bipolyar tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimlari

DOCX 12 стр. 181,8 КБ Бесплатная загрузка

12 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 181,8 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 12

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 12

2-ma’ruza. bipolyar tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimlari. maydoniy tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejmlari. ko’p kaskadli kuchaytirgichlar. quvvat kuchaytirgichlari. analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. negiz bosqichlarga ue sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda ui sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. negiz bosqichlar bir vaqtning o’zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo’yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar. 2.1. bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. kuchaytirgich tahlil qilinganda signal manbai yoki qarshilik rg bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanish manbai eg ko’rinishida (2.1 a-rasm), yoki qarshilik rg bilan parallel ulangan ideal tok manbai ig ko’rinishida (2.1 b-rasm) ifodalanishi mumkin. a) b) 2.1 – rasm. agar rg va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – biriga yaqin bo’lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta’sir ko’rsatmaydi. agar rg kuchaytirgich …

2 / 12

da - termik potentsial, iks – proportsionallik koeffitsienti bo’lib uning tahminiy qiymati mikroquvvatli kremniyli tranzistorlar uchun t=300 k bo’lganda 10-9 ma tartibga ega bo’ladi. kirish signali mavjud bo’lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida bo’ladi. sokinlik rejimida kollektor – emittter kuchlanishining doimiy tashkil etuvchisi . kirishga o’zgaruvchan kirish signalining musbat yarim davri berilsa, baza toki ortadi va u kollektor toki o’zgarishiga olib keladi. bu holat uzatish xarakteristikasi (2.3-rasm) dan ko’rinib turibdi. kollektor toki ik ning ube kuchlanishiga bog’liq ravishda o’zgarishi xarakteristika tikligi s bilan ifodalanadi: uke = const bo’lganda bu kattalikni (2.1) ifodadan foydalanib ham topish mumkin: (2.2) . shunday qilib, tiklik kollektor tokiga proportsional bo’lib, har bir tranzistorning individual xossalariga bog’liq bo’lmaydi. shuning uchun bu kattalikni aniqlashda o’lchashlar talab qilinmaydi. kirish signali ta’siri natijasida rk dagi kuchlanish ortadi, uke kuchlanish esa kamayadi, ya’ni manfiy yarim davrli chiqish signali shakllanadi. demak, bunday kuchaytirgich bosqichi chiqish va kirish kuchlanish signallari orasida 180 0 …

3 / 12

va shunchalik yaxshi kirish bosqichiga uzatiladi. kirish zanjirini yuklamaga ulangan kuchlanish manbai ko’rinishida ifodalash uchun differentsial kirish qarshiligi kattaligi kiritiladi uke = const bo’lganda. kirish qarshiligi rbe va tiklik s orasida quyidagi bog’liqlik mavjud , bu yerda - tok uzatish differentsial koeffitsienti. amaliy hisoblar uchun quyidagi nisbatdan foydalanish mumkin (2.6). kuchaytirgich bosqichining chiqish yoki ichki qarshiligi rchiq bu bosqichni yuklama (keyingi bosqich) bilan o’zaro ta’sirlashuvida katta rol o’ynaydi. kuchaytirgichning chiqish qarshiligi yuklamadan tok oqib o’tayotganda chiqish kuchlanishini kamayishiga olib keladi va bu holatni kuchaytirish koeffitsientini hisoblayotganda hisobga olish kerak bo’ladi. yuklama qarshiligi ryu va chiqish qarshiligi rchiq kuchaytirgich kuchaytirish koeffitsientini martaga kamaytiruvchi kuchlanish bo’luvchisini hosil qiladilar. chiqish ichki qarshiligi . natijada yuklamadagi kuchaytirish koeffitsienti . (2.7) kuchaytirish koeffitsienti temperatura o’zgarishiga bog’liq, chunki . nihoyat, tok bo’yicha differentsial kuchaytirish koeffitsienti quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi uke = const bo’lganda. bu kattalik statik koeffitsientdan kollektor tokining keng o’zgarish diapazonida sezilarli farq qilmaydi va …

4 / 12

iqishidagi signalning, demak kuchaytirish koeffitsientining ham ortishi yoki kamayishiga olib kelishi mumkin. birinchi holatda kirish signali fazasi bilan teskari aloqa signali fazalari bir – biriga mos keladi va ularning amplitudalari ko’shiladi – bunday teskari aloqa musbat teskari aloqa deb ataladi. ikkinchi holatda esa fazalar teskari bo’lib, amplitudalar bir - biridan ayiriladi – bunday teskari aloqa manfiy teskari aloqa deb ataladi. kuchaytirgichlarda faqat manfiy teskari aloqa (mta) qo’llaniladi. mta ning kiritilishi signal kuchayishini kamaytiradi, lekin parametrlarning barqarorligi ortadi va nochiziqli buzilishlar kamayadi. 2.4 – rasmda manfiy teskari aloqali bir bosqichli kuchaytirgich sxemasi keltirilgan. 2.4 – rasm. bu yerda mta emitter zanjiriga re rezistor kiritilishi bilan amalga oshirilgan. kirish kuchlanishi ukir ortishi bilan emitter toki ortadi, shu sababli re rezistorda kuchlanish pasayishi ham ortadi: , chunki baza- emitter o’tishida kuchlanish kirish kuchlanishiga nisbatan kichik bo’ladi . kirish va re rezistordagi kuchlanishilarning o’zgarishi bir - biriga teng deb hisoblash mumkin, ya’ni baza-emitter kuchlanishi …

5 / 12

r keng qo’llaniladi. 2.5 –rasmda n – kanalli r–n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. r–n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda stok va zatvorga berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo’lishi kerak. shu sababli o’zgarmas tok bo’yicha rejim hosil qilish uchun ri rezistor kiritiladi va u ketma-ket mtani hosil qiladi. bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga rsil rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan galvanik aloqasini ta’minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi. berilgan is0 sokinlik toki uchun ri kattaligi maydoniy tranzistor stok – zatvor vaxsidan aniqlanadi (5.3 a –rasmga qarang). vaxdan uzi0 ni aniqlab ri ni quyidagi ifodadan qiynalmas aniqlash mumkin: 2.5 – rasm. kirishga o’zgaruvchan signalning musbat yarim davri ukir berilganda chiqishda teskari fazadagi signal uchiq hosil bo’ladi, ya’ni ui sxemadagi kuchaytirgich bosqichi kirish signalini inverslaydi. kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti quyidagiga teng “manfiy” ishora uili sxema signalni inverslashini bildiradi. amaliyotda , shu sababli kuchaytirish …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 12 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimlari"

2-ma’ruza. bipolyar tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimlari. maydoniy tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejmlari. ko’p kaskadli kuchaytirgichlar. quvvat kuchaytirgichlari. analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. negiz bosqichlarga ue sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda ui sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. negiz bosqichlar bir vaqtning o’zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo’yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar. 2.1. bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich b...

Этот файл содержит 12 стр. в формате DOCX (181,8 КБ). Чтобы скачать "bipolyar tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimlari", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar tranzistorlarni ulash … DOCX 12 стр. Бесплатная загрузка Telegram

bipolyar tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimlari

Предварительный просмотр (5 стр.)

Хотите читать дальше?

О "bipolyar tranzistorlarni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimlari"

Похожие файлы