интеграл микросхемалар ва уларнинг синфланиши

PPTX 486,0 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1744802335.pptx /docprops/thumbnail.jpeg интеграл микросхемалар ва уларнинг синфланиши интеграл микросхемалар ва уларнинг синфланиши режа интеграл микросхемалар (имс) таърифи имслар классификацияси имс пассив элементлари имс актив элементлари имс тайёрлаш технологияси имс таърифи интеграл микросхема (имс) ўта ихчам, ўта пишиқ, кичик таннархга эга бўлган ва кам қувват истеъмол қиладиган радиоэлемент ясаш йўлидаги уринишлар маҳсулидир. имс элементи деб, конструкцияси бўйича кристалл ёки асосдан ажралмайдиган, эрэ функциясини бажарувчи имснинг қисмига айтилади. имс компоненти деб, дискрет элемент функциясини бажарувчи, лекин монтаждан аввал мустақил маҳсулот бўлган имснинг бўлагига айтилади. йиғиш, монтаж қилиш операцияларини бажаришда компонентлар микросхема асосига ўрнатилади. қобиқсиз диод ва транзисторлар, конденсаторларнинг махсус турлари, кичик ўлчамли индуктивлик ғалтаклари ва бошқалар содда компонентларга, мураккаб компонентларга эса – бир нечта элементдан ташкил топган, масалан, диод ёки транзисторлар йиғмалари киради. элементлари яримўтказгич асоснинг сиртига яқин қатламда ҳосил қилинган микросхемалар яримўтказгич имс деб аталади. элементлари диэлектрик асос сиртида парда кўринишида ҳосил қилинган микросхемалар пардали имс деб аталади. пардалар турли материалларни …

ияси интеграция даражасига кўра: кичик, ўрта, катта, ўта катта, ультра катта ва гига катта имслар; қабул қилинаётган, сақланаётган ва ишлов берилаётган сигнал турига кўра: аналог ва рақамли имслар; тайёрланиш конструктив-технологик турига кўра: яримўтказгичли, пардали ва гибрид имслар; актив элемент турига кўра: биполяр транзисторли ва мдя-транзисторли имслар; истеъмол қувватига кўра: кам қувватли, ўрта қувватли, катта қувватли имслар; ишчи частотасига кўра: паст частота, ўрта частота ва юқори частота имслари; элементларни бир-биридан изоляцияланиш усулига кўра ва х.з. имс ва унинг белгиланиш тизими имсларнинг белгиланиш тизими имслар 6та элементдан иборат бўлган белгиланиш тизими ёрдамида классификацияланади: биринчи элемент (к – ҳарфи) – имс кенг кўламда қўлланилиш учун мўлжалланганлигини билдиради. экспорт учун мўлжалланганлари эк ҳарфлари билан бьелгиланади. иккинчи элемент (ҳарф) материал ва кобиқ турини билдиради (а- пластмассали планар, е-металл-полимерли, чиқишлари 2 қатор қилиб ясалган, и-шишакерамикли планар, б-қобиқсиз ва х.з.). имсларнинг белгиланиш тизими учинчи элемент (битта сон) – имснинг конструктив-технологик турини билдиради (1,5,6,7-яримўтказгичли, 2,4,8-гибрид, 3-бошқа: пардали, керамик, …

жараён ва операциялар эпитаксия. эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учун ишлатилади. газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради. термик оксидлаш. термик оксидлаш – кремний сиртида оксид (sio2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. у юқори (1000÷1200) 0с температураларда кечади. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар фотолитография - яримўтказгич пластинадаги металл ёки диэлектрик пардалар сиртида маълум шаклдаги локал соҳаларни ҳосил қилиш жараёни. ушбу соҳалар кимёвий емиришдан ҳимояланган бўлиши шарт. фотолитография жараёнида ультрабинафша нур таъсирида ўз хусусиятларини ўзгартирувчи, фоторезист деб аталувчи, махсус моддалар ишлатилади. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар фоторезист оксидланган кремний пластинаси сиртига суртилади ва кварц шиша ниқоб орқали ёритилади. ниқоблар шаффоф ва шаффоф эмас соҳаларга эга бўлгани учун фоторезистнинг маълум соҳаларига ёруғлик (ультрабинафша нур) …

н киритма ионларини ниқобдаги тирқишлар орқали кристалга киритиш билан амалга оширилади. ион легирлаш универсаллиги ва осон амалга оширилиши билан характерланади. ионлар токини ўзгартириб легирловчи киритмалар концентрациясини, энергиясини ўзгартириб эса – легирлаш чуқурлигини бошқариш мумкин. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар емириш - яримўтказгич, унинг сиртидаги оксидлар ва бошқа бирикмаларни кимёвий моддалар ҳамда уларнинг аралашмалари ёрдамида эритиб тозалаш жараёни. емириш яримўтказгич сиртини тозалаш, оксид қатламда “дарча”лар очиш ва турли кўринишга эга бўлган “чуқурчалар” ҳосил қилиш учун қўлланилади. яримўтказгич сиртини тозалаш ва “дарча”лар ҳосил қилиш учун изотроп емиришдан фойдаланилади, бунда яримўтказгич барча кристаллографик йўналишлар бўйлаб бир хил тезликда эритилади. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар пардалар ҳосил қилиш. пардалар ис элементларини электр жиҳатдан улаш ҳамда резисторлар, конденсаторлар ва гибрид исларда элементлар орасидаги изоляцияни амалга ошириш учун қўлланилади. мисол тариқасида металлашни – кристалл ёки асос сиртида металл пардалар ҳосил қилиш жараёнини кўриб чиқамиз. металлаш учун олтин, никель, кумуш, алюминий ва cr-au, …

га ингичка (ø 20÷30 мкм) симлар ёрдамида уланади. яримўтказгич имслар яратишда технологик жараён ва операциялар симлар уланаётганда термокомпрессиядан фойдаланилади, яъни уланаётган сим билан контакт юзачаси ёки микросхема электроди 200÷300 0с температурада ва юқори босимда бир – бирига босиб бириктирилади. монтаж операциялари тугагандан сўнг кристалл юзаси атроф муҳит атмосфераси таъсиридан ҳимоялаш учун қобиқланади. одиий интеграл схемаларда чиқиш электродлари сони 8-14 та, кисларда эса 64 тагача ва ундан кўпроқ бўлиши мумкин. ислар қобиқлари металл ёки пластмассадан тайёрланади. исларнинг қобиқсиз турлари ҳам мавжуд. интеграл биполяр транзистор топологияси ва кўндаланг кесими имснинг монтажи: думалоқ қобиқда ва ясси қобиқда қатламли резисторлар, қалин қатламли конденсатор ва юпқа қатламли индуктивлик гибрид микросхема имс принципиал схемаси имс тузилиши эътиборингиз учун рахмат image2.png image3.png image4.png image5.png image6.png image7.png image8.png image9.png image10.png image11.png image12.png image13.png image14.png image15.png image16.png image17.png image18.png image19.png image20.png image1.png

Хотите читать дальше?

Скачайте полный файл бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "интеграл микросхемалар ва уларнинг синфланиши"

1744802335.pptx /docprops/thumbnail.jpeg интеграл микросхемалар ва уларнинг синфланиши интеграл микросхемалар ва уларнинг синфланиши режа интеграл микросхемалар (имс) таърифи имслар классификацияси имс пассив элементлари имс актив элементлари имс тайёрлаш технологияси имс таърифи интеграл микросхема (имс) ўта ихчам, ўта пишиқ, кичик таннархга эга бўлган ва кам қувват истеъмол қиладиган радиоэлемент ясаш йўлидаги уринишлар маҳсулидир. имс элементи деб, конструкцияси бўйича кристалл ёки асосдан ажралмайдиган, эрэ функциясини бажарувчи имснинг қисмига айтилади. имс компоненти деб, дискрет элемент функциясини бажарувчи, лекин монтаждан аввал мустақил маҳсулот бўлган имснинг бўлагига айтилади. йиғиш, монтаж қилиш операцияларини бажаришда компонентлар микросхема асосига ўрнатилади. қобиқсиз диод...

Формат PPTX, 486,0 КБ. Чтобы скачать "интеграл микросхемалар ва уларнинг синфланиши", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: интеграл микросхемалар ва уларн… PPTX Бесплатная загрузка Telegram