мантиқий элементлар

DOC 402.5 KB Free download

Page preview (5 pages)

Scroll down 👇

1584171598.doc мантиқий элементлар режа: 1.манткий элементлар 2.ракамли электрон курилмаларнинг фундаментал хоссалари. мантиқий элементлар микроэлектрон аппаратлар ривожи кис ва ўкис ларни кенг қўллашга асосланган. бу билан аппаратларнинг техник-иқтисодий кўрсаткичлари ортмоқда: ишончлилик, халақитбардошлик ортмоқда, массаси, ўлчамлари, нарҳи камаймоқда ва х.з. кис мэлари тезкорлигининг кичиклигига қарамасдан мдя – технологияда бажарилар эди. мэ тезкорлигини ошириш муаммоси philips ва ibm фирмалари томонидан бт асосида интеграл –инжекцион мантиқ (и2м) негиз элементи яратилишига сабаб бўлди. и2м негиз элементи схемаси 10.1, а – расмда келтирилган. элемент vt1 (p1-n-p2) ва vt2 (n-p2-n+) комплементар бтлардан ташкил топган. vt1 транзистор, кириш сигналини инверсловчи vt2 транзистор учун база токи генератори (инжектори) вазифасини бажаради. vt2 транзистор одатда бир нечта коллекторга эга бўлиб, элемент мантиқий чиқишларини ташкил этади. и2м турдаги элементларда ҳосил қилинган мантиқий схемаларда, vt1 транзистор эмиттери ҳисобланган инжектор (и), кучланиш манбаи билан r резистор орқали уланади ва унинг қаршилиги талаб этилган токни таъминлайди. бундай ток билан таъминловчи қурилма инжектор токи қийматини, кенг …

ак, яхлит элемент кристаллда ттмдаги стандарт кэт эгаллаган ҳажмни эгаллайди. а) б) 5.1 – расм. и2м негиз элементнинг принципиал схемаси (а), топология қирқими (б) ва шартли белгиланиши (в). элементнинг ишлаш принципи. иккита кетма-кет уланган и2м элементлар занжири 5.1 – расмда тасвирланган. агар схеманинг киришига берилган кучланиш u0кир u* бўлса, у ҳолда қайта уланувчи vt2 транзистор очилади. p2 соҳага келиб тушаётган коваклар бу соҳани тез зарядлайди. vt1 инжектор тўйиниш режимига ўтади. p2 соҳа потенциали инжектор потенциалига деярли тенг бўлади. vt2 транзисторнинг эмиттер-база ўтиши тўғри йўналишда силжийди ва электронларнинг базага, кейин эса коллекторга инжекцияси бошланади. коллекторга келаётган электронлар p2 соҳадан келган ковакларни нейтраллайди. натижада коллектор потенциали пасаяди ва база потенциалидан кичик бўлиб қолади. vt2 транзистор тўйиниш режимига ўтади ва элемент чиқишида тўйинган транзистор кучланишига тенг бўлган кичик сатҳли кучланиш ўрнатилади. реал шароитда у 0,1÷0,2 в га тенг. шундай қилиб, и2м негиз мэ учун қуйидаги муносабатлар ҳақиқийдир: u0 = 0,1÷0,2 в; u1 = …

ради. 5.3 – расм. ёки-эмас амалини и2м мантиқй элементлар асосида ташкил этиш схемаси. и2м схемалар тезкорлиги инжекция токи iи га кучли боғлиқ бўлиб, ток ортган сари ортади. бу вақтда ақу озгина ортади ва 4÷0,2 пджни ташкил этади. элемент қайта уланишининг ўртача кечикиш вақти 10÷100 нс, яъни ттм элементникига нисбатан бир неча марта катта. аммо қувват истеъмоли 1-2 тартибга кичик бўлади. мантиқий ўтиш кичиклиги туфайли и2м элементининг халақитбардошлиги ҳам кичик (20÷50 мв) бўлади. шунинг учун бу схемалар фақат кис ва ўкислар таркибида ва кичик интеграция даражасига эга мустақил ислар сифатида қўлланилади. и2м мэнинг х киришига статик режимда мантиқий 1га мос кучланиш берилганда манба ем дан энергия истеъмол қилиши, унинг камчилиги ҳисобланади. эмиттерлари боғланган мантиқ (эбм) элементни яратилишига рақамли қурилмалар тезкорлигини ошириш муаммоси сабаб бўлган. эбм элементда қайта уланувчи транзистор ёки берк, ёки очиқ бўлади ва базада қўшимча ноасосий заряд ташувчилар тўпланаётганда бт тўйиниш режимида ишлайди. транзисторни бир ҳолатдан иккинчисига ўтиши узоқ …

исторнинг актив иш режимига мос келади ва эбм негиз элементларида i0 = 0,5÷2 ма. бтг мавжудлиги туфайли база потенциалларининг ихтиёрий қийматларида эмиттер ўтишларда автоматик равишда iэ1  iэ2  i0 (5.1) шарт ўрнатилади. актив режимда эмиттер токининг база – эмиттер кучланишига боғлиқлиги киришдаги vt1 транзистор учун қуйидаги ифода билан аппроксимацияланади iэ1 iэ01е(uкирuэ)/t , (5.2) vt2 транзистор учун эса iэ2  iэ02е(u0uэ)/t . (5.3) бу ифодаларда эмиттер токининг uэб =0 ва uкб ≠0 бўлгандаги қолдиқ қиймати iэ0. интеграл технологияда эгизаклик принципига мувофиқ iэ01 = iэ02. хона температурасида t kt /q 0,025 в. (12.1), (12.2) ва (12.3)лардан фойдаланиб, u0(i10 кир )/t iэ2  i0uкир (5.4) iэ1 u , u0(1 )/t 1eu01eu0 га эга бўламиз. схема симметрик, шунинг учун иккала бт база потенциаллари тенг бўлганда (uкир = u0) ҳар бир елкадан оқиб ўтаётган ток i0 / 2 га тенг. таянч кучланиш u0 = 1,2 в бўлсин. агар uкир қиймати δ ≤ 0,1 в …

л u+кир қийматини аниқлаймиз. бунинг учун uкб≥0 (uк≥uб) шарт бажарилиши керак. транзисторнинг база потенциали кириш сигнали билан, коллектори потенциали эса uk  em i0rk (5.6) ифода ёрдамида аниқланади. у ҳолда транзистор актив режим чегарасида (uк =uб) қоладиган u+кир қиймати қуйидаги муносабат билан аниқланади uкир  eм i0rk u0 . (5.7) (12.6) шарт бажарилиши, берилган ем, u0 ва u+кир қийматларида транзисторнинг актив иш режими таъминланиши учун rк резисторлар қаршилиги кичик (200 омгача) қилиб танланади. алоҳида калитлар (қайта улагичлар) асосан аналог схемаларда қўлланилади. мантиқий схемаларда ҳар бир қайта улагич чиқиши бир ёки бир неча бошқа қайта улагичлар киришига уланади. қайта улагичлар кетма –кетлиги ишга лаёқатлигини таъминлаш мақсадида кириш ва чиқишлар бўйича мантиқий 0 ва мантиқий 1 сатҳлар мувофиқлаштирилган бўлиши керак. афсуски, мазкур турдаги қайта улагичларда сатҳлар мослиги мавжуд эмас, чунки у1 ва у2 чиқишлардан олинаётган чиқиш кучланиши доим u0 дан катта бўлади. шу сабабли бундай қайта улагичларни кетма – кет улаб бўлмайди. …

Want to read more?

Download the full file for free via Telegram.

Download full file

About "мантиқий элементлар"

1584171598.doc мантиқий элементлар режа: 1.манткий элементлар 2.ракамли электрон курилмаларнинг фундаментал хоссалари. мантиқий элементлар микроэлектрон аппаратлар ривожи кис ва ўкис ларни кенг қўллашга асосланган. бу билан аппаратларнинг техник-иқтисодий кўрсаткичлари ортмоқда: ишончлилик, халақитбардошлик ортмоқда, массаси, ўлчамлари, нарҳи камаймоқда ва х.з. кис мэлари тезкорлигининг кичиклигига қарамасдан мдя – технологияда бажарилар эди. мэ тезкорлигини ошириш муаммоси philips ва ibm фирмалари томонидан бт асосида интеграл –инжекцион мантиқ (и2м) негиз элементи яратилишига сабаб бўлди. и2м негиз элементи схемаси 10.1, а – расмда келтирилган. элемент vt1 (p1-n-p2) ва vt2 (n-p2-n+) комплементар бтлардан ташкил топган. vt1 транзистор, кириш сигналини инверсловчи vt2 транзистор учун база ...

DOC format, 402.5 KB. To download "мантиқий элементлар", click the Telegram button on the left.

Tags: мантиқий элементлар DOC Free download Telegram