bipolyar tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalar tahlili va modellash

DOCX 29 стр. 605,3 КБ Бесплатная загрузка

29 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 605,3 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 29

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 29

bipolyar transistor kuchaytrgich elementi sifatida mundarija kirish………………………………………………………… . . . . . . . …..4 1 bob radiotexnik qurilmalardagi raqamli sxemalarning analitik tahlili 1.1. radiotexnik qurilmalarning bipolyar tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari …………………………………………………………………..8 1.2. radiotexnik qurilmalarning mdya tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari ………………………………………………………………….11 2 bob komplimentar bipolyar tranzistorlarda past kuchlanishli raqamli sxemalarni matematik modellashtirish 2.1. bipolyar tranzistorlarda elektron kalitlarni matematik modellashtirish.17 2.2. dinamik yuklamali bipolyar tranzistorda yig`ilgan invertor.…………20 2.3. komplimentar bipolyar tranzistorda yasalgan invertor ………………23 xulosa……………………………………….………………………...……24 foydalanilgan adabiyotlar ro`yhati………………………………………26 1 kirish o’zbekiston respublikasi prezidentning 19 martdagi qarori bilan 2021−2023 yillarda fizika fanlari bo‘yicha ta’lim sifatini oshirish va fizika sohasidagi ilmiy tadqiqotlarning natijadorligini ta’minlash bo‘yicha kompleks chora-tadbirlar dasturi (kompleks dastur) tasdiqlandi, deya xabar qildi adliya vazirligi. fizika fani bo‘yicha kadrlarni, xususan, qishloq joylardagi maktablarning o‘qituvchilarini tayyorlash, qayta tayyorlash va malakasini oshirish tizimini rivojlantirish kompleks dasturning asosiy vazifalaridan biri hisoblanadi. 2021−2022 yillarda bosqichma-bosqich respublika hududlarida fizika faniga ixtisoslashtirilgan jami 28 ta tayanch maktabi tashkil …

2 / 29

hirish bo‘yicha o‘quv modullari ishlab chiqiladi. 2022 yil 1 yanvargacha: qoraqalpog‘iston respublikasi, viloyatlar va toshkent shahridagi bittadan «barkamol avlod» bolalar maktablarida «stem» fizika klublari tashkil etiladi; fizika fanidan bilimlarni baholash bo‘yicha milliy sertifikatlash tizimi joriy qilinadi. 2021/2022 o‘quv yilidan tajriba-sinov tariqasida 20 ta umumta’lim muassasasida «virtual laboratoriya» loyihasi ta’lim jarayoniga tatbiq etiladi. 2022 yil 1 sentyabrdan ixtisoslashtirilgan maktablarning fizika fani bo‘yicha milliy sertifikatlash tizimida maksimal ballning 70 va undan yuqori foizini to‘plagan fizika fani o‘qituvchilariga bazaviy tarif stavkasiga nisbatan har oylik ustama haqi 50 foiz miqdorida to‘lanadi. 1 bob radiotexnik qurilmalardagi raqamli sxemalarning analitik tahlili 1.1. radiotexnik qurilmalarning bipolyar tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari bipolyar integral sxemalar yordamida amaliyotda ko`p qo`llaniladigan an’anaviy radiotexnik qurilmalar tayyorlanishi mumkin. avval yarim o`tkazgichli bipolyar asboblarni, bazaviy sxemalarning xarakteristikalarini, shuningdek, ularning tuzilishini ko`rib chiqamiz. bipolyar tranzistorlar asosidagi sxemalarni hisoblashda ularning ishini to`liq baholashga imkon beruvchi bo`lak–to`g`ri chiziqli approksimatsiya usulidan foydalaniladi. bu usulning asosiy xususiyati shundaki, tranzistordagi …

3 / 29

vchiga, balki rezistiv (aktiv) tashkil etuvchiga ham ega. bipolyar tranzistorlarni tok bilan boshqarish maydoniy mdya tranzistorlarnikiga qaraganda kuchliroq ekanligi aniqlandi. bipolyar tranzistorlar asosidagi mantiqiqy sxemalarning yuqori tezkorligini ta’minlash uchun ko`rilayotgan sxemani to`yintiruvchi rejimga o`tkazuvchi, shuningdek, to`plangan zaryadlarni tezda yo`qotishga imkon beruvchi bir qancha usullar qo`laniladi. birinchi usulga ko`ra hisob–kitob qilinadigan mantiqiqy sxemalar to`yintirilmagan deyiladi, ikkinchi usulga ko`ra hisob–kitob qilinadigan mantiqiqy sxemalar esa to`yintirilgan deyiladi. ttm va i2m lar to`yintirilgan mantiqiqy sxemalar sinfiga mansub bo`lgan tipik sxemalar hisoblanadi. ebm va ttmsh (shotki diodli) lar esa to`yintirilmagan sxemalar sinfiga mansubdir. 1.1–rasm. to`yinmagan rejim uchun ie=f(ube) bog`lanish. 1.2–rasm. ttm asosidagi “2 ham–emas” sxemasi. amaliyotda to`yinmagan ttm mantiqiqy sxemalar keng qo`llanilmoqda. ko`p emitterli tranzistorlarning ttm sxemasi (2 ham–emas) 1.2–rasmda ebm sxemalar to`yinmagan mantiqiqy sxemalar sinfiga mansubdir. bu sxemalar bipolyar tranzistorlarning emitter tokini cheklagan holda kollektor zanjiriga ulangan yuklama ta’sirida kuchlanishning pasayib ketishini oldini oladi, shu bilan birga to`yinish effektini cheklaydi. bunda kollektor–baza o`tishiga to`g`ridan–to`g`ri …

4 / 29

p–n tranzistorning baza sohalari bir–biriga qo`shilib ketgan. shu sababli transistor joylashishining bunday strukturasi sohalari o`zaro qo`shilgan integral strukturalar sinfiga mansubdir. yuqorida qayd etilganlarga ko`ra u bis texnologiyasi ichiga kiradi. ko`p kollektorli n–p–n tranzistorlar texnologiyasining rivojlanganligi sababli ular integratsiya darajasining o`sganlik tendensiyasiga javob beradi. 1.5– rasmda yarim o`tkazgichli i2m sxemalarning ishchi xarakteristikalari keltirilgan. 1.5–rasm. i2m sxemaning xarakteristikalari. 1.2. radiotexnik qurilmalarning mdya tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari agar n–p–n strukturali bipolyar tranzistorlarning ishlash jarayoni ikki turdagi elektr tashuvchilar (elektronlar–asosiy tashuvchilar, kavaklar–asosiy bo`lmagan tashuvchilar) hisobiga bo`lsa, maydonish tranzistorlarning ishlashi faqat bir turdagi elektr tashuvchilar hisobiga bo`ladi (asosiy tashuvchilar). bipolyar integral sxemalarda asosan zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar keng qo`llaniladi. invertor – bu elektron sxema bo`lib, mantiqiy inkor amalini bajarishda ishlatiladi. invertor faqatgina mantiqiy inkor funksiyasini bajaribgina qolmay, balki u kuchaytirgich vazifasini ham bajaradi. xususan, zaif elektr signallarini kuchaytirishda ishlatiladi. mdya – invertorning bazaviy sxemasi 1.7–rasmda ko`rsatilgan. invertorni ishga tushuruvchi (uyg`otuvchi) element sifatida n–kanalli mdya tranzistor …

5 / 29

y sinfga mansub sxemalarning ba’zi bir farqlari bo`lsada, statik holatda ularning uzatish xarakteristikalari bir xilda, 1.10– rasmda ko`rsatilgani kabi bo`ladi. invertorning uzatish xarakteristikasi ko`rinishini aniqlab beruvchi asosiy kattaliklar quyidagilar: ukv–kvantlash kuchlanishi, u1– mantiqiy birga mos keluvchi kuchlanish, uo–mantiqiy nolga mos keluvchi kuchlanish. bu kattaliklarning qiymatini invertorga ulangan yuklama yoki boshqaruvchi elementlarning volt–amper xarakteristikalarini o`zaro bog`lovchi tenglamalarni yechish yo`li bilan analitik usulda aniqlash mumkin.yetarlicha murakkab bo`lgan xarakteristikalardan foydalanilganda hisob–kitoblarni analitik usulda amalga oshirishda ko`pgina qiyinchiliklar yuzaga keladi. bunday matematik qiyinchilik va noqulayliklarni yengish uchun turli elektr jarayonlarini modellashtirish mumkin bo`lgan electron dasturdan foydalanib, kattaliklarning qiymatlarini osongina aniqlash mumkin bo`ladi. mdya asosida yasalgan bazaviy sxemalarning o`zaro ko`pgina kombinatsiyalaridan ko`pgina funksiayalarni bajara oladigan qurilmalarni real sharoitda yasash mumkin hisoblanadi. 2 bob komplimentar bipolyar tranzistorlarda past kuchlanishli raqamli sxemalarni matematik modellashtirish 2.1. bipolyar tranzistorlarda yasalgan elektron kalitlarni kompyuterda modellashtirish ko`p qatlamli p–n strukturali yarimo`tkazgichlarda quyosh elementlaridagi foto–voltaik effektning injeksion–voltaik effekt bilan bog`liqligini nazariy jihatdan …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 29 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "bipolyar tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalar tahlili va modellash"

bipolyar transistor kuchaytrgich elementi sifatida mundarija kirish………………………………………………………… . . . . . . . …..4 1 bob radiotexnik qurilmalardagi raqamli sxemalarning analitik tahlili 1.1. radiotexnik qurilmalarning bipolyar tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari …………………………………………………………………..8 1.2. radiotexnik qurilmalarning mdya tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalari ………………………………………………………………….11 2 bob komplimentar bipolyar tranzistorlarda past kuchlanishli raqamli sxemalarni matematik modellashtirish 2.1. bipolyar tranzistorlarda elektron kalitlarni matematik modellashtirish.17 2.2. dinamik yuklamali bipolyar tranzistorda yig`ilgan invertor.…………20 2.3. komplimentar bipolyar tranzistorda yasalgan invertor ………………23 xulosa……………………………………….………………………...……24 foydalanilgan adabiyotlar ro`yhati………...

Этот файл содержит 29 стр. в формате DOCX (605,3 КБ). Чтобы скачать "bipolyar tranzistorlar asosidagi raqamli sxemalar tahlili va modellash", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: bipolyar tranzistorlar asosidag… DOCX 29 стр. Бесплатная загрузка Telegram