maydon tranzistorlari

DOC 6 pages 42.0 KB Free download

Page preview (5 pages)

Scroll down 👇
1 / 6
maydon tranzistorlari maydon tranzistorlari reja: 1. o‘tishini boshqariladigan maydon tranzistorlari 2. zatvori izolyatsiyalangan maydon tranzistorlari 3.maydon tranzistor indutsiyalangan (inversali) kanal bilan avval ko‘rilgan dreyfsiz va dreyfli tranzistorlarga qaraganda bu tipdagi tranzistorlar uni qutbli hisoblashadi, ularnig ishlash prinspida ikki tipdagi zaryad tashuvchilarning ishlatilishi yotadi: elektronlarni va teshiklarni – va shunig uchun ularni qo‘shqutbli deb atashadi. uni qutbli tranzistorlarda injeksiya holati ishlatilmaydi va ularning ishlash prinsipida zaryad tashuvchilarning bir belgili – yo elektronlar, yoki teshiklarni ishlatish yotadi. ular shuningdek maydonli deyiladi, chunki tokning boshqarilishi elektr maydonini o‘zgartirish yo‘li bilan bajariladi. maydon tranzistorlari, boshqacha qilib aytganda uni qutbli yoki kanallarni yaratish g‘oyasini qo‘shqutbli tranzistorni yaratiuvchilardan biri u.shokli 1952 y taklif qildi. bu tranzistorlarning asosiy ustunligi katta kirish qarshiligi (lampalarga o‘xshash va o‘ndan katta) n-p o‘tishli va p tipdagi kanalli maydon tranzistorining ulanish sxemasi prinsipi 18-rasmda tasvirlangan. 18-rasm. yarim o‘tkazuvchanligi plastinka (p-tipidagi) qarama qarshi uchlarida elektrodlarga ega uning yordamida kuchaytiruvchi kaskadning chiqish (boshqariladigan) zanjiriga …
2 / 6
ng natijasida yopuvchi qatlamining qalinligi o‘zgaradi (18-rasmda bu hudud shtrixlangan chiziqlar bilan chegaralangan). asosiy zaryad tashuvchilar oqimi o‘tadigan hududning ko‘ndalang kesim maydoni tegishli ravishda o‘zgaradi (chiqish toki). bu hudud kanal deb nomlanadi. kanalga oqib o‘tadigan asosiy zaryad tashuvchilar elektrodi istok(i) deb nomlanadi. istok va stok lampaning katod va anodga o‘xshash (yoki qo‘shqutbli tranzistorning emitter va kollektoriga). kanalning ko‘ndalang kesim maydonini rostlash uchun mo‘ljallangan boshqaruvchi elektrod zatvor deb nomlanadi. zatvor lampaning to‘riga o‘xshash (yoki qo‘shqutbli tranzistorning bazasiga), garchi ularning ishlash prinsipi ancha farqlanadi. agar zatvorda kuchlanish oshirilsa, bunda yopuvchi qatlam qalinlashadi va kanalning ko‘ndalang kesim maydoni kamayadi. o‘zgarmas tokka bo‘lgan uning qarshiligi ro oshadi va stok toki ishi kamayadi. zatvorda ma’lum bir kuchlanishda kanalning ko‘ndalang kesim maydoni nolga teng bo‘ladi va stok toki juda kichik miqdorgacha kamayadi. tranzistor yopiladi. zatvorda kuchlanish o ga teng bo‘lganida, kanalning kesimi eng katta miqdorgacha oshib boradi, qarshilik ro eng kam miqdorigacha kamayadi, stok toki maksimal …
3 / 6
rimo‘tkazuvchi). 19-rasmda bunday tranzistorning tuzilish prinsipi ko‘rsatilgan. 19-rasm. asos bo‘lib elektr o‘tkazuvchanligi n-tipdagi kremniy plastinkasi xizmat qiladi. unda yuqori o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan p-tipdagi elektr o‘tkazuvchanligi ikki hududga qaratilgan. bu hududlar istok va stok bo‘lib va ulardan uchlar chiqarilgan. stok va istok orasida elektr o‘tkazuvchanligi p-tipdagi yuza ustidagi kanal bor. shtrixlangan hudud bu kremniy dioksididan dielektrik qatlam (uning qalinligi odatda, 0,1-0,2 mkm dan iborat). dielektrik qatlami ustida yupqa metall plenka ko‘rinishidagi zatvor joylashgan. bunday tranzistorning kristalli odatda istok bilan birlashgan va uning potensiali nolki deb qabul qilinadi. ba’zan kristalldan alohida uch chiqarilgan bo‘ladi. ko‘rilgan tranzistorni hususiy kanali (o‘rnatilgan) tranzistor deb nomlanadi. ko‘ramiz, qanday u ishlar ekan. agar zatvorga nolli kuchlanish berilgan bo‘lsa, kuchlanish berilgandan keyin stok va istok oralig‘ida kanal orqali tok oqadi, bu tok elektronlar oqimi hisoblanadi. kristall orqali tok bormaydi, chunki n-p o‘tishlardan biri teskari kuchlanishda bo‘ladi. istokka nisbatan (demak kristallga nisbatan ham) zatvorga teskari qutbli kuchlanish berilganda, kanalda …
4 / 6
rasm). 20-rasm. zatvorda kuchlanish bo‘lmaganida kanal yo‘q, p-tipdagi istok va stok oralig‘ida faqat n-tipdagi kristall joylashgan va n-p-o‘tishlaridan birida teskari kuchlanish paydo bo‘ladi. bu holatda stok va istok oralig‘idagi qarshilik juda yuqori va tranzistor yopiq. zatvorga musbat qutili kuchlanish berilganida, zatvorning maydoni ta’sirida o‘tkazuvchanlik elektronlari zatvor yo‘nalishi bo‘yicha stok va istok hududidan va n-hududidan o‘tishni boshlaydi. zatvorda kuchlanish o‘zining yopuvchi (bo‘sag‘ali) miqdoriga (birlar voltiga) yetib borganida, yuzaning tepa qatlamida elektronlar konsentratsiyasi shunday ko‘payadiki, teshiklar konsentratsiyasidan oshib ketadi va bu qatlamda inversiya tipidagi elektr o‘tkazuvchanlik sodir bo‘ladi, ya’ni yupqa p-tipdagi kanal hosil bo‘ladi va tranzistor tok o‘tkaza boshlaydi. zatvorda qancha kuchlanish ko‘p bo‘lsa, shuncha stokda tok katta bo‘ladi. ko‘rinib turibdiki, bunday tranzistor faqat boyitish rejimida ishlay oladi. agar asosi p-tipda bo‘lsa, unda n-tipdagi induksiyalangan kanalli tranzistorlar ko‘pincha qayta ulash qurilmalarda (ovoz texnikasida) uchratiladi. maydon tranzistorlarning ulanish sxemalari qo‘sh qutblarni ulanish sxemalariga o‘xshash. ta’kidlash kerakki, maydon tranzistori, qo‘sh qutbliga qaraganda, ancha katta …
5 / 6
maydon tranzistorlari - Page 5

Want to read more?

Download all 6 pages for free via Telegram.

Download full file

About "maydon tranzistorlari"

maydon tranzistorlari maydon tranzistorlari reja: 1. o‘tishini boshqariladigan maydon tranzistorlari 2. zatvori izolyatsiyalangan maydon tranzistorlari 3.maydon tranzistor indutsiyalangan (inversali) kanal bilan avval ko‘rilgan dreyfsiz va dreyfli tranzistorlarga qaraganda bu tipdagi tranzistorlar uni qutbli hisoblashadi, ularnig ishlash prinspida ikki tipdagi zaryad tashuvchilarning ishlatilishi yotadi: elektronlarni va teshiklarni – va shunig uchun ularni qo‘shqutbli deb atashadi. uni qutbli tranzistorlarda injeksiya holati ishlatilmaydi va ularning ishlash prinsipida zaryad tashuvchilarning bir belgili – yo elektronlar, yoki teshiklarni ishlatish yotadi. ular shuningdek maydonli deyiladi, chunki tokning boshqarilishi elektr maydonini o‘zgartirish yo‘li bilan bajariladi. maydon tranzisto...

This file contains 6 pages in DOC format (42.0 KB). To download "maydon tranzistorlari", click the Telegram button on the left.

Tags: maydon tranzistorlari DOC 6 pages Free download Telegram