bipolyar tranzistorlar

DOCX 6 стр. 22,5 КБ Бесплатная загрузка

6 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 22,5 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 6

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 6

$iv b o b . b ip o l y a r t r a n z i s t o r l a r 4 .1 . umumiy ma’lumotlar bipolyar tranzistor(вт) deb o ‘zaro ta ’sirlashuvchi ikkita p-n o ‘tishdan tashkil topgan va signallarni tok, kuchlanish yoki quw at bo'yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo'tkazgich asbobga aytiladi. btda tok hosil bo'lishida ikki xil (bipolyar) zaryad tashuvchilar — elektronlar va kovaklar ishtirok etadi. вт p — va n — o ‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchi uchta (emitter, baza va kollektor) yarimo'tkazgich sohaga ega (4.1, a yoki b-rasmlar). a) b) e e o ' b ко' к n n t в к p f 1 n 4.1-rasm. p-n-p(a) va n-p-n(b) turli вт lar tuzilmasi va ularning sxemada shartli belgilanishi. yarimo'tkazgich sohalarni belgilashda asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo'lgan soha p+yo k\n + belgisi qo'yilishi bilan boshqa sohalardan farqlanishi qabul qilingan. tranzistorning sohalari ichida eng …$

2 / 6

m ni tashkil etadi. tuzilish xususiyatlariga va tayyorlash texnologiyasiga ko‘ra btlar eritib tayyorlangan, planarva planar-epitaksialtranzistorlarga ajratiladi. q otishm ali tranzistorlarning baza sohasida kiritm alar taqsimlanishi bir jinsli (tekis) bo‘lganligi sababli, unda elektr maydon hosil bo'lmaydi. shuning uchun eznlar bazadan kollektorga diffuziya hisobiga ko‘chadilar. planar va planar-epitaksial tranzistorlarning baza sohasida kiritmalar konsentratsiyasi taqsimoti bir jinsli emas (notekis) bo‘lib, u kollektorga siljigan sari kamayib boradi. bunday btlar dreyflitranzistorlar deb ataladi. kiritmalar konsentratsiyasi gradiyenti ichki elektr maydon hosil bo‘lishiga olib keladi va eznlar bazadan kollektorga dreyf va diffuziya jarayonlari hisobiga ko‘chadilar. demak, dreyfli btlaming tezkorligi yuqori bo'ladi. btlar asosan chastotalarning keng diapazonida (0-m0 ggs) va quvvat bo‘yicha (0,01^-100 vt) elektr signallami o'zgartuvchi, generator va kuchaytirgich sxemalarni hosil qilish uchun ishlatiladi. btlar chastota bo‘yicha: past chastotali — 3 m gs gacha; o ‘rta chastotali 0,3-^30 mgs; yuqori chastotali 30-^300 m gs; o ‘ta yuqori chastotali — 300 mgs dan yuqori guruhlarga boiinadi. quvvat bo'yicha …

3 / 6

$a ’sirlashuvchi ikkita p-n o ‘tishdan tashkil topgan va signallarni tok, kuchlanish yoki quw at bo'yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo'tkazgich asbobga aytiladi. btda tok hosil bo'lishida ikki xil (bipolyar) zaryad tashuvchilar — elektronlar va kovaklar ishtirok etadi. вт p — va n — o ‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchi uchta (emitter, baza va kollektor) yarimo'tkazgich sohaga ega (4.1, a yoki b-rasmlar). a) b) e e o ' b ко' к n n t в к p f 1 n 4.1-rasm. p-n-p(a) va n-p-n(b) turli вт lar tuzilmasi va ularning sxemada shartli belgilanishi. yarimo'tkazgich sohalarni belgilashda asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo'lgan soha p+yo k\n + belgisi qo'yilishi bilan boshqa sohalardan farqlanishi qabul qilingan. tranzistorning sohalari ichida eng yuqori konsentratsiyaga ega bo'lgan chekka soha ( n+ — soha) n +-p-nyoki (p+— soha) p +-n-p turli tranzistorlarda emitter( e)deb ataladi. emitteming vazifasi tranzistorning baza (b)sohasi deb ataluvchi o'rta ( p - yoki n — …$

4 / 6

a planar-epitaksialtranzistorlarga ajratiladi. q otishm ali tranzistorlarning baza sohasida kiritm alar taqsimlanishi bir jinsli (tekis) bo‘lganligi sababli, unda elektr maydon hosil bo'lmaydi. shuning uchun eznlar bazadan kollektorga diffuziya hisobiga ko‘chadilar. planar va planar-epitaksial tranzistorlarning baza sohasida kiritmalar konsentratsiyasi taqsimoti bir jinsli emas (notekis) bo‘lib, u kollektorga siljigan sari kamayib boradi. bunday btlar dreyflitranzistorlar deb ataladi. kiritmalar konsentratsiyasi gradiyenti ichki elektr maydon hosil bo‘lishiga olib keladi va eznlar bazadan kollektorga dreyf va diffuziya jarayonlari hisobiga ko‘chadilar. demak, dreyfli btlaming tezkorligi yuqori bo'ladi. btlar asosan chastotalarning keng diapazonida (0-m0 ggs) va quvvat bo‘yicha (0,01^-100 vt) elektr signallami o'zgartuvchi, generator va kuchaytirgich sxemalarni hosil qilish uchun ishlatiladi. btlar chastota bo‘yicha: past chastotali — 3 m gs gacha; o ‘rta chastotali 0,3-^30 mgs; yuqori chastotali 30-^300 m gs; o ‘ta yuqori chastotali — 300 mgs dan yuqori guruhlarga boiinadi. quvvat bo'yicha — kam quw atli — 0,3 vt gacha; o ‘rta quw atli — …

5 / 6

da keng qo'llaniladi. agar eo ' teskari yo'nalishda, ко' esa to 'g 'ri yo'nalishda siljitilgan bo'lsa, вт invers (teskari)rejimda ishlaydi. agar em itter va kollektor o'tishlar to 'g 'ri siljitilgan bo'lsa, вт to'yinish,teskari siljitilgan bo'lsa — berkrejimda ishlaydi. bu rejimlar raqamli sxemotexnikada keng qo'llaniladi. eo' to 'g 'ri siljitilganda ko'da eyk hosil bo'lsa, вт injeksiya — voltaikrejimda ishlaydi. btning yana bir rejimi bo'lib, u teskari siljitilgan ko'ga yuqori kuchlanishlar yoki tem peratura ta ’sir etganda yuzaga keladi. bu rejim teshilishrejimi deb ataladi. ko'chkili tranzistorlar elektr teshilish hisobiga ishlaydi.tning beshta asosiy ish rejimi mavjud. agar tashqi kuchlanish manbalari (ueb, ukb) yordamida eo' to'g'ri yo'nalishda, ко' esa teskari yo'nalishda siljitilsa, u holda вт aktiv (normal) rejimda ishlaydi. bu rejim analog sxemotexnikada keng qo'llaniladi. agar eo ' teskari yo'nalishda, ко' esa to 'g 'ri yo'nalishda siljitilgan bo'lsa, вт invers (teskari)rejimda ishlaydi. agar em itter va kollektor o'tishlar to 'g 'ri siljitilgan bo'lsa, вт …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 6 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar tranzistorlar"

iv b o b . b ip o l y a r t r a n z i s t o r l a r 4 .1 . umumiy ma’lumotlar bipolyar tranzistor(вт) deb o ‘zaro ta ’sirlashuvchi ikkita p-n o ‘tishdan tashkil topgan va signallarni tok, kuchlanish yoki quw at bo'yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo'tkazgich asbobga aytiladi. btda tok hosil bo'lishida ikki xil (bipolyar) zaryad tashuvchilar — elektronlar va kovaklar ishtirok etadi. вт p — va n — o ‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchi uchta (emitter, baza va kollektor) yarimo'tkazgich sohaga ega (4.1, a yoki b-rasmlar). a) b) e e o ' b ко' к n n t в к p f 1 n 4.1-rasm. p-n-p(a) va n-p-n(b) turli вт lar tuzilmasi …

Этот файл содержит 6 стр. в формате DOCX (22,5 КБ). Чтобы скачать "bipolyar tranzistorlar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar tranzistorlar DOCX 6 стр. Бесплатная загрузка Telegram