bipolyar tranzistorlar

DOCX 8 стр. 163,5 КБ Бесплатная загрузка

8 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 163,5 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 8

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 8

iii. bipolyar tranzistorlar 7-mavzu 3.1. tranzistorning ishlash prinsipi tranzistorlar ikkita elektron - kavak o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob bo‘lib, elektron sxemalarda elektr signallarini kuchaytirish uchun, har xil chastotali elektr signallarini hosil qilish uchun va elektr signallarini bir shakldan ikkinchi shaklga aylantirish uchun ishlatiladi. hozirgi vaqtda tranzistorlarning har xil turlari mavjud, ular quvvatiga qarab, ishchi chastotasiga qarab, tayyorlanish texnologiyasiga qarab va ishlash prinsipiga qarab ajralib turadilar. quvvat bo‘yicha ular uch guruhga bo‘linadilar: kam quvvatli tranzistorlar - 0,3 vt gacha; o‘rta quvvatli tranzistorlar - 0,3 dan to 1,5 vt gacha; quvvatli tranzistorlar - 1,5 vt dan yuqori. ishchi chastotasi bo‘yicha: past chastotada ishlovchi tranzistorlar - (3 mgs gacha); o‘rta chastotada ishlovchi tranzistorlar - (3 mgs dan to 30 mgs gacha); yuqori chastotada ishlovchi tranzistorlarga (300 mgs dan yuqori) bo‘linadilar. tranzistorlar elektron - kavak o‘tkazuvchanlikka qarab bir, ikki, uch va ko‘p o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan tranzistorlarga bo‘linadilar. texnologik ishlab chiqarish jarayoni …

2 / 8

lig‘iga +eeb manbani to‘g‘ri ulansa maydon kuchlanganligi emitter o‘tkazuvchanligida pasayadi va natijada zaryadlarning harakati tezlashadi. kavaklar emitter qatlamidan baza qatlamiga (asosiy zaryad tashuvchilar), elektronlar baza qatlamidan emitter qatlamiga (asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar) o‘tadilar va kavaklar ier tokni elektronlar iep tokini hosil qiladilar. natijada emitter zanjirida to‘g‘ri tok hosil bo‘ladi, bu tokni emitter toki deyiladi ie=ier+iep. bunda ier>>iep chunki emitterdagi asosiy zaryad tashuvchilarning konsentratsiyasi bazadagilarga nisbatan quyuqdir. emitterdan bazaga o‘tgan zaryadlar diffuziya natijasida kollektor maydoni ta’sirida tortiladilar va kollektor qatlamiga o‘tadilar, natijada kollektor qatlamida asosiy zaryad tashuvchilarning konsentratsiyasi ko‘payadi va zanjirning kollektorga yopishgan chegarasiga etib borib zanjirdan kelayotgan (-ebk) elektronlar orqali neytranlanadi va kollektor qatlamida zaryadlarning qayta tiklanishi sodir bo‘ladi, natijada elektron muvozanat hosil bo‘ladi. emitter qatlamidan asosiy zaryad tashuvchilarning bazaga o‘tishi natijasida emitter qatlamida kavaklar kamayadi bu esa kirish zanjirining manbai ebe orqali to‘ladi va emitter qatlamida ham muvozanat holati tiklanadi. ko‘pchilik tranzistorlarda tok bo‘yicha uzatish koeffitsienti =0,920,997. emitter toki …

3 / 8

ng uch xil ulanish sxemasi tranzistor elektrodlarining qaysi biri boshqalari uchun umumiy bo‘lishiga qarab turib uchta ulanish sxemasiga ega: umumiy emitter ulanish sxemasi (ue), umumiy kollektor ulanish sxemasi (uk) va umumiy baza ulanish sxemasi (ub). 3.2-rasmda umumiy baza ulanish sxemasi ko‘rsatilgan. umumiy emitter ulanish sxemasi 3.4, a va v-rasm eng ko‘p ishlatiladigan sxemadir. bu sxemada kirish toki ib tokidir, chiqish toki ik kollektor tokidir. kirish kuchlanishi ube, chiqish kuchlanishi uke dir. a) b) 3.2-rasm. tranzistorni umumiy baza ulanish sxemasi 3.3-rasmda tranzistorning umumiy baza ulanish sxemasidagi statik kirish (a) va statik chiqish (v) xarakteristikasi berilgan. a) b) 3.3-rasm. tranzistorning umumiy baza ulanish sxemasi: a) statik kirish harakteristikasi; b) statik chiqish harakteristikasi 3-rasmda tranzistorning umumiy emitter ulanish sxemasi uchun statik kirish (a) va statik chiqish (b) xarakteristikasi berilgan. a) b) 3.4-rasm. tranzistorning umumiy emitter ulanish sxemasi umumiy emitter ulanish sxemasida tok bo‘yicha uzatish koeffitsienti quyidagicha aniqlanadi. . (3.1) umumiy kollektor ulanish sxemasida …

4 / 8

shlatish mumkin. faol holatda qirqish holatda invers holatda to‘yinish holatda 3.7-rasm. tranzistorni to‘rt qutblilik holati 3.1-jadval sxema turi kuchaytirish kirish qarshiligi [om] ki ku kp ub 1 1000 1000 bir nechtadan - o‘nlargacha ue 10-100 100 10000 yuzlar uk 10-100 1 100 o‘n minggacha 3.3. tranzistor - aktiv to‘rtqutblik. h - parametrlar kichik signallarni kuchaytirish rejimida umumiy baza bilan tranzistorni chizikli turt kutublik sifatida tasvirlash mumkin (3.8-rasm) bu xolda tranzistorning kirish va chikish parametirlari uzaro kuyidagi tenglamalar orkali boglangan: ( 3.8-расм ) tranzistor h – parametrining fizikaviy ma’nosi kuydagichadir: – chikishda kiska tutashish rejimida tranzistorning kirish karshiligi. – kirishning siltish rejimida ichki teskari boglanish koeffitsenti. – chikishning kiska tutashuv rejimida tokni uzatish koeffitsenti. – kirishning saltish rejimida tranzistorning chikish utkazuvchanligi. umumiy baza (ub) sxemali uchun h – parametrlar kuydagi formulalar orkali xisoblanadi: bulganda, (1) bulganda, (2) bulganda, (3) bulganda, (4) h – parametrlarni analitik xisoblash kiyin va anik emas. shu …

5 / 8

rab turib elektr signallarini har xil kuchaytiradilar. 3.10-rasmda eng sodda kuchaytirish sxemalari r-n-r tranzistor orqali tashkil qilingan (3.10, a-rasmda umumiy baza ulanish sxemasi, 3.10, b-rasmda umumiy emitter ulanish sxemasi, 3.10, v-rasmda umumiy kollektor ulanish sxemasi ko‘rsatilgan) tranzistorli kuchaytirgichlarning asosiy ko‘rsatkichlari quyidagicha: tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti (3.10) kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti (3.11) quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti (3.12) kirish qarshiligi (3.13) 3.10-rasm keltirilgan sxemalar uchun tok bo‘yicha, kuchlanish bo‘yicha, quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti quyidagicha aniqlanadi. umumiy baza ulanish sxemasi uchun ; (3.14) ; (3.15) (3.16) umumiy emitter ulanish sxemasi uchun ; (3.17) ; (3.18) (3.19) umumiy kollektor ulanish sxemasi uchun ; (3.20) ; (3.21) (3.22) keltirilgan ifodalardan ko‘rinib turibdiki tok bo‘yicha, kuchlanish bo‘yicha, quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti ulanish sxemasiga hamda sxemaning kirish qarshiligiga bog‘liq. image7.png image8.png image9.png image10.wmf oleobject2.bin image11.png image12.png image13.wmf oleobject3.bin image14.png image15.png image16.png image17.jpeg image18.wmf oleobject4.bin image19.wmf oleobject5.bin image20.wmf oleobject6.bin image21.wmf oleobject7.bin image22.wmf oleobject8.bin image23.wmf oleobject9.bin image24.wmf oleobject10.bin image25.wmf …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 8 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar tranzistorlar"

iii. bipolyar tranzistorlar 7-mavzu 3.1. tranzistorning ishlash prinsipi tranzistorlar ikkita elektron - kavak o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob bo‘lib, elektron sxemalarda elektr signallarini kuchaytirish uchun, har xil chastotali elektr signallarini hosil qilish uchun va elektr signallarini bir shakldan ikkinchi shaklga aylantirish uchun ishlatiladi. hozirgi vaqtda tranzistorlarning har xil turlari mavjud, ular quvvatiga qarab, ishchi chastotasiga qarab, tayyorlanish texnologiyasiga qarab va ishlash prinsipiga qarab ajralib turadilar. quvvat bo‘yicha ular uch guruhga bo‘linadilar: kam quvvatli tranzistorlar - 0,3 vt gacha; o‘rta quvvatli tranzistorlar - 0,3 dan to 1,5 vt gacha; quvvatli tranzistorlar - 1,5 vt dan yuqori. ishchi chastotasi bo‘yic...

Этот файл содержит 8 стр. в формате DOCX (163,5 КБ). Чтобы скачать "bipolyar tranzistorlar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar tranzistorlar DOCX 8 стр. Бесплатная загрузка Telegram