laboratoriya ishi

DOCX 8 стр. 2,6 МБ Бесплатная загрузка

8 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 2,6 МБ

Тип файла DOCX

Страницы 8

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 8

1 – laboratoriya ishi mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va emitter qaytargich sxemasini tadqiq etish. ishning maqsadi: ims tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlari, ularning topologiyasi bilan tanishish va ims belgilanish tizimini o‘rganib chiqish. qisqacha nazariy ma’lumot: elektronika o‘zining yarim asrlik tarixi davomida imslar elementlari o‘lchamlarini kamaytirish yo‘lida rivojlanmoqda. 1999 yilda mikroelektronika texnologik ajratishning 100 nmli dovonini engib nanoelektronikaga aylandi. hozirgi vaqtda 45 nmli texnologik jarayon keng tarqalgan. bu jarayon optik litografiyaga asoslanishini aytib o‘tamiz. mikroelektron qurilmalar (imslar) yaratishning ananaviy, planar jarayon kabi, usullari yaqin 10 yillik ichida iqtisodiy, texnologik va intellektual chegaraga kelib qolishi mumkin, bunda qurilmalar o‘lchamlarini kamaytirish va ularni tuzilish murakkabligining oshishi bilan harajatlarning eksponensial oshishi kuzatiladi. muammoni nanotexnologiyalar usullarini qo‘llagan holda yangi sifat darajasida echishga to‘g‘ri keladi. 1. laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar. 2. 2 ta listga ims tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlarini yozish va rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash. 3. laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish …

2 / 8

n vazifasi, qo‘llanio‘sohasi, asosiy elektr parametrlari. 2.4. ims tayyorlash asosiy bosqichlaridan foydalanib, ims tayyorlash texnologik bosqichlarining ketma – ketligi haqida umumiy bayon bering va ularga qisqacha xarakteristika bering. 2.5. kuzatilayotgan tasvir qaysi texnologik bosqichga ta’luqli. 2.6. mikroskop ostida tugallangan kichik va o‘rta darajali integratsiyadagi ims topologiyasini ko‘rikdan o‘tkazing. 0 1 2 3 4 5 ims prinsipal sxemalari - berilgan sxemalarda asosiy belgilanishlari; - berilgan sxemalarda har bir ims uchun qisqacha xarakteristika; - yarimo‘tkazgich va gibrid imslar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni; void setup() { pinmode(13, output); // ob'yavlyaem pin 13 kak vixod } void loop() { digitalwrite(13, high); // zajigaem svetodiod delay(1000); // jdem 1 sekundu digitalwrite(13, low); // viklyuchaem svetodiod delay(1000); // jdem 1 sekundu } (har bir labaratoriya baholangandan keyin yuklanadi baxolanmagan hemis tizimiga yuklangan laboratoriyalar baholanmaydi). nazorat savollari 1. integral mikrosxema (ims) nima ? 2. ims asosiy xususiyati nimada ? 3. ims elementi va komponentasi deb nimaga aytiladi …

3 / 8

kteristikasini nuqtalar bo‘yicha qurish uchun sxema 1.sxemada funksional generator gen, qarshiligi 10 kom bo‘lgan rezistor, ampermetr, voltmetr,tranzistor, probel klavishasi bilan boshqariluvchi kalit ss va ikkita o‘zgarmas kuchlanish manbasi mavjud. ss kalit yordamida tranzistorning kolektor-emitter kuchlanishi 0v dan 12v ga yoki aksincha o‘zgartiriladi. tranzistorning bazasiga rezistor orqali beriladigan kuchlanish gen generatorning offset parametrini o‘zgartirish yo‘li bilan 0v dan 12v gacha 1v qadam bilan o‘zgartiriladi. ampermetr baza tokini, voltmetr esa baza-emitter kuchlanishini o‘lchash uchun xizmat qiladi. 1. laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar. 2. 2 ta listga emitter qaytargich sxemasini asosiy bosqichlarini yozish va rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash. 3. laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ish va ishlatib ko‘rsatish 1. tranzistorning kirish xarakteristikasini nuqtalar bo‘yicha olish uchun 1-rasmda ko‘rsatilgan sxemani yig‘ing. 2. ss kalitni tranzistorning kollektoridagi potensial nol bo‘ladigan (uke=0) holatga o‘tkazing. 3. ekranning o‘ng yuqori burchagidagi tugmani bosib sxemani ishga tushiring. …

4 / 8

uke=0v va uke=12v uchun quring. laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq: 1. umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish xarakteristikasini xarakteriograf yordamida qurish uchun 1-rasmda ko‘rsatilgan sxemani yig‘ing. 2. sxema elementlarining parametrlarini 1-rasmga asosan o‘rnating. 3. ctrl va g klavishalarni bosib sxemani ishga tushiring. grafik analizatorning ekranida 4 sekunddan keyin kollektor kuchlanishining 0 va 12 v qiymatlaridagi tranzistorning kirish xarakteristikalari hosil bo‘ladi. 4. ctrl va t klavishalarni bosib sxemani ishlashini to‘xtating. 1-rasm. umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish xarakteristikasini xarakteriograf yordamida qurish uchun sxema 5. olingan xarakteristikalarni o‘qish va tahlil qilish uchun qulay holga keltirish uchun grafik analizatorning ustida sichqonchaning o‘ng tugmasini bosing va hosil bo‘lgan qalqib chiquvchi menyudan properties bo‘limining ustida sichqonchaning chap tugmasini bosing. graph properties oynasi chiqadi, uning general, bottomaxis va leftaxis bo‘limlarida kerakli o‘zgartirishlarni amalga oshirib xarakteristikalarni qulay holatga keltiring. 6. olingan xarakteristikalarni tahlil qiling. bajarilgan ish bo‘yicha hisobot hisobotda quyidagilar keltiriladi. 1. ishni bajarishdan maqsad. …

5 / 8

Хотите читать дальше?

Скачайте все 8 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "laboratoriya ishi"

1 – laboratoriya ishi mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va emitter qaytargich sxemasini tadqiq etish. ishning maqsadi: ims tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlari, ularning topologiyasi bilan tanishish va ims belgilanish tizimini o‘rganib chiqish. qisqacha nazariy ma’lumot: elektronika o‘zining yarim asrlik tarixi davomida imslar elementlari o‘lchamlarini kamaytirish yo‘lida rivojlanmoqda. 1999 yilda mikroelektronika texnologik ajratishning 100 nmli dovonini engib nanoelektronikaga aylandi. hozirgi vaqtda 45 nmli texnologik jarayon keng tarqalgan. bu jarayon optik litografiyaga asoslanishini aytib o‘tamiz. mikroelektron qurilmalar (imslar) yaratishning ananaviy, planar jarayon kabi, usullari yaqin 10 yillik ichida iqtisodiy, texnologik va intellektual chegaraga kelib qolishi mumk...

Этот файл содержит 8 стр. в формате DOCX (2,6 МБ). Чтобы скачать "laboratoriya ishi", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: laboratoriya ishi DOCX 8 стр. Бесплатная загрузка Telegram