darlington juftligi. uilson tok ko'zgusi sxemasi

PPT 23 стр. 674,0 КБ Бесплатная загрузка

23 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 674,0 КБ

Тип файла PPT

Страницы 23

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 23

powerpoint presentation 7- ma'ruza darlington juftligi. uilson tok ko'zgusi sxemasi reja tarkibiy tranzistorlar. darlingtoni juftligi uilson tok ko'zgusi sxemasi maydoniy tranzistor asosidagi tok manbalari tarkibiy tranzistorlar kaskadlar kuchaytirish koeffitsienti va kirish qarshiligining maksimal qiymatlari ue sxemasida tranzistorning differentsial tok uzatish koeffitsienti h21e=β bilan aniqlanadi. h21e ning qiymati tranzistor turiga va tayyorlash texnologiyasiga bog'liq bo'lib, bir necha yuzlarni tashkil qiladi. bir nechta (odatda ikkita) tranzistorni o'zaro ulab h21e qiymatini oshirish mumkin. bunda ulanishlar shunday amalga oshirilishi kerakki, tranzistorlarni yagona tranzistor deb qarash mumkin bo'lsin. bir turli juft tranzistorlar asosidagi sxemalar birinchi marta darlington tomonidan taklif qilingan, shuning uchun darlington juftligi yoki tarkibiy tranzistori deb yuritiladi. darlington juftligining tok bo'yicha natijaviy kuchaytirish koeffitsienti taxminan alohida tranzistorlar kuchaytirish koeffitsientlari ko'paytmasiga teng: tarkibiy tranzistorlar agar β1 va β2 lar bir xil qiymatga, masalan 100 ga teng bo'lsa juftlik koeffitsienti β= β1 ∙β2 = 10000. lekin, bir xil vt1 va vt2 larda β1 va β2 …

2 / 23

oeffitsientiga bog'liq, shuning uchun baza-emitter natijaviy kuchlanishi va uning haroratga bog'liqligi ko'p o'zgaruvchan bo'ladi. komplementar btlar asosidagi tarkibiy tranzistorlar tuzilishi quyidagi rasmda keltirilgan. bunda kirish tranzistori sifatida p-n-p turdagi, chiqish tranzistori sifatida n-p-n tranzistor ishlatiladi. natijaviy toklar yo'nalishlari p-n-p tranzistorning toklari yo'nalishiga mos keladi. tok uzatish koeffitsienti β= β1+ β1∙β2 bo'lib, amalda darlington juftligining β siga teng bo'ladi. tarkibiy tranzistorlar har xil turli tranzistorlar asosida ham hosil qilinishi mumkin. bunday tuzilmalarga qo'shimcha simmetriyali tarkibiy tranzistorlar deyiladi. mt va btdan iborat tarkibiy tranzistor tarkibiy tranzistor maydoniy va bipolyar tranzistorlar asosida ham hosil qilinishi mumkin. ushbu rasmda n – kanali mt va n-p-n turdagi bt asosidagi tarkibiy tranzistor sxemasi keltirilgan. ushbu sxema maydoniy va bipolyar tranzistorlarning xususiyatlarini o'zida mujassamlashtiradi. u juda katta kirish qarshiligiga va tok bo'yicha, ya'ni quvvat bo'yicha ham, juda katta kuchaytirish koeffitsientiga ega. uilsonning tok ko’zgusi uilsonning tok ko’zgusi - bu kirish terminalida kirish oqimini qabul qiladigan va chiqish …

3 / 23

ishlashi haqida uchta asosiy ko'rsatkich mavjud. birinchi o'lchov - bu statik xato, keyin kirish oqimining bir qismi sifatida ifodalangan kirish va chiqish oqimlari o'rtasidagi farq. ushbu farqni minimallashtirish, differentsial kuchaytirgich bosqichida muvozanatsiz chiqish signalini konvertatsiya qilish uchun differentsial oqim oynasi kabi amaliy dasturlarda juda muhimdir, chunki bu farq rejim va quvvatning og'ish koeffitsientlarini boshqaradi. tok ko'zgusi tok ko'zgusi analog integral sxemalarda tok manbasi sifatida keng qo'llaniladi. ular yordamida kuchaytirish kaskadlari ish rejimlarining manba kuchlanishi o'zgarishlarining va haroratning ta'siriga bog'liqligi kamaytiriladi. sodda tok ko'zgusi sxemasi quyidagicha. asosiy parametrlari: 1) chiqish toki va tok transformatsiya koeffitsienti (agar u 1ga teng bo'lmasa); 2) chiqish qarshiligi; 3) ishlash diapazoni (ruxsat etilgan chiqish kuchlanishi). uilson tok ko'zgusi sxemasi sodda tok ko'zgusi (tk) bitta kamchilikka ega: chiqish kuchlanishi o'zgarishi bilan chiqish toki o'zagardi, sababi erli effekti. quyidagi uilson tok ko'zgusi sxemasida chiqish toki doimiyligi ta'minlanadi. bunda vt1 va vt2 lar odatdagi tk sxemasidagi kabi ulangan. vt3 …

4 / 23

ri parametrlarini vt1 va vt2 tranzistor parametrlari bilan muvofiqlashtirish shart emas. maydoniy tranzistor asosidagi tok manbalari maydoniy tranzistor asosidagi tok manbasini qurish uchun tranzistor chiqish xarakteristikasini ko'rib chiqamiz. quyidagi rasmda maydoniy tranzistor stok tokining stok–istok kuchlanishiga bog'liqligi keltirilgan. kuchlanishning 7,5 v ga o'zgarishida tok 0,07 ma ga o'zgarayabdi, bu tranzistorning barqarorlash xossasidan darak beradi va kanal qarshiligi rdifv «ab» oralig'ida katta ekanligini ko'rsatadi. maydoniy tranzistor asosidagi tok manbalari r-n o'tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistordagi tok manbasi sxemasi quyida keltirilgan. bunday tranzistor zatvor kuchlanishi qutibi stok kuchlanishi qutibiga teskari bo'lganligi uchun ushbu sxema sodda ko'rinishga ega. ushbu holda tranzistor zatvor va istoklarini qisqa tutashtirilgan holda tok manbasi sxemasini hosil qilish mumkin. bunda «zatvor-istok» sohasidagi kuchlanish nolga teng bo'ladi. maydoniy tranzistor asosidagi tok manbalari tranzistorning quyida keltirilgan uzatish vat dan ko'rinadiki, zatvor bilan istok qisqa tutashtirilganda tranzistor toki maksimal bo'ladi (is.maks). hosil qilinayotgan tok barqarorligi tavsif barqarorligi bilan aniqlanadi. bu holda chiqish …

5 / 23

chlanishi orasidagi bog'lanish quyidagi tenglamadan aniqlanadi: is1 va is2 toklari teng, ammo is1 ─ toki boshqaruvchi tok hisoblanadi. uning qiymati ek manba kuchlanishi va rs1 rezistor qarshiligi bilan aniqlanadi maydoniy tranzistor asosidagi tok manbalari vt1 va vt2 tranzistorlardagi zatvor-istok kuchlanishi bir xil. vt2 stok toki quyidagiga teng: tranzistorlardagi bo'saxaviy kuchlanish ham bir xil, shuning uchun tok ko'zgusili tok manbalari integral sxemalarda muhim hisoblanadi, jumladan ko'pkaskadli kuchaytirgichlarga kuchlanish berishda. bunday sxemalarda rezistorlar minimal bo'lganligidan integratsiya darajasi yuqori bo'ladi. murakkab tranzistor murakkab tranzistor - umumiy kollektor pallasida ulangan bir nechta tranzistorlarning kaskadli ulanishi. oldingi bosqichning yuki keyingi bosqichning tranzistorining tayanch-emitter o'tishidir, ya'ni tranzistorlar kollektorlar tomonidan ulanadi va kirish tranzistorining emitenti chiqish tranzistorining bazasiga ulanadi. bunga qo'shimcha ravishda, qarshilik ko'rinishidagi yukdan foydalanish mumkin. bunday ulanish bitta tranzistor sifatida qabul qilinadi, uning oqimi tranzistorlar faol rejimda bo'lganda, birinchi va ikkinchi tranzistorlarning daromadlari mahsulotiga teng bo'ladi: kompozit darlington tranzistori (yoki sxemasi) (ko'pincha darlington juftligi) 1953 …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 23 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "darlington juftligi. uilson tok ko'zgusi sxemasi"

powerpoint presentation 7- ma'ruza darlington juftligi. uilson tok ko'zgusi sxemasi reja tarkibiy tranzistorlar. darlingtoni juftligi uilson tok ko'zgusi sxemasi maydoniy tranzistor asosidagi tok manbalari tarkibiy tranzistorlar kaskadlar kuchaytirish koeffitsienti va kirish qarshiligining maksimal qiymatlari ue sxemasida tranzistorning differentsial tok uzatish koeffitsienti h21e=β bilan aniqlanadi. h21e ning qiymati tranzistor turiga va tayyorlash texnologiyasiga bog'liq bo'lib, bir necha yuzlarni tashkil qiladi. bir nechta (odatda ikkita) tranzistorni o'zaro ulab h21e qiymatini oshirish mumkin. bunda ulanishlar shunday amalga oshirilishi kerakki, tranzistorlarni yagona tranzistor deb qarash mumkin bo'lsin. bir turli juft tranzistorlar asosidagi sxemalar birinchi marta darlington tomonid...

Этот файл содержит 23 стр. в формате PPT (674,0 КБ). Чтобы скачать "darlington juftligi. uilson tok ko'zgusi sxemasi", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: darlington juftligi. uilson tok… PPT 23 стр. Бесплатная загрузка Telegram