bipolyar tranzistor

PPTX 25 стр. 777,0 КБ Бесплатная загрузка

25 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 777,0 КБ

Тип файла PPTX

Страницы 25

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 25

1.ma’ruza. kirish.umumiy tushuncha. om va kirxgof qonunlari. 1 bipolyar tranzistor р-n-р va n-р-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan uchta yarim o‘tkazgichdan tashkil topgan (1.a va b-rasm). endilikda keng tarqalgan n-р-n tuzilmali bipolyar tranzistorni ko‘rib chiqamiz. tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+ - soha) emitter deb ataladi va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o‘rta sohaga (р - soha) injeksiyalaydi. keyingi chekka soha (n - soha) kollektor deb ataladi. u emiitterga nisbatan kuchsizroq legirlangan bo‘lib, zaryad tashuvchilarni baza sohasidan ekstraksiyalash uchun xizmat qiladi (4.2- rasm). bipolyar tranzistor deb o‘zaro ta’sirlashuvchi ikkita р-n o‘tish va uchta elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgich asbobga aytiladi. tranzistordan tok oqib o‘tishi ikki turdagi zaryad tashuvchilar-elektron va kovaklarning harakatiga asoslangan. bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy qilib ulanadi, shu sababli quyidagi ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (ub) (4.3 a-rasm); umumiy emitter (ue) (4.3 b-rasm); umumiy kollektor (uk) (4.3 …

2 / 25

t qilinadi. bu holat baza kengligini kamaytirish hisobiga amalga oshiriladi wln (elektronlarning diffuziya uzunligi). rasmlardan ko‘rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o‘zgarishi kirish harakteristiklarini siljishiga olib keladi. harakteristikaning siljishi erli effekti (baza kengligining modulyasiyasi) bilan aniqlanadi. buning ma’nosi shundaki, kollektor o‘tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda baza sohasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi hisobiga sodir bo‘ladi. baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar rekombinasiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar konsentrasiya gradiyentining ortishi hisobiga emitter tokining ortishi. chiqish harakteristikalari ko‘rinishiga ko‘ra teskari ulangan diod vax siga o‘xshaydi, chunki kollektor o‘tish teskari ulangan. harakteristikalarni qurishda kollektor o‘tishning teskari kuchlanishini o‘ngda o‘rnatish qabul qilingan (5 – rasm). 5 – rasm. bipolyar tranzistorlarning chqish xarakteristikalari: (a) - ik= f (uke), (b) - ik= f (ukb). 16 .bipolyar tranzistorlarning fizik parametrlari tok bo‘yicha vakoeffisiyentlar statik parametrlar hisoblanadi, chunki ular o‘zgarmas toklar nisbatini ifodalaydilar. ulardan tashqari tok …

3 / 25

bog‘liq bo‘ladi. shu sababli kollektor o‘tishning differensial qarshiligi=1mom bo‘ladi. rk qarshiligi asosan erli effekti bilan tushuntiriladi va odatda u ishchi toklarning ortishi bilan kamayadi. baza qarshiligi rb bir necha yuz omni tashkil etadi. yetarlicha katta baza tokida baza qarshiligidagi kuchlanish pasayishi baza va emittter tashqi chiqishlari kuchlanishiga nisbatan emitter o‘tishdagi kuchlanishni kamaytiradi. kichik quvvatli tranzistorlar uchun kollektor qarshiligi o‘nlab om, katta quvvatliklariniki esa birlik omlarni tashkil etadi. juda kichik kirish signallari va aktiv ish rejimi uchun bipolyar tranzistorni chiziqli to‘rtqutblik ko‘rinishida ifodalash mumkin va bu to‘rtqutblikni biror parametrlar tizimi bilan belgilash mumkin. bu parametrlarni h–parametrlar deb atash qabul qilingan. ularga quyidagilar kiradi: h11 – chiqishda qisqa tutashuv bo‘lgan vaqtdagi tranzistorning kirish qarshiligi; h12 – uzilgan kirish holatidagi kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffisiyenti; h21 –chiqishda qisqa tutashuv bo‘lgan vaqtdagi tok bo‘yicha kuchaytirish (uzatish) koeffisiyenti; h22 –uzilgan kirish holatidagi tranzistorning chiqish o‘tkazuvchanligi. barcha h – parametrlar oson va bevosita o‘lchanadi. elektronika bo‘yicha …

4 / 25

polyar tranzistorlarni fizik parametrlari. bipolyar tranzistor bo‘yicha umumiy ma’lumotlar 5.ma’ruza. bipolyar tranzistorlar rеja: bipolyar tranzistor bo‘yicha umumiy ma’lumotlar. bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari. bipolyar tranzistorlarni statik harakteristikalari. bipolyar tranzistorlarni fizik parametrlari. bipolyar tranzistor bo‘yicha umumiy ma’lumotlar emitter va baza oralig‘idagi o‘tish emitter o‘tish, kollektor va baza oralig‘idagi o‘tish esa -kollektor o‘tish deb ataladi. 1 – rasm. bipolyar tranzistorlarning tuzilish sxemalari: (a) - р-n-рo‘tishli, (b) – n-р-n o‘tishli. tashqi kuchlanish manbalari (u eb , u kb ) yordamida emitter o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda, kollektor o‘tish esa – teskari yo‘nalishda siljiydi. bu holda tranzistor aktiv yoki normal rejimda ishlaydi v a uning kuchaytirish xossalari namoyon bo‘ladi. emitter va baza oralig‘idagi o‘tish emitter o‘tish, kollektor va baza oralig‘idagi o‘tish esa -kollektor o‘tish deb ataladi. 1 – rasm. bipolyar tranzistorlarning tuzilish sxemalari: (a) - р-n-рo‘tishli, (b) – n-р-n o‘tishli. tashqi kuchlanish manbalari (ueb, ukb) yordamida emitter o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda, kollektor o‘tish esa – teskari yo‘nalishda siljiydi. …

5 / 25

ari siljigan) ishlashi mumkin. image1.png a) b) v) 3 – rasm. bipolyar tranzistorlarning ulanish sxemalarining turlari: (a) –umumiy bazali, (b) –umumiy emitterli, (v) –umumiy kollektorli. a) b) v) 3 – rasm. bipolyar tranzistorlarning ulanish sxemalarining turlari: (a) –umumiy bazali, (b) –umumiy emitterli, (v) –umumiy kollektorli. image1.png bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi . umumiy bazali ulanish sxemasida aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar tranzistorni o‘zgarmas tokda ishlashini qo‘rib chiqamiz (4.3 a- rasm). bipolyar tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo‘lib baza oralig‘ining yetarlicha kichik kengligi w hisoblanadi; bu vaqtda w l sharti albatta bajarilishi kerak ( l-bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligi). bipolyar tranzistorning ishlashi uchta asosiy hodisaga asoslangan: - emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injeksiyasi; - bazaga injeksiyalangan zaryad tashuvchilarni kollektorga o‘tishi; - bazaga injeksiyalangan zaryad tashuvchilar va kollektor o‘tishga yetib kelgan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga ekstraksiyasi. bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi. umumiy bazali ulanish sxemasida aktiv …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 25 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar tranzistor"

1.ma’ruza. kirish.umumiy tushuncha. om va kirxgof qonunlari. 1 bipolyar tranzistor р-n-р va n-р-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan uchta yarim o‘tkazgichdan tashkil topgan (1.a va b-rasm). endilikda keng tarqalgan n-р-n tuzilmali bipolyar tranzistorni ko‘rib chiqamiz. tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+ - soha) emitter deb ataladi va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o‘rta sohaga (р - soha) injeksiyalaydi. keyingi chekka soha (n - soha) kollektor deb ataladi. u emiitterga nisbatan kuchsizroq legirlangan bo‘lib, zaryad tashuvchilarni baza sohasidan ekstraksiyalash uchun xizmat qiladi (4.2- rasm). bipolyar tranzistor deb o‘zaro ta’sirlashuvchi ikkita р-n o‘tish va uchta elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgich asbobga aytiladi. tranzistordan tok oqib ...

Этот файл содержит 25 стр. в формате PPTX (777,0 КБ). Чтобы скачать "bipolyar tranzistor", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar tranzistor PPTX 25 стр. Бесплатная загрузка Telegram