optoelektron transformator (afn-plyonkali nanokristal yarimo‘tkazgichlar (cdte) asosida)

DOCX 4 стр. 34,3 КБ Бесплатная загрузка

4 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 34,3 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 4

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (4 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 4

удк 621.382:530.93:365.2 оптоэлектронные приборы на основе нанокристал-лических полупроводниковых (cdte) афн-пленок рахимов н.р.1, тураев б.э.2, болтабоев и.м.3 1.филиал фгбоу во «уфимский государственный нефтяной технический университет в г. октябрьском, россия, г. октябрьский. 2. филиал ташкентского государственного технического университета им. ислама каримова в г. термезе, узбекистан, г. термез. 3.андижанский машиностроительный институт, узбекистан, г. андижан e-mail: bturaev2020@gmail.com аннотация. в оптроне с прямой оптической связью, действующем на базе афн-эффекта нанокристаллических полупроводниковых плёнок и в пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрических полупроводниках эта трудность снимается. такой оптрон представляет собой оптоэлектронный трансформатор напряжения, функционально подобный трансформатору с электромагнитной связью. ключевые слова: электрический, оптоэлектроника, электролюминесцентных, полупроводниковые пои, фототиристоры, фотонапряжения, нанокристаллическая, трёхселенистой. optoelectronic devices based on nanocrystal-semiconductor semiconductor (cdte) afn films nematjon rakhimov1, bakhodir turaev2, isroil boltaboev3 1. branch of fsbei he “ufa state oil technical university in oktyabrsky, russia, oktyabrsky. 2. branch of tashkent state technical university. islam karimov in termez, uzbekistan, termez. 3.andizhan engineering institute, uzbekistan, andijan e-mail: bturaev2020@gmail.com annotation: …

2 / 4

существляются в оптоэлектронике на основе различных функциональных принципов. в излучателях, например, инжекционных светодиодах, лазерах, электролюминесцентных ячейках, свет генерируется за счет энергии электрического сигнала. в качестве приемника оптического излучения (пои), главным образом применяются, полупроводниковые пои. полупроводниковые пои уступают по отдельным параметрам фотоэлектронным пои, но использование их в условиях производства предпочтительнее благодаря малым габаритам, высокой надежности и небольшим рабочим напряжениям. к этому классу пои относятся: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, приборы с зарядовой связью (пзс), полупроводниковые болометры. в этих пои, электрический сигнал формируется не за счет энергии света, а в результате вызываемого световым сигналом перераспределения энергии от независимого источника электрического питания. иначе говоря, излучатель представляет собой световой генератор с электрическим питанием, а фотоприемник–электрический ключ со световым управлением. исходя из идеи дуальности электрических и оптических связей, естественно поставить задачу создания оптического ключа с электрическим управлением и электрического генератора со световым питанием. такие элементы открывают новые функциональные возможности как при раздельном применении, так и в …

3 / 4

ные для оптоэлектроники пои автономного типа. на базе нанокристаллической полупроводниковой афн-плёнки и пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрических полупроводников можно создать оптоэлектронный трансформатор напряжения. задача создания трансформатора напряжения, аналогичного по своим свойствам трансформатору с электромагнитной связью, то есть, сочетающего преобразование напряжения с электрической развязкой входа и выхода, не имеет решения в твердотельной электронике. необходимость реализации этих функций привела к идее оптрона с прямой оптической связью, положившей начало развитию оптоэлектроники. однако передача напряжения в оптроне осуществляется не путем непосредственной трансформации входного сигнала в выходной с помощью внутренних связей, а по релейному принципу. напряжение, подаваемое во входную цепь, изменяет через канал оптической связи проводимость фотоприемника во вторичной цепи, работающего как реостат, управляемый светом. поэтому для получения сигнала на выходе в выходной цепи оптрона должен находиться автономный источник питания. в оптроне с прямой оптической связью, действующем на базе афн-эффекта нанокристаллических полупроводниковых плёнок и в пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрических полупроводниках эта трудность снимается. такой оптрон представляет собой оптоэлектронный …

4 / 4

ровался наиболее эффективных существующих полупроводниковых инжекционных светодиодах – gaas, gap, gaasxp1-x и gaхa11-x as и афн- пленках [2]. анализ характеристик афн-плёнок с позиций спектрального согласования со светоизлучателями, быстродействия и величины генерируемого фотонапряжения приводит к заключению, что наиболее подходящими являются плёнки теллурида кадмия с разными примесями, селенида кадмия и трёхселенистой сурьмы. в качестве фотоприемников для оптоэлектронных трансформаторов напряжения показывают хорошее спектральное согласование оптронных пар gap- cdte и gaas – sb2se3. для реальных условий работы оптоэлектронного трансформатора напряжения необходимо определить значения vафн, создаваемые афн-фотоприёмниками при импульсном возбуждении в режиме холостого хода. афн эффект в нанокристаллических полупроводниковых плёнках и пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрических полупроводник может быть применен как новый тип элементов –фотовольтаических преобразователей энергии. кпд преобразования световой энергии в электрическую на основе фотовольтаического эффекта пока низок (0,1%). однако, нанокристаллическая полупроводниковая афн-плёнка и пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрические полупроводники могут использоваться для генерации опорных напряжений низкой мощности. при этом спектральная чувствительность этих элементов варьируется в широкой области: …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 4 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "optoelektron transformator (afn-plyonkali nanokristal yarimo‘tkazgichlar (cdte) asosida)"

удк 621.382:530.93:365.2 оптоэлектронные приборы на основе нанокристал-лических полупроводниковых (cdte) афн-пленок рахимов н.р.1, тураев б.э.2, болтабоев и.м.3 1.филиал фгбоу во «уфимский государственный нефтяной технический университет в г. октябрьском, россия, г. октябрьский. 2. филиал ташкентского государственного технического университета им. ислама каримова в г. термезе, узбекистан, г. термез. 3.андижанский машиностроительный институт, узбекистан, г. андижан e-mail: bturaev2020@gmail.com аннотация. в оптроне с прямой оптической связью, действующем на базе афн-эффекта нанокристаллических полупроводниковых плёнок и в пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрических полупроводниках эта трудность снимается. такой оптрон представляет собой оптоэлектронный трансформатор напряжения, функционально подобн...

Этот файл содержит 4 стр. в формате DOCX (34,3 КБ). Чтобы скачать "optoelektron transformator (afn-plyonkali nanokristal yarimo‘tkazgichlar (cdte) asosida)", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: optoelektron transformator (afn… DOCX 4 стр. Бесплатная загрузка Telegram