bipolyar tranzistorlar

PPTX 23 стр. 1,7 МБ Бесплатная загрузка

23 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 1,7 МБ

Тип файла PPTX

Страницы 23

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 23

the evolution of invention in canada thesis bipolyar tranzistorlar reja: 01 tushuncha bipolyar tranzistorlar haqida tushuncha 02 ishlash prinsipi bipolyar tranzistorlarning ishlash prinsiplari 03 ulanishlari biployar tranzistorning umumiy ulanishlari 04 parameterlari bipolyar tranzistorlarning asosiy parameterlari tarixi unipolyar tranzistordan farqli oʻlaroq, birinchi bipolyar tranzistor eksperimental tarzda yaratilgan va uning ishlash prinsipi keyinroq tushuntirilgan. 1929-1933-yillarda leningrad fizika-texnika institutida oleg losev a.f.ioffe rahbarligi ostida yarimoʻtkazgich qurilmalar ustida bir qator tajribalar oʻtkazdi. ilk transistor nusxasi shuningdek, yarimoʻtkazgichlardagi elektrolyuminessensiya hodisasini oʻrgangan losev 90 ta turli materiallarni, asosan, kremniyli birikmalarni koʻrib chiqdi va 1939-yilda oʻzining kundaligida uch elektrodli sistema haqida qaydlar qoldirgan. biroq, 2-jahon urushining boshlanib qolishi va 1942-yilda injenerning leningrad qamalida halok boʻlishi tufayli, uning qilgan ishlari hozir yoʻqolib ketgan. shu sababli, uning tranzistor yarata olgan yoki olmagani bizga nomaʼlum. tushuncha 01 bipolyar tranzistor nima ? bipolyar tranzistor bipolyar transistor (bt) deb o’zaro ta’sirlashuvchi ikkita p va n o’tishdan tashkil topgan va signallarni tok, kuchlanish …

2 / 23

ollektor oʼtish deb ataladi. npn va pnp bt lar volt-amper xarakteristikasi ikkita vax ga ega: kirish va chiqish. kirish – baza tokining (ib) baza-emitter (ube) kuchlanishiga bogʼliqligi. chiqish – kollektor tokining (ik) kollektor-emitter (uke) kuchlanishiga bogʼliqligi emitter va kollektor o’tishlar teskari siljitilsa aktiv injeksiya-voltaik eo’ to’g’ri siljitilganda, ko’ da eyk hosil bo’lsa teshilish teskari siljitilgan ko’ ga yuqori kuchlanish va temperatura ta’sir etsa berk invers to’yinish tashqi kuchlanish manbalari (ueb va ukb) yordamida eo’ to’g’ri, ko’ teskari yo’nalishda siljitilsa eo’ teskari yo’nalishda va ko’ to’g’ri yo’nalishda siljitilsa eo’ va ko’ lar to’g’ri siljitilsa bt ning rejimlari ub ue umumiy baza sxemasi uk umumiy emitter sxemasi umumiy kollektor sxemasi bt sxemada ulanishlari umumiy baza sxemasi bu erda asosiy terminal ham kirish, ham chiqish davri uchun umumiydir. bu erda npn tranzistor va pnp tranzistorining umumiy tayanch rejimi alohida ko'rsatilgan. bu erda emitter-baza sxemasi kirish sxemasi sifatida va kollektorning asosiy sxemasi chiqish sxemasi …

3 / 23

er junction e (emitter) e (emitter) to(ma) collector-emiter vottage fig 5.3: output characteristics of the transistor in ce configuration os 10 15 base-emitter voltage .2: input characteristics of the transistor in ce configuration ‘out pnp bit vee veo usz, b ix, ma lol otf 10.8 0a! | i 1=0.6ma _/' | [5=0.4 ma ; 4 er t [y=0.2 ma / . uv. » "0 1 2°10 20 30 40 ugg, b bc reverse- biased + wash be forward- biased collector lead (metallic) electrons that recombined with holes in the base region collector (n-type) << bc junction depletion region base (p-type) base lead <¢ be junction delpetion region (metallic) minority (hole) current emitter (n-type) emitter lead @ @ r—) (metallic) 00000000000 ) ) 00000000000 tp (ua) vce= constant vee(v) input characteristic of common emitter npn bjt _ avee 7 = wie when, vor is constant +, — aver ole when, ip …

4 / 23

5 / 23

Хотите читать дальше?

Скачайте все 23 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar tranzistorlar"

the evolution of invention in canada thesis bipolyar tranzistorlar reja: 01 tushuncha bipolyar tranzistorlar haqida tushuncha 02 ishlash prinsipi bipolyar tranzistorlarning ishlash prinsiplari 03 ulanishlari biployar tranzistorning umumiy ulanishlari 04 parameterlari bipolyar tranzistorlarning asosiy parameterlari tarixi unipolyar tranzistordan farqli oʻlaroq, birinchi bipolyar tranzistor eksperimental tarzda yaratilgan va uning ishlash prinsipi keyinroq tushuntirilgan. 1929-1933-yillarda leningrad fizika-texnika institutida oleg losev a.f.ioffe rahbarligi ostida yarimoʻtkazgich qurilmalar ustida bir qator tajribalar oʻtkazdi. ilk transistor nusxasi shuningdek, yarimoʻtkazgichlardagi elektrolyuminessensiya hodisasini oʻrgangan losev 90 ta turli materiallarni, asosan, kremniyli birikmalarni...

Этот файл содержит 23 стр. в формате PPTX (1,7 МБ). Чтобы скачать "bipolyar tranzistorlar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar tranzistorlar PPTX 23 стр. Бесплатная загрузка Telegram