kuchli bipolyar tranzistorlar

PDF 13 стр. 487,9 КБ Бесплатная загрузка

13 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 487,9 КБ

Тип файла PDF

Страницы 13

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 13

o‘zbekiston respublikasi ~ 1 ~ 04 ma’ruza energiya samarali kengli impulsli o’zgaruvchan tok o’zgartgichlari 1. kuchli bipolyar, maydon bilan boshqariluvchi va igbt tranzistorlar. 2. zamonaviy kengli impulsli boshqariluvchi chastota o‘zgartgichlarining asosiy sxemalari, strukturalari, ishlash printsiplari. 3. ular (shim)ning afzalliklari, solishtirma taxlili va energiya samaradorligi. 1. kuchli bipolyar tranzistorlar. bipolyar tranzistorlar – uch elektrodli yarim o’tkazgichli pribor, tranzistorlarning tiplaridan biri. elektrodlar yarim o’tkazgichning uchta ketma-ket birin-ketin almashadigan qo’shimchalar o’tkazuvchanliklari joylashgan qatlam-lariga ulangan. o’tkazuvchanlikning bunday almashinuv usulida n-p-n va p-n-p tranzistorlar farqlanadi. bunda n (negative) – qo’shimchali o’tkazuvchanlikning elektron tipi, p (positive) – kovakli. 1-rasm. sxemalarda bipolyar tranzistorlarning belgilanishi 2-rasm. tranzistorning tuzilishi bipolyar tranzistorning ishlashi ikki tipdagi zaryadlarning bir vaqtda tashilishiga asoslangan. zaryad tashuvchilar esa elektron va kovaklardir («bi» – «ikki» so’zidan olingan). tranzistorning sxematik ko’rinishi 2-rasmda ko’rsatilgan. o’rta qatlamga ulangan elektrod baza deb ataladi, tashqi qatlamlarga ulangan elektrodlar esa kollektor va emitter deyiladi. o’tkazuvchanlik nuqtai nazaridan kollektor va emitter farqlanmaydi. biroq, …

2 / 13

da yaxshiroq injektsiyasini ta’minlaydi, bu esa umumiy baza sxemasida tok bo’yicha uzatish koeffitsientini ko’paytiradi. bundan tashqari kollektorning p-n o’tishi maydoni tayyorlash jarayonida emitter o’tishinikidan kattaroq qilib ishlanadi, bu esa baza qatlamidan tashuvchilarni yaxshiroq to’plash va uzatish koeffitsientini yaxshilashni ta’minlaydi. bipolyar tranzistorning ishlash tezligini oshirish uchun (chastota parametrlari) baza qatlamining qalinligi yupqaroq qilinishi zarur, chunki asosiy bo’lmagan tashuvchilarning «(uchib) o’tish vaqti» (dreyfsiz priborlarda diffuziya vaqti) baza qatlami qalinligi bilan ~ 2 ~ belgilanadi (aniqlanadi). biroq baza qalinligi kamayganda kollektor kuchlanishi chegarasi ham pasayadi, shuning uchun baza qatlami qalinligi har tomondan «ma’qul» keladigan o’rta qiymati tanlanadi. dastlabki tranzistorlarda yarim o’tkazgich materiali sifatida germaniy metallidan foydalanilgan. hozirgi vaqtda (2014 yildan) ular asosan kremniy monokristallidan va galliy arsenid monokristallidan tayyorlanadi. galliy arsenidda tashuvchilarning juda ham harakatchanligi bois u modda ishlatilgan priborlar yuqori ishlash tezligiga ega va juda tez ishlaydigan mantiqli sxemalarda va juda yuqori chastotali kuchaytirgichlarda foydalaniladi. 3-rasm. bipolyar n-p-n tranzistor ko’ndalang kesimining soddalashtirilgan …

3 / 13

di. teskari yo’nalgan kollektor o’tishining kuchli elektr maydoni bazadan asosiy bo’lmagan tashuvchilarni (elektronlarni) tortib oladi va ularni kollektor qatlamiga o’tkazadi. shunday qilib, kollektor toki bazadagi rekombi- natsiyaga biroz sarflangan tok (ie=ib + ik) isrofini aytmasa amalda emitter tokiga teng. α koeffitsienti emitter tokining uzatish koeffitsienti (ik = α ie) deb ataladi. α koeffitsientining qiymati 0,9—0,999. koeffitsient qancha katta bo’lsa, tranzistor tokni shuncha effektli uzatadi. bu koeffitsientning kollektor-baza va baza-emitter kuchlanishlaridan bog’liqligi uncha emas. shuning uchun ishchi kuchlanishlarning keng diapazonida kollektor toki baza tokiga proportsional, proportsionallik koeffitsienti esa β=α/(1 – α) 10dan 1000gacha. shunday qilib bazaning kichik toki orqali kollektorning anchagina katta toklarini boshqarish mumkin. tranzistorning harqanday sxemada ulanishi ikkita asosiy ko’rsatkich bilan xarakterlanadi: – tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti ivix/ivx – kirish qarshiligi rvx = uvx/ivx har bir ulanish sxemasining o’ziga xos tomonlari, afzalliklari va kamchiliklari bor. https://commons.wikimedia.org/wiki/file:npn_bjt_cross_section.svg?uselang=ru ~ 3 ~ 4-rasm umumiy bazali kuchaytirgich umumiy emitterli sxema umumiy kollektorli sxema …

4 / 13

chiqib ketadi – zatvor (inglizcha gate) – kanal ko’ndalang kesimini rostlashga xizmat qiladigan elektrod. kanal o’tkazuvchanligi n ham va p tipda bo’lishi mumkin. shuning uchun o’tkazuvchanlik bo’yicha n-kanalli va p-kanalli maydonli tranzistorlar bo’ladi. elektrodlarga beriladigan kuchlanishlar n-kanalli va p-kanalli tranzistorlarda bir-biriga nisbatan teskari. maydonli tranzistor kanaliga va oziqlantirish manbaiga ketma-ket ulangan yuklamadagi tok va kuchlanishni boshqarish kiruvchi kuchlanishni o’zgartirish bilan amalga oshiriladi, buning oqibatida p-n o’tishda teskari kuchlanish o’zgaradi, bu vaziyat esa yopuvchi (kambag’allashib qolgan) qatlam qalinligining o’zgarishiga olib keladi. yopuvchi kuchlanishning ma’lum qiymatida kanal ko’ndalang kesimi nolga teng bo’ladi va tranzistor kanalida tok juda ham kichik qiymatga ega bo’ladi. p-n o’tishda teskari tok qiymatlarining juda ozligi sabab signal manbai quvvati juda kam. shunday qilib, maydonli tranzistor ish printsipi bo’yicha vakuumli triodga o’xshaydi. maydonli tranzistordagi istok vakuumli triod katodiga, zatvor – setkaga, stok – anodga. shu bilan birga farqlari ham bor, masalan: • tranzistorda qizdirilishi zarur bo’lgan katod yo’q • …

5 / 13

hunki maydonli tranzistorlarda asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar injektsiyasi degan holat foydalanilmaydi va maydonli tranzistor kanali yarim o’tkazgich kristalli yuzasidan ajratilishi mumkin. bipolyar tranzistorning p- n o’tishi va bazasida hamda yarim o’tkazgich kristalli yuzasidagi generatsiya- rekombinatsiya jarayonlari past chastotali shovqinlarni keltirib chiqaradi. 5-rasm. boshqaruvchi p-n o’tishga ega maydonli tranzistorning ulanish sxemalari. a) umumiy istok, b) umumiy stok, v) umumiy zatvor maydonli tranzistorlarning ishlatilish sohalari. turli n-kanal va p-kanalli maydonli tranzistorlarning komplementar juftlaridan qurilgan kmop strukturalar raqamli va analogli integral sxemalarda keng qo’llaniladi. bipolyar tranzistorlardagidek baza orqali oqadigan tok bilan emas, balki maydon bilan boshqarilishi hisobiga (zatvorga qo’yilgan kuchlanish kattaligiga qarab) maydonli tranzistorlar energiyani juda ham oz ishlatadi, bu esa kutuvchi va nazoratchi qurilmalarda hamda oz sarflash va energiya saqlash (uxlash rejimlari realizatsiyasi)da alohida dolzarbdir. maydonli tranzistorlardan foydalanib qurilgan buyuk misollardan keltirsak, bu kvartsli qo’l soatlari va televizorning distantsion boshqaruv pulti. kmop strukturalar qo’llanilishi hisobiga bu qurilmalar bitta mo’’jaz oziq manbai – …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 13 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "kuchli bipolyar tranzistorlar"

o‘zbekiston respublikasi ~ 1 ~ 04 ma’ruza energiya samarali kengli impulsli o’zgaruvchan tok o’zgartgichlari 1. kuchli bipolyar, maydon bilan boshqariluvchi va igbt tranzistorlar. 2. zamonaviy kengli impulsli boshqariluvchi chastota o‘zgartgichlarining asosiy sxemalari, strukturalari, ishlash printsiplari. 3. ular (shim)ning afzalliklari, solishtirma taxlili va energiya samaradorligi. 1. kuchli bipolyar tranzistorlar. bipolyar tranzistorlar – uch elektrodli yarim o’tkazgichli pribor, tranzistorlarning tiplaridan biri. elektrodlar yarim o’tkazgichning uchta ketma-ket birin-ketin almashadigan qo’shimchalar o’tkazuvchanliklari joylashgan qatlam-lariga ulangan. o’tkazuvchanlikning bunday almashinuv usulida n-p-n va p-n-p tranzistorlar farqlanadi. bunda n (negative) – qo’shimchali o’tkazuvchanl...

Этот файл содержит 13 стр. в формате PDF (487,9 КБ). Чтобы скачать "kuchli bipolyar tranzistorlar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: kuchli bipolyar tranzistorlar PDF 13 стр. Бесплатная загрузка Telegram