optiko-upravlyayemye mikroskhemy na osnove aфn-plenok

DOCX 21 pages 111.8 KB Free download

21 pages

FaylHub.uz

Download via Telegram

Size 111.8 KB

File type DOCX

Pages 21

Updated Dec 2025

Page preview (5 pages)

Scroll down 👇

1 / 21

удк 621.365.2 разработка оптико-управляемых микросхем на их основе тураев б.э1., рахимов н.р2. 1термезский филиал ташкентского государственного технического университета им. ислама каримова 2уфимского государственного нефтяного технического университета аннотация. в данной работе рассмотрена разработка оптико-управляемых микросхем на основе афн-пленок. для этой цели использован пои генераторного типа с тонкослойной афн-пленкой при создании оптико-управляемых микросхем, а также показаны их преимущества и применение в оптоэлектронике. ключевые слова: пленок аномального высокого фотонапряжения (афн), полупроводниковые соединение, оптикоуправляемые микросхемы, оптоэлектронный датчик, моп-транзистор. для получения афн-пленок из соединений cdse, сdte, cdte:cd необходимо использовать метод термического испарения в вакууме. вакуумная установка собрана на основе механического форвакуумного насоса типа рвн-4 и паромасленного диффузионного насоса типа н-01, которые обеспечивают давление порядка 10-4 мм рт. ст. в качестве испарителей использованы тигли из окиси алюминия или бериллия [1]. температура испарения полупроводника достигалась регулированием тока. подложки нагревались с помощью печки, конструкция которой дает возможность изменять температуру подложки до 600° с. температура на подложке и испарителя …

2 / 21

что давало возможность более точно контролировать время осаждения материала. для сохранения состава шихты и начального потока испаряемого материала перед испарением шихты отжигали в режиме испарения в течение 20 - 25 минут. малое расстояние между электродами при продольном режиме работы уменьшает электрическую прочность пленок, поэтому для получения пленок с большой толщиной и повышения температуры осаждения, а также во избежание уноса и прямого попадания частиц на подложку поверхность тигля закрывали кварцевой пластинкой. при применении соответствующих приспособлений нам удалось получить слои в широком диапазоне толщин (0,1 - 3,0 мкм) и при высоких температурах подложки (400 °с). в некоторых случаях, для предотвращения отклонения от стехиометрического состава произведено подпыление s или сds одновременно в процессе испарения. при испарении смеси порошков cds+cdse также нарушалась стехиометрия. материалы cdse и cds в соответствующем количестве помещали в тигель и испаряли одновременно. в пленках, полученных такой методикой, электрофизические свойства колебались в довольно большом диапазоне. для сохранения стехиометрии во всех образцах …

3 / 21

ние остаточных газов в вакуумной камере, условия термической обработки пленок после напыления. оптимальные технологические параметры афн-пленок, у которых фотонапряжение достигалось 1000 в/см2 при комнатной температуре, следующие (табл. 2.): таблица 2. полупроводниковый материал вакуум мм рт. ст. температура подложки, °с угол напыления толщина пленки, мкм cdte 10-4 200 - 250 35° 0,7 - 1,5 cdse 10-4 200 - 300 35° 0,7 - 2,0 при получении пленок термическим осаждением веществ на подложку важными характеристиками являются толщина пленок и распределение этой толщины по длине пленки. в работах [2-4] проведен расчет распределения толщины по длине пленки для общего случая, когда плоскость подложки необязательно параллельна плоскости испарителя. эта задача представляет самостоятельный интерес не только для афн-пленок, но и для ферромагнитных пленок, пленок, широко применяемых для ориентации жидких кристаллов и др., которые получаются специально косоугольным осаждением исходного вещества. обозначив через ɵ угол наклона подложки относительно нормали, и проводя соответствующие вычисления, получено распределение толщины по длине пленки …

4 / 21

ушается симметрия относительно максимального значения толщины (рис.1). описывается способ устранения неоднородности толщины по длине афн-пленки, при косоугольном осаждении, путем дополнительного допыления. этот вопрос является решающим для получения пленок с оптимальной толщиной. для получения плёнок равномерной толщины прибегают к нескольким приемам. в одном из них применяют ряд небольших испарителей, расположенных по кольцу параллельно подложке или одного испарителя, вращаемого вокруг оси, перпендикулярной к плоскости подложки. в другой методике получения плёнок равномерной толщины подложку вращают вокруг оси, перпендикулярной её плоскости. эти приемы не применимы для случая афн-пленок, т. к. при испарении вышеописанными способами специфичная структура с наклоненными дендритными выступами, которая возникает при косоуголном осаждении нарушается и афн исчезает. другим недостатком этих методик, вообще, является применение многих испарителей, что технически не всегда возможно а тем более вращение испарителя или подложки с токопроводами. также в работе [5] разработан способ устранения неоднородности толщины по длине афн-пленки при косоуголном осаждении. для этого между испарателем и подложками в …

5 / 21

таты проведенных экспериментов по дополнительному допылению для 6 образцов сdте приведены в таблице 3 (длина образцов 1,7 см). таблица 3.влияние дополнительного допыления на афн в пленках cdte. номер образца vафн, в до допыления vафн, в после допыления добавочное vафн, в % 9 11 12 14 16 19 84 95 103 110 120 115 101 137 152 143 165 168 17 42 48 33 45 53 16,8 30,7 31,8 23 27,3 31,6 видно, что при применении разработанного способа, увеличение афн достигает 30 %. снятием зависимости vафн от длины пленки показано, что в пленках с градиентом толщины vафн распределено неравномерно, а в пленках, полученных вышеописанной технологией равномерно. библиографический список 1. фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника / под ред. э.и. адировича. – ташкент: фан, 1972. с. 143–229 2. рахимов н.р., оптоэлектронные датчики на основе афн-эффекта [текст]: монография / н.р. рахимов, о.к. ушаков. – новосибирск: сгга, 2010. – 218 с. 3. приемники оптического …

Want to read more?

Download all 21 pages for free via Telegram.

Download full file

About "optiko-upravlyayemye mikroskhemy na osnove aфn-plenok"

удк 621.365.2 разработка оптико-управляемых микросхем на их основе тураев б.э1., рахимов н.р2. 1термезский филиал ташкентского государственного технического университета им. ислама каримова 2уфимского государственного нефтяного технического университета аннотация. в данной работе рассмотрена разработка оптико-управляемых микросхем на основе афн-пленок. для этой цели использован пои генераторного типа с тонкослойной афн-пленкой при создании оптико-управляемых микросхем, а также показаны их преимущества и применение в оптоэлектронике. ключевые слова: пленок аномального высокого фотонапряжения (афн), полупроводниковые соединение, оптикоуправляемые микросхемы, оптоэлектронный датчик, моп-транзистор. для получения афн-пленок из соединений cdse, сdte, cdte:cd необходимо использовать метод термич...

This file contains 21 pages in DOCX format (111.8 KB). To download "optiko-upravlyayemye mikroskhemy na osnove aфn-plenok", click the Telegram button on the left.

Tags: optiko-upravlyayemye mikroskhem… DOCX 21 pages Free download Telegram