmasa 10-9- 10-10 a dan oshmaydi. qolgan tokning berilgan qiymatlari uchun icrc kuchlanish tushuvi e’tiborsiz qoldirish mumkin va yopilgan kalit umax dagi maksimal kuchlanish umax-ec deb taxmin qilish mumkin. kalitni …

5 / 19

tiqiy elementlarning ta’sirini hisobga olmasdan tahlil qilinadi. xususan, mantiqiy sathlari u0 va u1 ga bog‘liq emas. keyingi (yuklama) mantiqiy elementning ta’siri ushbu mantiqiy elementning chiqish sig‘imini oshirishga kamayadi. mdya - tranzistorlarda yasalgan “yoki-emas” va “ham-emas” mantiqiy elementlar. 6.6 –rasmda n-kanalli mdya tranzistorlarida amalga oshirilgan mantiqiy elementlarning ikkita standart turlari keltirilgan. ushbu sxemalarda dinamik yuklama qo‘llaniladi, chunki yuklama rezistorlaridan foydalanish maydonning keskin o‘sishiga olib keladi va mdya tranzistorini asosiy afzalliklaridan biri - yuqori darajadagi integratsiyadan mahrum qiladi. 6.6a-rasmda ko‘rsatilgan mantiqiy element rezistorli yuklamaga ega bo‘lgan tranzistorli kalitga o‘xshash printsipga muvofiq amalga oshiriladi. mantiqiy tranzistorlar t1 va t2 parallel ravishda ulanadi, ularning har birini ochish chiqish sathining pasayishiga olib keladi, ya’ni sxema yoki-emas funksiyasini amalga oshiradi. mdya mantig‘idagi mantiqiy sathlar ochiq va yopiq kalitlarning chiqish kuchlanishlariga mos keladi. muayyan tranzistor geometriyasi bilan kuchlanish bipolyar kalitlarda bo‘lgani kabi (0,05 - 0,15 v) kichik qiymatga ega bo‘ladi. shuning uchun: . aytish kerakki, kichik qoldiq …

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Barcha 19 sahifani Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"emitterlari bog‘langan mantiqiy elementlar" haqida

6-ma’ruza. emitterlari bog’langan mantiq. mdya tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar. komplementar invertorlar. optronlar. 6.1. emitterlari bog‘langan mantiqiy elementlar. zamonaviy emitterlari bog‘langan mantiq (ebm) elementnlarning yaratilishiga raqamli qurilmalarning tezkorligini oshirish muammosi yechish sabab bo‘lgan. ebm elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq xolda bo‘ladi va bazada qo‘shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar to‘planayotganda bt to‘yinish rejimida ishlaydi. tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga o‘tishi uzoq kechadigan jarayon bo‘lganligi sababli, ttm element tezkorligi cheklangan. bt dagi kalit inertsiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin. ushu qar...

Bu fayl DOCX formatida 19 sahifadan iborat (272,8 KB). "emitterlari bog‘langan mantiqiy elementlar"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: emitterlari bog‘langan mantiqiy… DOCX 19 sahifa Bepul yuklash Telegram