интеграл микросхемалар (имс)

PPT 43 стр. 641,5 КБ Бесплатная загрузка

43 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 641,5 КБ

Тип файла PPT

Страницы 43

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 43

powerpoint presentation мавзу 3. интеграл микросхемалар (имс) режа имс. имс нинг тавсифланиши. яримўтказгичли имс лар. имслар яратишнинг технологик жараёни. имс интеграл микросхема – юқори зичликда жойлаштирилган элемент ва компонентларнинг (транзистор, диод, резисторлар ва ҳ.к.з) конструктив ва электрон жиҳатдан уланган микроэлектрон қурилмаси бўлиб, сигналларни қайта ишлаш (ўгириш) учун мўлжалланган. имс (англ.chip «юпқа пластинка» маъносини ҳам билдиради. имс интеграл микросхема (имс) ўта ихчам, ўта пишиқ, кичик таннархга эга бўлган ва кам қувват истеъмол қиладиган радиоэлемент ясаш йўлидаги уринишлар маҳсулидир. имс элементи деб, конструкцияси бўйича кристалл ёки асосдан ажралмайдиган, электрорадиоэлемент (эрэ) функциясини бажарувчи имснинг қисмига айтилади. имс компоненти деб, дискрет элемент функциясини бажарувчи, лекин монтаждан аввал мустақил маҳсулот бўлган имснинг бўлагига айтилади. имс ўлчамлари имслар 22x22x4 ммли тўғри тўртбурчак шаклдаги ёки диаметри 9,4 мм бўлган цилиндр шаклдаги металл ёки металл шиша қобиқларга жойлаштирилади. қобиқлар яна полимер материаллардан ҳам ясалиши мумкин, чиқишлари эса латундан ясалади. қобиқсиз микросхемалар полимер материал бўлган термореактив компаунд билан усти …

2 / 43

р транзисторли ва мдя-транзисторли имслар; истеъмол қувватига кўра: кам қувватли, ўрта қувватли, катта қувватли имслар; ишчи частотасига кўра: паст частота, ўрта частота ва юқори частота имслари; элементларни бир-биридан изоляцияланиш усулига кўра ва х.з. имсларнинг белгиланиш тизими имслар 6та элементдан иборат бўлган белгиланиш тизими ёрдамида классификацияланади: биринчи элемент (к – ҳарфи) – имс кенг кўламда қўлланилиш учун мўлжалланганлигини билдиради. экспорт учун мўлжалланганлари эк ҳарфлари билан белгиланади. иккинчи элемент (ҳарф) материал ва қобиқ турини билдиради (а- пластмассали планар, е-металл-полимерли, чиқишлари 2қатор қилиб ясалган, и-шишакерамикли планар, б-қобиқсиз ва х.з.). имсларнинг белгиланиш тизими учинчи элемент (битта сон) – имснинг конструктив-технологик турини билдиради (1,5,6,7-яримўтказгичли, 2,4,8-гибрид, 3-бошқа: пардали, керамик, вакуумли). тўртинчи элемент (иккита ёки учта сон) – имс сериясининг тартиб рақамини билдиради. иккита сон бирлаликда-аниқ серия рақамини билдиради. бешинчи элемент (иккита ҳарф) – имснинг функционал вазифасини билдиради. олтинчи элемент бир турдаги имс сериялари ичидаги ишланма тартиб рақамини билдиради. ярим ўтказгичли имс яримўтказгичли имс тузилмасининг асосий элементи …

3 / 43

к жараёни имслар яратишнинг технологик жараёни легирлаш локал тарзда махсус тешикли маскалар ёрдамида амалга оширилади, улар ёрдамида эса киритма атомлари пластинанинг керакли соҳаларига киритилади. маска ролини одатда sio2 кремний диоксиди бажаради, кремнийли пластинанинг ёпилувчи сирти. ушбу пленкада хар хил услубларда керакли шаклдаги деразалар ҳосил бўлади. биполяр ис нинг асосий элементи бўлиб n–p–n-транзистор хизмат қилади ва унинг тайёрланишига бутун технологик цикл йўналтирилади. бошқа элементлар, имкон қадар қўшимча технологик операцияларсиз ушбу транзистордан яратилади. имслар яратишнинг технологик жараёни мдя (моя) ис асосий элементи бўлиб мдя (моя) транзистори хизмат қилади. биполяр ис элементларини улар кристал орқали алоқа қилмасликлари учун бир биридан изоляция қилиш керак бўлади. мдя (моя) элементлари бир биридан изоляция қилишни талаб этмайди. бу унинг биполяр ис га қараганда унинг афзаллиги ҳисобланади. охирги вақтда подложка (таглик) материали сифатида арсенид-галлий кенг тарқалди. ушбу асосдаги яримўтказгичли микросхемаларда актив элемент сифатида бошқарилувчи металл-яримўтказгич ўтишли майдоний транзисторлар (мея) хизмат қилади. имслар яратишнинг технологик жараёни замонавий яримўтказгичли ис …

4 / 43

ия. эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учун ишлатилади. газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради. термик оксидлаш. термик оксидлаш – кремний сиртида оксид (sio2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. у юқори (1000÷1200) 0с температураларда кечади. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар фотолитография - яримўтказгич пластинадаги металл ёки диэлектрик пардалар сиртида маълум шаклдаги локал соҳаларни ҳосил қилиш жараёни. ушбу соҳалар кимёвий емиришдан ҳимояланган бўлиши шарт. фотолитография жараёнида ультрабинафша нур таъсирида ўз хусусиятларини ўзгартирувчи, фоторезист деб аталувчи, махсус моддалар ишлатилади. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар фоторезист оксидланган кремний пластинаси сиртига суртилади ва кварц шиша ниқоб орқали ёритилади. ниқоблар шаффоф ва шаффоф эмас соҳаларга эга бўлгани учун фоторезистнинг маълум соҳаларига ёруғлик (ультрабинафша нур) таъсир этиб, унинг …

5 / 43

тирқишлар орқали кристалга киритиш билан амалга оширилади. ион легирлаш универсаллиги ва осон амалга оширилиши билан характерланади. ионлар токини ўзгартириб легирловчи киритмалар концентрациясини, энергиясини ўзгартириб эса – легирлаш чуқурлигини бошқариш мумкин. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар емириш - яримўтказгич, унинг сиртидаги оксидлар ва бошқа бирикмаларни кимёвий моддалар ҳамда уларнинг аралашмалари ёрдамида эритиб тозалаш жараёни. емириш яримўтказгич сиртини тозалаш, оксид қатламда “дарча”лар очиш ва турли кўринишга эга бўлган “чуқурчалар” ҳосил қилиш учун қўлланилади. яримўтказгич сиртини тозалаш ва “дарча”лар ҳосил қилиш учун изотроп емиришдан фойдаланилади, бунда яримўтказгич барча кристаллографик йўналишлар бўйлаб бир хил тезликда эритилади. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар пардалар ҳосил қилиш. пардалар ис элементларини электр жиҳатдан улаш ҳамда резисторлар, конденсаторлар ва гибрид исларда элементлар орасидаги изоляцияни амалга ошириш учун қўлланилади. мисол тариқасида металлашни – кристалл ёки асос сиртида металл пардалар ҳосил қилиш жараёнини кўриб чиқамиз. металлаш учун олтин, никель, кумуш, алюминий ва cr-au, ti-au ва бошқалар ишлатилади. …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 43 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "интеграл микросхемалар (имс)"

powerpoint presentation мавзу 3. интеграл микросхемалар (имс) режа имс. имс нинг тавсифланиши. яримўтказгичли имс лар. имслар яратишнинг технологик жараёни. имс интеграл микросхема – юқори зичликда жойлаштирилган элемент ва компонентларнинг (транзистор, диод, резисторлар ва ҳ.к.з) конструктив ва электрон жиҳатдан уланган микроэлектрон қурилмаси бўлиб, сигналларни қайта ишлаш (ўгириш) учун мўлжалланган. имс (англ.chip «юпқа пластинка» маъносини ҳам билдиради. имс интеграл микросхема (имс) ўта ихчам, ўта пишиқ, кичик таннархга эга бўлган ва кам қувват истеъмол қиладиган радиоэлемент ясаш йўлидаги уринишлар маҳсулидир. имс элементи деб, конструкцияси бўйича кристалл ёки асосдан ажралмайдиган, электрорадиоэлемент (эрэ) функциясини бажарувчи имснинг қисмига айтилади. имс компоненти деб, дискрет...

Этот файл содержит 43 стр. в формате PPT (641,5 КБ). Чтобы скачать "интеграл микросхемалар (имс)", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: интеграл микросхемалар (имс) PPT 43 стр. Бесплатная загрузка Telegram