диффузия усули билан электрон-ковак ўтишни ҳосил қилиш

DOC 780,0 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1452100252_63140.doc dt x 2 dt x 2 dt x j 2 1 0 1 1 2 t d x dt x j 2 1 0 dt 2 ) 2 / ( 2 / 1 2 2 1 1 01 ) ( 2 dt x e t d t d n - p 1 1 2 2 t d t d >> диффузия усули билан электрон-ковак œтишни ќосил šилиш диффузия усули билан электрон-ковак ўтишни ҳосил қилиш режа: 1. чексиз манбадан диффузия 2. яримчексиз манбадан диффузия 3. чексиз юпқа қатламдан диффузия 4. диффузия ўтказиш усуллари диффузия усули яримўтказгичларга киришмавий атомлар киритишда, яримўтказгичларнинг электрофизик хоссаларини мақсадли бошқаришда, электрон-ковак ўтишларни ҳосил қилишда электроника ва микроэлектроника саноатида, илмий тадқиқотларда кенг қўлланилади. диффузия усулининг яримўтказгичларни легирлашнинг бошқа усулларига нисбатан бир қанча афзаллик томонлари мавжуд: 1. деярли ихтиёрий юзада юқори сифатли электрон-ковак ўтишни олиш мумкин. 2. диффузия ускуналари жуда содда бўлиб, жараённи бошқариш осон ва содда математик …

ўлади. яримўтказгичларда диффузия икки хил бўлади: 1. кимёвий мувозанат ҳолатида бўлган кристаллдаги диффузия, яъни ўздиффузия; 2. кимёвий мувозанат ҳолатида бўлмаган, кимёвий потенциал градиенти ортган кристаллдаги диффузия, яъни гетеродиффузия. кристалл панжарадаги диффузия жараёни атомларнинг бир мувозанат ҳолатидан иккинчи ҳолатга сакраши билан тавсифланади. бундай сакраш узунлиги кристалл панжара доимийси тартибида бўлади. агар қаттиқ жисмда бирор бир элемент атомларининг концентрация градиенти ҳосил бўлса, у ҳолда бутун ҳажм бўйича бу атомлар сонини тенглаштиришга йўналган диффузия ҳаракати вужудга келади. қаттиқ жисмларда диффузия туфайли концентрациянинг тенглашиш жараёни фақатгина юқори температураларда сезиларли амалга ошади. ушбу ҳолда зарраларнинг ҳаракат тезлиги кескин ортади. паст (хона) температураларда эса қаттиқ жисмларда диффузия жараёни умуман олганда содир бўлмайди. атомларнинг ўз жойидан сакрашининг асосан уч хил механизми мавжуд: 1. тугунлардаги атомларнинг ўзаро ўрин алмашиниши мумкин (1а-расм). 2. атомлар кристалл панжаранинг бўш тугунлари (вакансиялар) бўйича ҳаракат қилиши мумкин (1б-расм). 3. атомлар тугунлараро ҳаракат қилиши мумкин (1в-расм). расм. кристалл панжара тугунларида жойлашган атомлар ўз мувозанат …

ансиялар қўшни атомлар билан осон ўрин алмашинади. бунинг натижасида улар тугунлараро ҳаракат қилади. расм. иссиқлик мувозанати шароитида кристаллда маълум миқдорда вакансиялар концентрацияси мавжуддир. уларнинг концентрацияси температура бўйича экспоненциал қонун асосида ортади: nv ≈ e-∆e/kt (1) бу ерда, ∆еv - вакансия ҳосил бўлиш энергияси; k - больцман доимийси; т - кристалл температураси (абсолют температура). германий ва кремний кристалл панжараларида мувозанатли вакансиялар концентрацияси хона температурасида 1013-1014 м-3 ни ташкил этади ва унинг миқдори температура, шунингдек киришмалар концентрацияси ва панжара нуқсонлари ортиши билан ортади. масалан, кремнийда 1100-12000с температураларда, термодинамик мувозанат шароитларида, nv=1021÷1024 м-3. вакансиялар концентрацияси ~5∙1025 м-3 га етганда (яъни вакансиялар миқдори тугунлар миқдорининг 10-3 % қисмига яқинлашганда) кристалл эрий бошлайди. агар диффузия жараёнида атомларнинг тартибсиз ҳаракати туфайли концентрация градиенти ортади деб қарасак, модда сиртига тик йўналишда бирлик юзадан бирлик вақт ичида ўтадиган диффузияланувчи атомлар оқими қуйидаги тенглик билан ифодаланади: f = - d grad n (2) бу ерда, f - диффузияланувчи модда …

келиши учун албатта концентрация градиенти ортиши керак. фикнинг иккинчи қонуни диффузия йўналишига тик бўлган ихтиёрий текисликга кириб борган киришмаларнинг тўпланиш тезлигини аниқлайди: (n/(t = d (2n/(x2 (4) юқоридаги ифодаларда диффузия коэффициенти киришманинг концентрациясига боғлиқ эмас, деб ҳисобланади. фикнинг иккинчи қонуни барча диффузия жараёнлари учун муҳим аҳамиятга эга ва шунинг учун ҳам улар диффузия тенгламалари деб аталади. диффузия коэффициенти d асосий катталиклардан бири ҳисобланади. ушбу катталик киришмавий атомларнинг боғланиш энергиясига, кристаллдаги вакансиялар миқдорига, кристалл панжара доимийсига ва бошқа бир қанча катталикларга боғлиқ бўлади. қаттиқ жисмларда диффузия коэффициентини аниқлашда газлар учун чиқарилган диффузия коэффициенти ифодасидан фойдаланилади. фақат газлардан фарқли равишда кристалларда атомларнинг элементар кўчиши кристалл панжара доимийси а орқали ифодаланади (3-расм). расм. шунинг учун ҳам кристалларда диффузия коэффициенти қуйидагича ифодаланади: d = k0 a2/( (5) бу ерда, kо - кристаллнинг тузилиши ва диффузия механизмига боғлиқ бўлган коэффициент. ҳажмий марказлашган кубсимон панжара учун диффузия бўш тугунлар (вакансиялар) бўйича амалга ошаётган бўлса, kо = …

ация градиентидаги модда атомлари оқими зичлиги катталигини аниқлайди. яримўтказгичларда киришмавий атомлар диффузияси тезлиги уларнинг чегаравий эрувчанлигига тескари пропорционалдир. одатда киришмавий атомларнинг тугунлараро диффузия тезлиги панжара вакансиялари бўйича диффузия тезлигидан анча юқоридир. қаттиқ жисмларда температура ортиши билан диффузия коэффициенти экспоненциал қонунга мувофиқ кескин ортиб кетади. фик қонунлари асосида аниқланган диффузия коэффициенти орқали, шунингдек берилган бошланғич ва чегаравий шартлар ёрдамида қуйидаги масалаларни ечиш мумкин: 1. киришмавий атомлар тақсимотини аниқлаш. 2. киришмавий атомлар концентрациясини аниқлаш. 3. диффузияланувчи киришмавий атомлар эрувчанлигини аниқлаш. мисол сифатида турли чегаравий шартлар орқали киришмалар концентрациясининг тақсимоти учун тенгламалар ечимини кўриб чиқамиз. чексиз манбадан диффузия агар диффузия жараёнида яримўтказгич қатламидан унинг ҳажмига кираётган киришма миқдори, яримўтказгич юзасига келаётган киришма миқдорига тенг бўлса, бундай манба чексиз манба (4-расм) деб аталади. ушбу ҳолда яримўтказгич кристаллдаги киришманинг бошланғич концентрацияси нолга тенг бўлади ва (3) тенглама ечими қуйидаги кўринишда бўлади: n(x, t)=n0(1-erf x/2 (dt) (7) n(0, t)=n0; n(x,0)=n0 бу ерда, erf - гаусс хатоликлар …

Хотите читать дальше?

Скачайте полный файл бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "диффузия усули билан электрон-ковак ўтишни ҳосил қилиш"

1452100252_63140.doc dt x 2 dt x 2 dt x j 2 1 0 1 1 2 t d x dt x j 2 1 0 dt 2 ) 2 / ( 2 / 1 2 2 1 1 01 ) ( 2 dt x e t d t d n - p 1 1 2 2 t d t d >> диффузия усули билан электрон-ковак œтишни ќосил šилиш диффузия усули билан электрон-ковак ўтишни ҳосил қилиш режа: 1. чексиз манбадан диффузия 2. яримчексиз манбадан диффузия 3. чексиз юпқа қатламдан диффузия 4. диффузия ўтказиш усуллари диффузия усули яримўтказгичларга киришмавий атомлар киритишда, яримўтказгичларнинг электрофизик хоссаларини мақсадли бошқаришда, электрон-ковак ўтишларни ҳосил қилишда электроника ва микроэлектроника саноатида, илмий тадқиқотларда кенг қўлланилади. диффузия усулининг яримўтказгичларни легирлашнинг …

Формат DOC, 780,0 КБ. Чтобы скачать "диффузия усули билан электрон-ковак ўтишни ҳосил қилиш", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: диффузия усули билан электрон-к… DOC Бесплатная загрузка Telegram