doping haqida malumot doping nazariyasini otkazish haqida axboratlarni organish

DOCX 10 стр. 16,8 КБ Бесплатная загрузка

10 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 16,8 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 10

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 10

oʻzbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi referat mavzu: doping haqida malumot doping nazariyasini otkazish haqida axboratlarni organish tayyorladi: xayitboyev sanatbek kirish 1. doping haqida ma'lumot 2. doping nazariyasini o'rganish 3. o'tkazuvchanlikni dopinglash xulosa foydalanilgan adabiyotlar dopingga oid ma'lumotlar: kirish doping - bu sportda adolatni buzadigan va salomatlikka zarar yetkazadigan taqiqlangan moddalar yoki usullarni qo'llash. u 19-asr oxiridan beri mavjud. doping nazorati 1960-yillarda boshlangan, wada (butunjahon antidoping agentligi) 1999-yilda tashkil etilgan va dopingga qarshi global kurashda muhim rol o'ynaydi. dopingga qarshi kurashda sportchilarning huquqlari himoyalangan. ular doping testlaridan o'tish jarayonida muayyan kafolatlarga ega bo'lishadi. dopingning asosiy tushunchalari doping - yarimo'tkazgichning elektr o'tkazuvchanligini oshirish uchun unga ataylab 10^-6 dan 10^-3 gacha atom nisbatida aralashmalar kiritish jarayoni. donor aralashmalari (masalan, fosfor) yarimo'tkazgichga ortiqcha erkin elektronlarni qo'shadi va uni n-turdagi yarimo'tkazgichga aylantiradi, elektr o'tkazuvchanlikni oshiradi. akseptor aralashmalari (masalan, bor) yarimo'tkazgichda kovaklar hosil qiladi va uni p-turdagi yarimo'tkazgichga aylantiradi, kovaklar orqali zaryad tashilishini …

2 / 10

ntlari (masalan, fosfor) kremniyga qo'shiladi, bunda har bir atomda beshta valent elektron mavjud. ortiqcha elektronlar zaryad tashuvchilar sifatida harakat qiladi. n-tipidagi kremniyning o'tkazuvchanligi xona haroratida sezilarli darajada oshadi, chunki 10^15 dan 10^19 gacha bo'lgan erkin elektronlar konsentratsiyasi ko'tariladi. n-tipidagi dopingda donor atomlar (fosfor, mishyak) taqiqlangan zonaning pastki qismida 0.01 dan 0.05 ev gacha bo'lgan donor sathlarini hosil qiladi, elektronlar oson qo'zg'aladi. p-tipidagi doping p-tipidagi dopingda, kremniy kabi yarimo'tkazgichga uch valentli elementlar (masalan, bor) qo'shiladi, bu esa elektronlar uchun 'teshiklar'ning 10^15 dan 10^18 gacha konsentratsiyasini hosil qiladi. p-tipidagi yarimo'tkazgichlarda 'teshiklar' asosiy zaryad tashuvchilar hisoblanadi, elektronlar esa minoritar zaryad tashuvchilar bo'lib, 300k haroratda elektron mobilligi teshik mobilligidan kamroq bo'ladi. bor atomi kremniy atomi o'rnini egallaganda, u faqat 3 ta kovalent bog' hosil qiladi, bu esa 0.045 ev energiya talab qiladigan elektron etishmasligini (teshik) yaratadi va zaryad tashish imkonini beradi. doping kontsentratsiyasi doping kontsentratsiyasi yarimo'tkazgichning elektr xususiyatlarini aniqlaydi; odatda 10^15 dan 10^20 atom/sm^3 …

3 / 10

aniq dozalash imkonini beradi. epitaksiya usuli, yarimo'tkazgich kristalining sirtida yangi, dopinglangan qatlamni o'stirishni nazarda tutadi. mocvd va mbe kabi usullar yordamida amalga oshiriladi. doping nazariyasi: asosiy tamoyillar doping nazariyasida valentlik elektronlari kontsentratsiyasi muhim ahamiyatga ega, n-tip yarimo'tkazgichlar uchun donors impurity kontsentratsiyasi 10^15 atom/sm^3 dan ortiq bo'lishi kerak. p-tip yarimo'tkazgichlarida, asosiy tamoyil akseptor qo'shimchalarining mavjudligi bo'lib, ular kremniy kabi materiallarda teshiklar kontsentratsiyasini 10^16 sm^-3 ga oshiradi. fermi darajasining joylashuvi doping darajasiga bog'liq; yuqori n-doping fermi darajasini o'tkazuvchanlik zonasiga yaqinlashtiradi, p-dopingda esa valentlik zonasiga yaqinlashtiradi. fermi darajasi va doping fermi darajasi yarimo'tkazgichdagi elektronlarning kimyoviy potensialini ifodalaydi, n-tipidagi doping uni yuqoriga, o'tkazuvchanlik zonasiga yaqinlashtiradi. p-tipidagi doping fermi darajasini valentlik zonasiga yaqinlashtiradi, bu esa kovaklarning konsentratsiyasini oshiradi va o'tkazuvchanlikni yaxshilaydi. doping darajasi oshishi bilan fermi darajasi tegishli zona chegarasiga yaqinlashadi, degenerativ yarimo'tkazgich holatiga olib kelishi mumkin, xususan 10^18 atom/sm^3 dan yuqori konsentratsiyalarda. zaryad tashuvchilarning harakati zaryad tashuvchilarning harakati drift tezligi orqali ifodalanadi, bu tashqi …

4 / 10

himcha elektronlar beradi, bu n-tipidagi yarimo'tkazgichning o'tkazuvchanligini sezilarli darajada oshiradi. aralashmalarning konsentratsiyasi (masalan, bor) yarimo'tkazgichning qarshiligini aniqlaydi; yuqori konsentratsiyalar elektr maydonining ta'sirida zaryad tashuvchilarning sonini oshiradi. qabul qiluvchi aralashmalar (masalan, alyuminiy) elektronlar uchun 'teshiklar' yaratadi, bu esa p-tipidagi yarimo'tkazgichda musbat zaryadlangan zaryad tashuvchilarning harakatini kuchaytiradi. dopingning qurilmalarga qo'llanilishi doping yarimo'tkazgichli diodlarda qo'llaniladi, unda n-tur dopingi musbat anodga, p-tur dopingi esa salbiy katodga imkon berib, 0.7v da o'tkazuvchanlikni boshlaydi. bipolyar tranzistorlarda doping n-p-n yoki p-n-p tuzilishini yaratadi; kichik bazaviy tok katta kollektor tokini boshqaradi, beta (β) koeffitsienti 50 dan 500 gacha bo'lishi mumkin. mosfet'larda doping, manba va oqim terminallarini hosil qiladi; darvoza kuchlanishi kanalning o'tkazuvchanligini boshqaradi, threshold voltage (vt) qiymati esa muhim parametr hisoblanadi. doping bo'yicha tadqiqotlar doping bo'yicha tadqiqotlar ko'pincha anti-doping qoidalarining buzilishini aniqlash uchun analitik usullarni, masalan, mass-spektrometriya va xromatografiyani qo'llashga qaratilgan 100 dan ortiq tadqiqotlar mavjud. gen dopingi bo'yicha tadqiqotlar 2023-yilda wada tomonidan nazorat qilinadigan sportchilarning genetik modifikatsiyasini …

5 / 10

1 foiz aniqlikdagi testlar, shuningdek, turli xil sport turlari uchun individual xavf profillarini aniqlashga qaratilgan. dopingga qarshi kurashning uzoq muddatli istiqbollari, 2030 yilga qadar, sportchilarning xulq-atvoriga ta'sir etuvchi kompleks ta'lim va axloqiy dasturlarini o'z ichiga oladi. xulosa doping haqida ma'lumot olish va doping nazariyasini o'rganish sportchilarning halol raqobatni ta'minlash va salomatligini himoya qilish uchun muhimdir. foydalanilgan adabiyotlar 1. dopping haqida ma'lumot, dopping nazariyasini o'rganish haqida ma'lumot. (information about doping, studying information about conducting doping theory.) 2. jismoniy mashqlar va sportda dopping: faktlar, oqibatlar va oldini olish. (doping in exercise and sport: facts, consequences, and prevention.) 3 2

Хотите читать дальше?

Скачайте все 10 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "doping haqida malumot doping nazariyasini otkazish haqida axboratlarni organish"

oʻzbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi referat mavzu: doping haqida malumot doping nazariyasini otkazish haqida axboratlarni organish tayyorladi: xayitboyev sanatbek kirish 1. doping haqida ma'lumot 2. doping nazariyasini o'rganish 3. o'tkazuvchanlikni dopinglash xulosa foydalanilgan adabiyotlar dopingga oid ma'lumotlar: kirish doping - bu sportda adolatni buzadigan va salomatlikka zarar yetkazadigan taqiqlangan moddalar yoki usullarni qo'llash. u 19-asr oxiridan beri mavjud. doping nazorati 1960-yillarda boshlangan, wada (butunjahon antidoping agentligi) 1999-yilda tashkil etilgan va dopingga qarshi global kurashda muhim rol o'ynaydi. dopingga qarshi kurashda sportchilarning huquqlari himoyalangan. ular doping testlaridan o'tish jarayonida muayyan kafolatlar...

Этот файл содержит 10 стр. в формате DOCX (16,8 КБ). Чтобы скачать "doping haqida malumot doping nazariyasini otkazish haqida axboratlarni organish", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: doping haqida malumot doping na… DOCX 10 стр. Бесплатная загрузка Telegram