zamonaviy tranzistorlar tuzilishi va ishlash prinsipi

DOCX 5 sahifa 58,5 KB Bepul yuklash

5 sahifa

FaylHub.uz

Telegram orqali yuklab olish

Hajm 58,5 KB

Fayl turi DOCX

Sahifalar 5

Yangilangan Dek 2025

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1 / 5

zamonaviy tranzistorlar tuzilishi va ishlash prinsipi tranzistor (inglizcha: transfer —koʻchirmoq va rezistor) elektr tebranish-larni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljal-langan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi. tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarim oʻtkazgichlar ishlatiladi. bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi. hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (bt) (xalqaro atama bjt, bipolar junction transistor) asosiy oʻrinni egallagan. raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi …

2 / 5

eks bilan belgilanadi. masalan, vt15. rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa xx asrning 70-yillariga qadar „t“, „pp“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „pt“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan. tranzistorning yaratilishi xx asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-yilda ingliz olimi maykl faradey yarimoʻtkazgich material — kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi. 1874-yil nemis fizigi karl ferdinand braun metall-yarim oʻtkazgich kon-taktida bir tomonlama oʻtkazuvchanlik hodisasini aniqladi. 1906-yili injener grinlif vitter pikkard nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi. 1910-yilda ingliz fizigi uilyam ikklz baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa oleg losev, maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan diodlarni yaratdi. ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi. bu davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng oʻrganilmagan edi. barcha yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qoʻlga kiritilgandi. olimlar, kristall ichida qanday fizik hodisalar roʻy berayotganini tushuntirib berishga …

3 / 5

bilan bogʻliq. u tokni boshqa-rishning yangi yoʻlini taklif qilgan. u taklif qilgan usulga koʻra, tok uzatish yoʻli boʻylab unga koʻndalang elektr maydon qoʻyiladi. bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga taʼsir qilib, oʻtkazuvchanlikning yoʻnalishini oʻzgartiradi. ushbu kashfiyot uchun kanada (1925-yil 22-oktabrda) va germaniyada (1928-yilda) patent olgan. 1934-yilda nemis fizigi oskar xayl ham buyuk britaniyada ixtiro qilgan „kontaktsiz rele“si uchun patent olgan. maydoniy tranzistorlar sodda elektrostatik effektga asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun juda koʻp vaqt ketdi. 1920-yilda patentlangan va hozirda kompyuter sanoatining asosini tashkil etadigan birinchi mds maydoniy tranzistor birinchi boʻlib 1960-yilda amerikalik olimlar kang va atallaning ishidan soʻng yaratilgan boʻlib, ular kremniy sirtini oksidlash orqali uning sirtida dielektrikining kremniy dioksidining juda yupqa qatlamini hosil qilishni taklif qildilar. bu qatlam oʻtkazgich kanalidan metall zatvorni izolyatsiya qilish vazifasini bajarardi. bunday bunday tuzilishga mos strukturasi deyiladi (metall-oksid-yarim oʻtkazgich, inglizcha metall-oxide-semiconductor). xx asrning …

4 / 5

ta turli materiallarni, asosan, kremniyli birikmalarni koʻrib chiqdi va 1939-yilda oʻzining kundaligida uch elektrodli sistema haqida qaydlar qoldirgan. biroq, 2-jahon urushining boshlanib qolishi va 1942-yilda injenerning leningrad qamalida halok boʻlishi tufayli, uning qilgan ishlari hozir yoʻqolib ketgan. shu sababli, uning tranzistor yarata olgan yoki olmagani bizga nomaʼlum. image1.jpeg image2.jpeg

5 / 5

zamonaviy tranzistorlar tuzilishi va ishlash prinsipi - Page 5

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Barcha 5 sahifani Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"zamonaviy tranzistorlar tuzilishi va ishlash prinsipi" haqida

zamonaviy tranzistorlar tuzilishi va ishlash prinsipi tranzistor (inglizcha: transfer —koʻchirmoq va rezistor) elektr tebranish-larni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljal-langan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi. tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarim oʻtkazgichlar ishlatiladi. bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. bunday tran...

Bu fayl DOCX formatida 5 sahifadan iborat (58,5 KB). "zamonaviy tranzistorlar tuzilishi va ishlash prinsipi"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: zamonaviy tranzistorlar tuzilis… DOCX 5 sahifa Bepul yuklash Telegram