yarim o‘tkazgichli imslar

PPTX 15 стр. 1,6 МБ Бесплатная загрузка

15 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 1,6 МБ

Тип файла PPTX

Страницы 15

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 15

elektronika 3-mustaqil ish.ppt yarim o‘tkazgichli imslar tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli imslarni bipolyar va mdya ims larga ajratish qabul qilingan. bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan imslardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. bu sinfga galliy arsenidida yasalgan imslar, zatvori shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan imslar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda. ikkala sinfga mansub yarim o‘tkazgichli islar texnologiyasi yarim o‘tkazgich kristallini galma – gal donor va akseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga asoslangan. natijada sirt ostida turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yupqa qatlamlar, ya’ni n–p–n yoki p–n–p tuzilmali tranzistorlar hosil bo‘ladi. bir tranzistorning o‘lchamlari enigi bir necha mikrometrlarni tashkil etadi. alohida elementlarning izolyatsiyasi yoki r-n o‘tish yordamida, yoki dielektrik parda yordamida amalga oshirilishi mumkin. tranzistorli tuzilma faqat tranzistorlarni emas, balki boshqa elementlar (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) yasashda ham qo‘llaniladi. mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tashqari ko‘p emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar …

2 / 15

mavjud. agar diod yasash uchun emitter – baza o‘tishdagi p-n o‘tish qo‘llanilsa, u holda kollektor – baza o‘tishdagi p-n o‘tish uziq bo‘lishi kerak. rezistorlar. bipolyar tranzistorli imslarda rezistor hosil qilish uchun bipolyar tranzistor tuzilmasining biror sohasi: emitter, kollektor yoki baza qo‘llaniladi. emitter sohalari asosida kichik qarshilikka ega bo‘lgan rezistorlar hosil qilinadi. baza qatlami asosida bajarilgan rezistorlarda ancha katta qarshiliklar olinadi. kondensatorlar. bipolyar tranzistorli imslarda teskari yo‘nalishda siljigan p–n o‘tishlar asosida yasalgan kondensatorlar qo‘llaniladi. kondensatorlarning shakllanishi yagona texnologik siklda tranzistor va rezistorlar tayyorlash bilan bir vaqtning o‘zida amalga oshiriladi. demak ularni yasash uchun qo‘shimcha texnologik amallar talab qilinmaydi. mdya – tranzistorlar. imslarda asosan zatvori izolyatsiyalangan va kanali induksiyalangan mdya–tranzistorlar qo‘llaniladi. tranzistor kanallari p- va n– turli bo‘lishi mumkin. mdya–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki kondensatorlar va rezistorlar sifatida ham qo‘llaniladi, ya’ni barcha sxema funksiyalari birgina mdya – tuzilmalarda amalga oshiriladi. agar dielektrik sifatida sio₂ qo‘llanilsa, u holda bu tranzistorlar moya–tranzistorlar deb …

3 / 15

. bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta’sirida kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadilar. planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali ims namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan. diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‘zida har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. diametri 120 mm bo‘lgan plastinada o‘nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin. zamonaviy imslar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. bu texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi. 1 – rasm. planar – …

4 / 15

sh) ni ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin. shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar – analog integral mikrosxemalar (ais), raqamli signallarni qayta ishlaydiganlari esa – raqamli integral sxemalar (ris) deb ataladi. raqamli sxemalar asosida sodda tranzistorli kalit (ventil) sxemalar yotadi. kalitlar ikkita turg‘un holatni egallashi mumkin: uzilgan va ulangan. sodda kalitlar asosida ancha murakkab sxemalar yasaladi: mantiqiy, bibarqaror, triggerli (ishga tushuruvchi), shifratorli, komporatorlar va boshqa, asosan hisoblash texnikasida qo‘llaniladigan. ular raqamli shaklda ifodalangan axborotni qabul qilish, saqlash, qayta ishlash va uzatish fuksiyasini bajaradilar. integral mikrosxemalarning murakkablik darajasi komponent integratsiya darajasi kattaligi bilan ifodalanadi. bu kattalik raqamli imslar uchun kristallda joylashishi mumkin bo‘lgan mantiqiy ventillar soni bilan belgilanadi. 100 ta dan kam ventilga ega bo‘lgan imslar kichik integratsiya darajasiga ega bo‘lgan imslarga kiradi. o‘rta darajali islar 10², katta islar 10²10⁵, o‘ta katta islar 10⁵10⁷ va ultra katta islar10⁷ darajadan ortiq …

5 / 15

Хотите читать дальше?

Скачайте все 15 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "yarim o‘tkazgichli imslar"

elektronika 3-mustaqil ish.ppt yarim o‘tkazgichli imslar tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli imslarni bipolyar va mdya ims larga ajratish qabul qilingan. bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan imslardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. bu sinfga galliy arsenidida yasalgan imslar, zatvori shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan imslar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda. ikkala sinfga mansub yarim o‘tkazgichli islar texnologiyasi yarim o‘tkazgich kristallini galma – gal donor va akseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga asoslangan. natijada sirt ostida turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan ...

Этот файл содержит 15 стр. в формате PPTX (1,6 МБ). Чтобы скачать "yarim o‘tkazgichli imslar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: yarim o‘tkazgichli imslar PPTX 15 стр. Бесплатная загрузка Telegram