bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarni tadqiq qilish

PDF 5 стр. 274,6 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇
1 / 5
4-laboratoriya ishi bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarni tadqiq qilish ishdan maqsad: 1. bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarining tuzilish va ishlash prinsiplarini o‘rganish; 2. bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarining katta signal rejimini o‘rganish; 3. bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarining ochiq va yopiq holatga uzib ulanish jarayonini tadqiq etish. nazariy qism: 9.1 – rasmda ko‘p qo‘llaniladigan umumiy emitter sxemasi bo‘yicha ulangan kalit sxemasi keltirilgan. r qarshiligi to‘yinish rejimida ib baza tokining o‘rnatilgan qiymatini cheklaydi. ukir=0 bo‘lganida eb manba tranzistorni ishonchli yopib turadi. bu kuchlanish bo‘lmaganida tranzistor ochilib qolishi mumkin, chunki iko toki r va rb qarshiliklarda shunday kuchlanish tushuvini hosil qiladiki, ularning manfiy qutbi bazaga qo‘yilgan. bundan tashqari, eb manba kalitning uzilish vaqtini kamaytiradi, chunki eb hisobiga uzuvchi tok ortadi va tranzistorning o‘tishlari orqali bazada to‘plangan zaryadlarni olib ketadi. 9.1– rasm. umumiy emitter sxemasi bo‘yicha ulangan kalit sxemasi kondensator c kalitning qayta ulanishini tezlashtiradi va tezlashtiruvchi c rk t r rb ukir …
2 / 5
tranzistorning to‘yinishi diod hisobiga bartaraf bo‘luvchi sxema keltirilgan. tranzistorning ochilish -ek ir rk id ik r t d uchiq rb ukir + - e1 + - eb ek id ir rk ikir ib uchiq ukir rb eb ik e1 uk jarayonida kollektor potensiali e1 ga teng bo‘lganida (e1>ek), diod ochiladi. bundan keyin e1=uk, bu esa absolyut qiymati bo‘yicha to‘yinish hosil bo‘lishi mumkin bo‘lgan qiymatdan katta. diod ochilganidan keyin, tranzistorning ulanish jarayoni ik tokni va xuddi shuningdek id tokning oshishi bilan kechadi (9.2, b– rasm). ir toki deyarli o‘zgarmaydi. 9.4– rasm. tranzistorni to‘yinishidan saqlash sxemasi tranzistorga yopuvchi signal berilganidan keyin ik toki (xuddi shunday id toki ham) kamaya boshlaydi. id toki nolga teng bo‘lmagunicha (ya’ni diod yopilmaganucha) ir toki, shu bilan birga chiqish kuchlanishi ham deyarli o‘zgarmaydi. bunda tranzistor uzilishining kechikishi sezilarli bo‘lishi mumkin. tranzistorning ochilishi jarayonida diod anodining manfiy potensiali kamaya boshlaydi va qandaydir vaqtga kelib diod ochiladi. bundan keyin …
3 / 5
od ulangan. ukir uchiq -ek bu diod uzilish kuchlanishi u0 ga va kichik to‘g‘ri qarshilikka ega. diodning volt - amper tavsifidan ko‘rinib turibdiki, undagi kuchlanish tokka kam bog‘liq. 9.5– rasm. shottki diodi qo‘llangan sxema shunday qilib, d2 diod o‘zgarmas siljish manbai vazifasini bajaradi. shottki diodi qo‘llangan sxema ham kalit uzilishining kechikishini oldini oladi (9.5 - rasm). shottki diodi - bu alyuminiy kremniyli diod. bu dioddagi to‘g‘ri kuchlanish juda kichik (to‘g‘ri siljigan p-n-o‘tishdagi kuchlanish tushuvidan kichkina va zaryad to‘planishi yo‘q). diod tranzistorning kollektor o‘tishiga parallel ulanadi. kaskad ulanganda tranzistor t to‘yinishga kirishi, uning kollektor o‘tishi esa to‘g‘ri siljigan bo‘lishi kerak. ammo tranzistorning kollektor o‘tishi ochilmasdan oldinroq shottki diodi ochiladi. ochiq dioddagi kuchlanish tushuvi juda kichik va bu kuchlanish kollektor o‘tishdagi kuchlanishdan ham kichikroq. bunday kuchlanishda kollektor o‘tishi ochila olmaydi va ulanish chegarasida qoladi. so‘rilish vaqti, demak uzilish kechikishi ham bo‘lmaydi. nazorat savollari: 1. kalit rejimida bipolyar tranzistorning ishlashini tushuntiring? 2. bipolyar …
4 / 5
bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarni tadqiq qilish - Page 4
5 / 5
bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarni tadqiq qilish - Page 5

Хотите читать дальше?

Скачайте все 5 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarni tadqiq qilish"

4-laboratoriya ishi bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarni tadqiq qilish ishdan maqsad: 1. bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarining tuzilish va ishlash prinsiplarini o‘rganish; 2. bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarining katta signal rejimini o‘rganish; 3. bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarining ochiq va yopiq holatga uzib ulanish jarayonini tadqiq etish. nazariy qism: 9.1 – rasmda ko‘p qo‘llaniladigan umumiy emitter sxemasi bo‘yicha ulangan kalit sxemasi keltirilgan. r qarshiligi to‘yinish rejimida ib baza tokining o‘rnatilgan qiymatini cheklaydi. ukir=0 bo‘lganida eb manba tranzistorni ishonchli yopib turadi. bu kuchlanish bo‘lmaganida tranzistor ochilib qolishi mumkin, chunki iko toki r va rb qarshiliklarda shunday kuchlanish tushuvini hosil qiladiki,...

Этот файл содержит 5 стр. в формате PDF (274,6 КБ). Чтобы скачать "bipolyar tranzistor asosidagi kalit sxemalarni tadqiq qilish", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar tranzistor asosidagi k… PDF 5 стр. Бесплатная загрузка Telegram