qutblanuvchanlik va refraksiya

DOCX 11 стр. 160,6 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇
1 / 11
1. qutblanuvchanlik va refraksiya bizga umumiy fizika kursidan ma’lumki, yorug’lik ikki muhit chegarasiga tushganda, yorug’likning bir qismi qaytadi, bir qismi esa sinadi. singan yorug’lik uchun quyidagi qoidani aytish mumkin. ya’ni, tushish burchagi sinusining sinish burchagi sinusiga bo’gan nisbat berilgan moddalar uchun o’zgarmasdir: (1) rasm agar (1) ni vakuumga nisbatan olsak: (1’) elektr kursidan bizga ma’lumki, agar moddalarni statik maydonga joylashtirsak, ularni dielektrik o’tkazuvchanligi o’zgarar edi, ya’ni (). demak, static maydon dielektrik o’tkazuvchanlik doimiyligi nilan xarakterlanar ekan. yorug’lik elektromagnit maydon esa muhitning sindirish ko’rsatkichi () bilan xarakterlanadi. elektromagnit maydon nazariyasiga asosan nurning to’lqinuzunligi katta bo’lganda: yoki (2) bu kattaliklar sindirish ko’rsatkichi hamda muhitning dielektrik o’tkazuvchanlik doimiysi makroskopik parametrlari hisoblanadi. bunday parametrlardan tashqari muhitning mikroskopik parametrlari ham mavjud bo’lib, bu moddaning tashkil etuvchi zarralarning xususiyatlarini belgilaydi. bunday mikroskopik parametrlardan biri bu qutblanuvchanlik () dir. bu kursning asosiy vazifasi moddaning makroskopik xususiyatlari bilan mikroskopik xususiyatlari orasidagi bog’lanishlarni xarakterlaydigan kattaliklarni topishdan iboratdir. buning uchun …
2 / 11
yoki boshqacha aytganda bu maydon ta’siri ostida molekulyar elektr zaryadlarining siljuvchanlik qobiliyatini xarakterlaydi. demak, (3) formula bitta molekulaning maydon yo’nalishi bo’yicha hosil bo’lgan dipol momentini xarakterlar ekan. dipol - bu zaryadlari bir-biriga teng bo’lgan va bir-biridan ma’lum masofada joylashgan (+) vs (-) zaryadlardan iborat bo’lgan sistemadir. rasm agar 1 sm3 hajmdagi molekulalar soni () ta desak, (3) quyidagicha bo’ladi: (4) ikkinchi tomondan bu elektr maydon elektr induksiyasi vektori bilan quyidagicha bog’langandir: (5) (5) ni boshqacha yozsak: (6) (6) ni (4) ga asosan yozsak: (7) bundan: (8) hosil bo’ladi. (2) ni hisobga olib (8) ni yozsak: (9) bo’ladi. agar : (10) deb olsak, hamda gazlar uchun sindirish ko’rsatkichini 1 ga yaqin desak, (10) ni quyidagicha yozish mumkin: (11) (11) ni (9) ga qo’ysak: (12) yoki (13) bundan: (14) bu formula orqali siyraklahsgan gaz molekulalarini qutblanishini aniqlash mumkin. bizga ma’lumki, tashqi va ichki maydon bir-biri bilan quyidagicha bog’langandir: (15) (11) formulani chiqarishda …
3 / 11
ljiydi. bu o’zgarishni vodorod atomi misolida qaraylik. 1-rasmdagidek bo’ladi. elektronlarning siljishi har qanday moddada sodir bo’ladi. lekin har xil moddalarda har xil siljiydi. agarda elektron qanchalik bo’sh bog’langan bo’lsa, u shuncha ko’p siljiydi, ya’ni shuncha ko’p qutblanadi. bundan shunday xulosa kelib chiqadiki, tashqi qavatdagi elektronlar oson qutblanar ekan. b) atom qutblanish – bu atom yadrosining elektr maydoni ta’siri ostida maydonning manfiy qutbi tomon siljishini xarakterlaydi va uni deb belgilaymiz. masalan, molekulalarda zaryadlangan atomlar yoki yadrolar (yoki atomlar guruhi) qarama-qarshi tomon siljiydi. ya’ni, molekulaning qarama-qarshi zaryadlangan atomlari bir-biriga nisbatan siljiydi, ular orasidagi masofalar ortadi va natijada molekulalarning qutblanishi ortadi. qutblanmagan (tug’ma dipole bo’lmagan) molekulalar qutblangan molekulaga aylanishi mumkin. sizga ma’lumki, molekulalar 2 xil bo’ladi: 1) qutbli 2) qutbsiz elektron va atom qutblanishi deformatsiya bilan sodir bo’lganligi tufayli, bu qutblanishlarning yig’indisiga ba’zan deformatsion (yoki induksion) qutblanish deb ham aytiladi: (22.a) yadro elektrondan og’ir bo’lgani uchun atom qutblanish elektron qutblanishdan miqdor jihatidan kam …
4 / 11
. qutbli molekulalar uchun umumiy qutblanish quyidagicha bo’ladi: (22.b) (22) formuladan ko’rinadiki qutblanish temperaturaga bog’liq emas ekan. haqiqatda deformatsion qutblanish temperaturaga bog’liq emas. bu qutblanish qutbsiz molekulalarda vujudga keladi, demak, bundan ko’rinadiki, qutbsiz molekulalarning qutblanishi temperaturaga bog’liq emas ekan. lekin temperature ortishi bilan orientatsion qutblanish kamayadi. demak, temperaturaning o’zgarishi bilan qutbli molekulalarning o’zgarar ekan. buni quyidagicha tushuntirish mumkin: temperaturaning ortishi bilan molekulalarning harakati kuchayib, ularning orientatsion qutblanishi kamayadi va bu kamayish quyidagi formula bilan aniqlanadi: (22.v) - tug’ma dipol - bolsman doimiysi (22.v) ni hisobga olib, qutbli molekulalaruchun klauzius- masotti tenglamasini yozsak, quyidagiga teng bo’ladi: (22.g) biz yuqorida moddalarni elektrostatik maydonga joylashtirilganda, ularda sodir bo’ladigan o’zgarishlarni ko’rib chiqdik. umumiy fizika kursidan ma’lumki, moddalardan elektromagnit tebranish o’tganda o’zgaruvchan elektr maydoni vujudga keladi. o’zgaruvchan ana shunday ta’sirida moddalarda gaz beradigan hodisalar alohida ahamiyatga ega. o’zgaruvchan bunday maydon moddadan yorug’lik o’tganda ham vujudga keladi. agar statik maydon, dielektrik o’tkazuvchanlik doimiyligi bilan xarakterlansa, nur …
5 / 11
rientatsion qutblanishga ulgura olmaydi va natijada molekulaning dipol moment o’zgarmasdan qoladi. xuddi shuningdek, og’ir yadro ham o’zgaruvchan maydonda qutblanishga ulgura olmaydi, natijada atom qutblanish ro’y bermaydi. shunday qilib, refraksiya elektron qutblanishga teng bo’lar ekan, ya’ni: bundan kelib chiqadiki, resfraksiya molekuladagi elektronlarning qutblanishini bildirar ekan. (23) ga asosan bilan quyidagicha bog’lanishga ega: (24) yoki (25) demak, (25) dan ko’rinadiki, qanday o’lchamga ega bo’lsa, ham shunday birlikka ega bo’lar ekan, yani (sm3). shuning uchun ham (25) ga asosan refraksiya deb molekuladagi hamma elektronlarning qutblanuvchanligini ham tushunamiz. molekular refraksiyani bilib, molekulalararo ta’sirini, ularning struktura tuzilishiga xos ma’lumotlarni olishimiz mumkin. undan tashqari ni qiymatini bilib, qutblanuvchanlikni qiymatini topish mumkin. lekin refraksiya orqali topilgan , dielektrik doimiysi orqali topilgan dan farq qiladi, chunki, chastotaga bog’liqdir. tajribalar ko’rsatadiki, molekular refraksiya bosim o’zgarishi bilan juda kam o’zgaradi. undan tashqari molekular refraksiya moddaning agregat holatda o’zgarishi bilan ham juda kam o’zgaradi. 2. qutblanuvchanlik tenzori yuqorida aytib o’tganimizdek, dielektrik …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 11 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "qutblanuvchanlik va refraksiya"

1. qutblanuvchanlik va refraksiya bizga umumiy fizika kursidan ma’lumki, yorug’lik ikki muhit chegarasiga tushganda, yorug’likning bir qismi qaytadi, bir qismi esa sinadi. singan yorug’lik uchun quyidagi qoidani aytish mumkin. ya’ni, tushish burchagi sinusining sinish burchagi sinusiga bo’gan nisbat berilgan moddalar uchun o’zgarmasdir: (1) rasm agar (1) ni vakuumga nisbatan olsak: (1’) elektr kursidan bizga ma’lumki, agar moddalarni statik maydonga joylashtirsak, ularni dielektrik o’tkazuvchanligi o’zgarar edi, ya’ni (). demak, static maydon dielektrik o’tkazuvchanlik doimiyligi nilan xarakterlanar ekan. yorug’lik elektromagnit maydon esa muhitning sindirish ko’rsatkichi () bilan xarakterlanadi. elektromagnit maydon nazariyasiga asosan nurning to’lqinuzunligi katta bo’lganda: yoki (2) bu ...

Этот файл содержит 11 стр. в формате DOCX (160,6 КБ). Чтобы скачать "qutblanuvchanlik va refraksiya", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: qutblanuvchanlik va refraksiya DOCX 11 стр. Бесплатная загрузка Telegram