yuqori chastotali diodlar

DOCX 7 sahifa 155,2 KB Bepul yuklash

7 sahifa

FaylHub.uz

Telegram orqali yuklab olish

Hajm 155,2 KB

Fayl turi DOCX

Sahifalar 7

Yangilangan Dek 2025

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1 / 7

6-mavzu yuqori chastotali, impulsli, parametrik, tunelli diodlar va varikap 2.5 yuqori chastotali diodlar yuqori chastotali diodlarga: detektorli diodlar, modullangan signallarni detektorlash uchun uning tarkibidan past chastotani ajratib olish uchun mo‘ljallangan siljish diodi, modullangan tebranishlarni eltuvchi chastotaga ajratish uchun mo‘ljallangan; modulyatorli diodlar, yuksak chastota tebranishlarini modullash uchun mo‘ljallangan. ushbu hamma diodlar uchun umumiysi yuksak chastotada ishlashidir. agarda past chastotada diod zanjiridagi tok elektron-teshik qarshiligi (rp), hamda yarim o‘tkazgichning r va n sohasi (rb) qarshiliklari bilangina aniqlansa, yuksak chastotada ishlovchi diodlarda barer va diffuziya sig‘imlari ham katta rol o‘ynaydi. natijada, aktiv rb qarshiligi va sig‘imni ta’sirida yuksak chastota diodida chastota ortishi bilan uning to‘g‘rilagichli effekti deyarli yo‘qoladi. yuksak chastota diodlarini bir necha o‘n gegogersga ham qo‘llaniladi. ruxsat etilgan teskari kuchlanishi bunday diodlar uchun 35 v dan oshmaydi. quvvati ham juda kichik. volt-amper xarakteristikasida, teskari shoxobchasida, gorizontal qismi bo‘lmaydi. tok o‘tkazuvchanlik rejimiga osoyishta o‘tadi, chunki bu diodda struktura bir jinsli emas. yuqori chastotali …

2 / 7

i parametrlarga egalar: - to‘g‘ri tok – ito‘g‘r; - to‘g‘ri kuchlanishni pasayishi – uto‘g‘r; - teskari tok – iteskari; - teskari maksimal kuchlanish – utesk.max; - o‘tish sig‘imi - cg; - yuqori ishchi chastota – fmax. 2.6. impulsli diodlar yarim o‘tkazgichli diodlar keng ko‘lamda kalit sifatida, ya’ni ikki holatda: “ochiq”, asbobni qarshiligi juda kichik va “yopiq”, qarshiligi juda yuqori holatlarda ishlatiladi. diodni bir holatidan ikkinchi holatiga o‘tishi iloji boricha kichik bo‘lishi lozim, chunki shu bilan jihozlarni tezkorligi xarakterlanadi. ushbu maqsad uchun mo‘ljalangan diodlarni impulsli yoki kalitli diodlar deb ataladi. bir holatdan ikkinchi holatga o‘tish zaryadi. bir holatdan ikkinchi holatga o‘tish rejimida zaryad qiymati ham ma’lum ahamiyatga ega bo‘ladi. bu zaryad bazadan diodni yopiq holatiga o‘tkazish uchun xizmat qilib, uni ulab-uzish zaryadi ham deyiladi. ulab-uzish zaryadi qp, yig‘ilgan zaryaddan qn doimo kichik bo‘ladi, chunki u dioddan chiqqunicha bir qism tashuvchilar rekombinatsiyalanib bo‘ladi. teskari tokni to‘g‘ri tokka nisbati katta bo‘lishi bilan ulab-uzish …

3 / 7

apga teskari kuchlanish yuqori om li ajratuvchi r qarshilik orqali beriladi. teskari kuchlanish etesk miqdorini o‘zgartirib varikapni sig‘imini o‘zgartirish mumkin. odatda varikapga parallel qilib lc – tebranish konturi ulanadi, uning sozlanishi varikap orqali bajariladi. tebranish konturini o‘zgaruvchan kuchlanishini varikapga ta’sirini kamaytirish uchun varikap sig‘imiga qarama-qarshi ketma-ket bir xildagi varikap ulanadi (2.11-rasm) varikapga o‘zgaruvchan kuchlanish teskari fazada keladi, shuning uchun ushbu kuchlanish yordamida varikap sig‘imini s o‘zgartirib, s o‘zaro kompensatsiyalanadi, natijada varikapning natijaviy sig‘imi o‘zgarmay qoladi. 2.11-rasm. varikapning ulanish sxemasi varikapning sifati quyidagilar orqali aniqlanadi: · sig‘im va teskari kuchlanish orqali boshqarilayotgan mumkin bo‘lgan sig‘im chegarasi; · saxiyligi va chastota oralig‘i; · temperaturadan sig‘im stabilligi va saxiyligi. varikap sig‘imi. varikap sig‘imini quyidagi formuladan aniqlanadi: , (2.5) bu erda sv – varikap elektrodlari va uchlari orasidagi, berilgan kuchlanishga bog‘liq bo‘lmagan, sig‘imi. boshlang‘ich sig‘imi s0 quyidagi formuladan aniqlanadi: . boshlang‘ich sig‘imi varikap o‘tish maydoni p ga va diod bazasining qo‘shimchasi konsentratsiyasiga nd bog‘liq …

4 / 7

apning saxiyligi . ushbu ifodadan ko‘rinadiki, varikapning saxiyligi uning chastotasiga bog‘liq ekan. past chastotalarda ifodaning bir qismini hisobga olmasa ham bo‘ladi, natijada qpch=sdrp hosil qilamiz. yuksak chastotalarda esa quyidagicha bo‘ladi: (2.7) maksimal saxiylik bo‘lganidagi chastotaga to‘g‘ri keladi. differensiallab, quyidagini hosil qilamiz: (2.8) amalda varikapning saxiyligi 100 dan kam bo‘lmaydi. varikapning minimal ishchi chastotasi quyidagicha bo‘ladi , (2.9) maksimal ishchi chastotasi esa, quyidagicha aniqlanadi . (2.10) varikap parametrlarini stabilligini temperaturaga bog‘liqligi. varikap sig‘imiga temperaturaning ta’siri, kontaktli potensiallar ayirmasiga bog‘liq bo‘ladi: . umuman, bu unchalik katta emas, temperaturani ta’siri ko‘proq saxiylikka ta’sir etadi. temperatura ortishi bilan, teskari tok eksponensial ortadi. varikapning chegaraviy ishchi temperaturasi, germaniylik uchun 50600 s, arsenid-galliylik uchun esa 1500 s gacha bo‘ladi. varikapning qo‘llanilishi. kuchlanish o‘zgarishi bilan varikap sig‘imi o‘zgarishidan foydalanib, yuksak chastota tebranish konturini sozlash, garmonik tebranish generatorlarini chastotasini boshqarish uchun qo‘llaniladi. sanoatda ushbu maqsadda qo‘llash uchun katta assortimentdagi varikaplar ishlab chiqariladi. tebranishlarni parametrik kuchaytirish va elituvchi chastotani …

5 / 7

sidagi sig‘im; lk - diodni induktivligi; ruxsat berilgan zuriqish quvvati (rmax). 2.9. tunelli diod 1958 yilda yapon olimi esaki, r-n strukturada juda katta qo‘shimcha konsentratsiyasiga ega bo‘lganda (10191020 sm-3), 2.13-rasmda tasvirlanganidek anomal xarakteristikaga ega bo‘lishini aniqladi. oddiy dioddan farqli, tunnelli diodda nafaqat to‘g‘ri tokni, teskari tokni ham yaxshi o‘tkazib, to‘g‘ri shoxobchasida kamayuvchi qismga ega. ko‘p miqdorda legirlangan r-n struktura, anamal xarakteristikaga ega bo‘lib, tunnel effektiga ega bo‘lganligi uchun bunday diodlarni tunelli diod deyiladi. potensial barer torayishi bilan va uning balandligi kichiklashi bilan tunnel o‘tish ehtimoli ortadi. tunnel o‘tishda elektron energiyasi sarflanmay amalga oshiriladi. oddiy diodlarda nisbatan kam legirlangan qo‘shimcha konsentratsiyasi 1017 sm-3 dan yuqori bo‘lmaganda elektron-teshikli o‘tish qalinligi nisbatan katta va elektronlarni potensial barerdan tunnel o‘tish ehtimoli kam bo‘ladi. tunnelli diodlarda esa, qo‘shimcha konsentratsiyasi yuqoriligidan o‘tish qalinligi 0,01 mkm, ya’ni barer juda ham tor bo‘ladi. a) b) 2.13-rasm. tunelli diodning a) ulanish sxemasi, b) xarakteristikasi tunnelli diodda manfiy o‘tkazuvchanlik qismi …

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Barcha 7 sahifani Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"yuqori chastotali diodlar" haqida

6-mavzu yuqori chastotali, impulsli, parametrik, tunelli diodlar va varikap 2.5 yuqori chastotali diodlar yuqori chastotali diodlarga: detektorli diodlar, modullangan signallarni detektorlash uchun uning tarkibidan past chastotani ajratib olish uchun mo‘ljallangan siljish diodi, modullangan tebranishlarni eltuvchi chastotaga ajratish uchun mo‘ljallangan; modulyatorli diodlar, yuksak chastota tebranishlarini modullash uchun mo‘ljallangan. ushbu hamma diodlar uchun umumiysi yuksak chastotada ishlashidir. agarda past chastotada diod zanjiridagi tok elektron-teshik qarshiligi (rp), hamda yarim o‘tkazgichning r va n sohasi (rb) qarshiliklari bilangina aniqlansa, yuksak chastotada ishlovchi diodlarda barer va diffuziya sig‘imlari ham katta rol o‘ynaydi. natijada, aktiv rb qarshiligi va sig‘imni ...

Bu fayl DOCX formatida 7 sahifadan iborat (155,2 KB). "yuqori chastotali diodlar"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: yuqori chastotali diodlar DOCX 7 sahifa Bepul yuklash Telegram