mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates)

PPTX 11 sahifa 511,5 KB Bepul yuklash

11 sahifa

FaylHub.uz

Telegram orqali yuklab olish

Hajm 511,5 KB

Fayl turi PPTX

Sahifalar 11

Yangilangan Dek 2025

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1 / 11

mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates) reja: yarim o’tkazgichlar va transistor haqida umumiy ma’lumot va-emas va yoki-emas mantiqiy elementi rezistor-transistor mantig’i tranzistor-tranzistorli mantiq diod mantig’i bir qator moddalarning solishtirma qarshiligi kattalik jihatdan metallar bilan dielektriklar solishtirma qarshiliklari orasida yotadi. shuning uchun bu moddalarning elektr o‘tkazuvchanliklari metallar bilan izolatorlarning elektr o‘tkazuvchanliklari orasidagi oraliq holatni egallaydi. bunday moddalar y a r i m o ‘ t k a z g i c h l a r deb ataladi. mendeleyev davriy sistemasida iii, iv,v va vi gruppalardan o‘rin olgan ko‘pchilik elementlar, bir qator birikmalar va qotishmalar yarimo‘tkazgichlar qatoriga kiradi. bipolar tranzistorlar yarimo‘tkazgichlilar oilasiga kiruvchi qurilma tranzistor deb ataladi. ularning ikki turi mavjud bo‘lib, bipolar va maydonli tranzistor deb ataladi. bipolar tranzistorlar apparaturalarda keng qo‘llanib kelinmoqda. tranzistor so‘zining ma’nosi «transfer» – o‘zgartiruvchi va «resistor» – qarshilik degan ma’noni anglatadi. yarimo‘tkazgichlilar, elektr o‘tkazuvchanligi katta bo‘lgan metallar bilan tok o‘tkazmaydigan dielektriklar o‘rtasida yotadi. …

2 / 11

jaradigan invertor. kirish mantigʻi turli yarimoʻtkazgich elementlarida amalga oshirilishi mumkin: diodlar, bipolyar va maydoniy effektli tranzistorlar. kirish mantiqiy va invertorlarni ishlab chiqarish uchun ishlatiladigan yarimoʻtkazgich elementlarining turiga qarab, quyidagilar mavjud: dctl - to'g'ridan-to'g'ri ulanishga ega resistor-tranzistor mantiqi dtl - diod-tranzistorli mantiq; • ttl – tranzistor-tranzistorli mantiq; • ttlsh - schottky diodli ttl; • esl - emitter bilan bogʻlangan mantiq; • cmos – maydon effektli tranzistorlarning bir-birini toʻldiruvchi juftliklariga asoslangan mantiq; to'g'ridan-to'g'ri ulanishga ega resistor-tranzistor mantiqi (tlns, nstl, dctl - direct-coupled transistor logic) tranzistorli kalitlarning parallel yoki ketma-ket ulanishi va umumiy kollektor qarshiligidan foydalanishga asoslangan rezistor-tranzistor mantig'ining ko’rinishi 3.1-rasm va 3.2-rasm da koʻrsatilgan. 3.1-rasm. 3 yoki-emas mantiqiy elementi. (to'g'ridan-to'g'ri ulanishga ega resistor-tranzistor mantiqi) 3.1-rasmda yoki-emas elementining bir (yoki bir nechta tranzistorlari) asosiga mantiqiy bir qoʻllanilsa chiqishda bir signal hosil bo’lsa, 1.2-rasm 3 ta tranzistorlar oʻzaro ketma-ket ulanib kirishlari soni 3 taga ega boʻlgan mantiqiy va elementi qoʻllanilgan. chiqish potentsiali mantiqiy nol …

3 / 11

i oʻz emitterlariga beriladigan signallar uchun and funksiyasini bajaradigan koʻp emitterli tranzistor vt1 va emas funktsiyasini bajaradigan vt2 tranzistorli kaliti asosida qurilgan (3.4 -rasm). agar barcha kirishlar yuqori kuchlanish darajalariga ega boʻlsa (a=1 va b=1), emitter oʻtish vt1 yopiladi, bu tranzistorning tayanch-kollektor birikmasi ochiladi va vt2 kalit tranzistorini toʻyintiradi, bu esa chiqishda past kuchlanish darajasini hosil qiladi. har qanday kirishda signal darajasi past boʻlsa, oqim i signal manbaining chiqish pallasiga o'tadi va vt1 ni yopadi. bu holda f=1. shunday qilib, sxema 2va-emas elementining haqiqat jadvalini amalga oshiradi. 3.4-rasm. 2 va-emas tranzistor-tranzistorli mantiq. diod mantig'i (dl - diode logic) raqamli texnologiyaning birinchi va eng oddiy mantiqlaridan biri bo'lib, faqat passiv elementlardan - diodlardan va rezistorlardan iborat. 2 va mantiqiy elementning elektr diodli sxemasi xi va x2 kirishlaridan birida yoki bir vaqtning o'zida elementning ikkita kirishidagi mantiqiy signallar 0 bo'lsa, chiqishidagi signal ham mantiqiy 0 qiymatga teng bo’ladi. buning sababi shundaki, bitta …

4 / 11

mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates) - Page 4

5 / 11

mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates) - Page 5

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Barcha 11 sahifani Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates)" haqida

mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates) reja: yarim o’tkazgichlar va transistor haqida umumiy ma’lumot va-emas va yoki-emas mantiqiy elementi rezistor-transistor mantig’i tranzistor-tranzistorli mantiq diod mantig’i bir qator moddalarning solishtirma qarshiligi kattalik jihatdan metallar bilan dielektriklar solishtirma qarshiliklari orasida yotadi. shuning uchun bu moddalarning elektr o‘tkazuvchanliklari metallar bilan izolatorlarning elektr o‘tkazuvchanliklari orasidagi oraliq holatni egallaydi. bunday moddalar y a r i m o ‘ t k a z g i c h l a r deb ataladi. mendeleyev davriy sistemasida iii, iv,v va vi gruppalardan o‘rin olgan ko‘pchilik elementlar, bir qator birikmalar va qotishmalar yarimo‘tkazgichlar qatoriga kiradi. bipolar tranzistorlar y...

Bu fayl PPTX formatida 11 sahifadan iborat (511,5 KB). "mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates)"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: mantiqiy elementlarning fizik t… PPTX 11 sahifa Bepul yuklash Telegram

mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates)

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

"mantiqiy elementlarning fizik tuzilishlari (physical implementation of logic gates)" haqida

O'xshash fayllar