elektron apparaturalarida shartli grafik va harfiy belgilagan elementlarni o'qish

DOC 6 стр. 101,0 КБ Бесплатная загрузка

6 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 101,0 КБ

Тип файла DOC

Страницы 6

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 6

2-ma`ruza. elektron apparaturalarida, sxematexnikada qo’llaniladigan elementlarnining shartli grafik va harfiy belgilanishlari, o’qilishlari. radioelektron qurilmalar juda ko`p sondagi elektron asboblardan tashkil topadi. fan va texnikaning rivojlanishi bilan ularning soni va turi yanada ortib bormoqda. shuning uchun radioelektron qurilmaning mustaxkamligi, uzoq, muddat ishonchli xizmat qila olish qobiliyati va boshqa xususiyatlarini oshirgan holda ularning xajmini kichraytirish, og’irligi va sarf qiladigan quvvatini kamaytirnsh kabi masalalar o’rtaga qo’yilmoqda. yarim o’tkazgichlar texnikasining rivojlanishi yarim o’tkazgichli asboblarning ma’lum kombinatsiyadagi sistеmasini bir qobiqqa joylashtirish imkoniyatini yaratdi. bunday asboblar modul — sxemalar yoki mikromodullar deb ataladi. ularda o’ta ixcham qobiqsiz yarim o’tkazgichli asboblar, plenkali (pardasimon) qarshilik va kondensatorlar ma’lum sxema asosida bir qobiq ichiga yig’iladi va biror elektron qurilmaning to’liq sxemasini tashkil etadi. shuning uchun ular mikrosxemalar deb xam ataladi. mikrosxemalarning 1 sm xajmida kamida 5 ta element (tranzistor, diod, rezistor, sig’im va induktivlik) qatnashib, ular biror elektron qurilmaning tugallangan sxemasini tashkil etishi lozim. hozir integral mikrosxema (ims) deb …

2 / 6

siy (chizikli), qiyosiy — raqamli; ishlab chiqarish texnologiyasi va konstruktsiyasiga qarab — yarim o’tkazgichli, pardasimon (plenkali), duragay (gibrid) va birlashtirilgan sxemalar mavjud. imsning murakkabligi yarim o’tkazgich kristalida nechta element joylashtirilganligi bilan belgilanadi. shunga ko’ra mikrosxemalar integrallanish darajasi orqali xarakterlanadi. masalan, elementlarining soni 10 tagacha bo’lgan mikrosxemalar birinchi darajali integral sxema (is11 yoki oddiy mikrosxema, elementlarining soni 100 tagacha ^bo’lganlari—ikkinchi darajali integral sxema (is2) yoki o’rta (uis) mikrosxema deb ataladi. elementlarining soni 100-10000 bo’lgan islar iii darajali,_ ya’ni katta integral sxema (kis), 10.000^dan ortiq elementga ega bo’lgan mikrosxemalar esa, o’ta katta (ukis), ya’ni yuqori darajada integrallanishli mikrosxemalar hisoblanadi. oddiy imsga mantiqiy elementlar, o’rta imsga esa, ehmning xotira qurilmalari, hisoblagichlar, jamlash qurilmalari — summatorlar misol bo’ladi. arifmetika — mantiq va boshqarish qurilmalari katta ims-dir. shuni aytish kerakki, mikrosxemalarning integrallanish darajasini orttirish va unga bogliq elementlar o’lchamini kichraytirishning chegara^i bor. bir necha o’n ming elementni bir sxemaga birlashtirish (integrallash) texnologik jihatdan juda murakkab …

3 / 6

msning yuqori ishonch bilan ishlashi payvandlanadigan birikmalar sonining kamayishi hisobiga bo’lsa, yuqori tezkorligi — elementlari orasidagi tutashtirish oralig’ining kichikligi bilan xarakterlanadi. har bir mikrosxemani ishlatishda tashqi manba kuchlanishi, nagruzkasining kattaligi, ta’sir etuvchi signal xususiyatlari va boshqalar oldindan aniqlangan bo’lishi lozim. yarim o’tkazgichli, pardasimon, duragay (gibrid) va birlashtirilgan (qo’shma) imslar eng ko`p qo’llaniladigan mikrosxemalardir. yarim o’tkazgichli ims yarim o’tkazgich materialidan iborat bo’lib, uning sirtqi qatlamida yoki xajmida elektr sxema elementlariga, tutashtirish simlariga, hiimoya (izolyatsiya) qatlamlariga ekvivalent bo’lgan sohalar hosil qilingan bo’ladi. ko’pincha yarim o’tkazgich sifatida kremniy kristali olinadi. u mikrosxemaning asosini tashkil qiladi va taglik yoki kristall deb ataladi. kristallda n — p o’tishlar hosil qilish yo’li bilan sxemaning passiv va aktiv elementlari joriy qilinadi. ular bir-biridan himoyalangan orolchalar deb ataladigan qismlarda tashkil topadi. yarim o’tkazgichli imslar ko’p to’plamli qilib yasaladi. har bir to’plamga bir vaqtda juda ko’p mikrosxema joylashadi. masalan, diametri 76 mm bo’lgan bitta plastinkaga 5000 tagacha mikrosxema joylanishi …

4 / 6

the eng uzun odam xromosomasi uzunligi taxminan 10 mkm. taxminan 100 mm (0,1 millimetr) - ko'zga ko'rinadigan eng kichik narsa.entsiklopediya site:uz.wikiqube.net) pardali va qalin (10— 20 mkm) pardali. ular faqat qalinliklari bilangina emas, balki taglikka tushirish texnologiyasi bilan ham bir-biridan farq qiladi. pardasimon imsdan faqat passiv element — rezistorlar kondensatorlar, induktivlik g’altagi yasaladi. ulardan ks — filtrlar tuziladi. duragay ims shundan mikrosxemaki, u pardasimon, yarimo’tkazgichli va diskret osma aktiv elementlarning birorta kombinatsiyasini tashkil qiladi. ular pardasimon imsning dielektrik tagligiga joyl ashtiriladi. osma element deganda, asosan, ixchamlashtirnlgan qobiqsiz diod va tranzistorlar tushuniladi. ular mustaqil element bulib, taglikka yopishtirib (osib) qo’yiladi va parda elementlari bilan ingichka simlar yordamida tutashtiriladi. duragay imsda yarim o’tkazgichli ims xam osma element xisoblanadi. ayrim xollarda yetarlicha katta sig’im va induktivlik zarur bo`l-ganda ixchamlashtirnlgan kondensator va induktivlik g’altagi xam osma element sifatida joriy qilinadi, chunki pardasimon imsda kata sig’im va ind^ktivlikka erishish mumkin bo’lmaydi. birlashtirilgan ims da aktiv …

5 / 6

qalin va elementlar orasidagi masofa uzok, bo`lgani uchun ular orasidagi zararli (parazit) sig’imlarni xisobga olmaslik mumkin. 3.30- rasmda purkash yo’li bilan xosil kilingan tugri turtburchak shaklida yasalgan induktivlik g’altagi ko’rsatilgan. yarim utkazgichli imslarning elementlari yarim o’tkazgich kristalining sirti yoki xajmida joylashadi. ularning xar biri yarim utkazgichning ma’lum soxasini egallaydi va mustaqil element — diod, tranzistor, rezistor, kondensator va boshqalar bo`lib xizmat qiladi. bu soxalar bir- biridan yo dielektrik, yoki teskari kuchlanish ulangan n — p o’tishlar yordamida ximoya kilinadi. ular purkash yuli bilan xosil kilinadigan simchalar yordamida biror elektr sxemani aks ettirgan xrlda tutashtiriladi. tutashtirish simchalari metall tarmoqchalar deb ataladi. ular, asosan, alyuminiydan tayyorlanadi. yarim utkazgichli imslarning elementlarini yasash murakkab texnologik jarayon bo`lib, ularning turlari xilma-xildir. barcha jarayonlarning negizini tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya’ni barcha passiv va aktiv elementlar tranzistor asosida xosil qilinadi. asos tranzistor vazifasini bipolyar yoki unipolyar tranzistorlar bajaradi. tranzistorlar. bipolyar tranzistorlarni yasashda uning xar ikki formulasi n— …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 6 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "elektron apparaturalarida shartli grafik va harfiy belgilagan elementlarni o'qish"

2-ma`ruza. elektron apparaturalarida, sxematexnikada qo’llaniladigan elementlarnining shartli grafik va harfiy belgilanishlari, o’qilishlari. radioelektron qurilmalar juda ko`p sondagi elektron asboblardan tashkil topadi. fan va texnikaning rivojlanishi bilan ularning soni va turi yanada ortib bormoqda. shuning uchun radioelektron qurilmaning mustaxkamligi, uzoq, muddat ishonchli xizmat qila olish qobiliyati va boshqa xususiyatlarini oshirgan holda ularning xajmini kichraytirish, og’irligi va sarf qiladigan quvvatini kamaytirnsh kabi masalalar o’rtaga qo’yilmoqda. yarim o’tkazgichlar texnikasining rivojlanishi yarim o’tkazgichli asboblarning ma’lum kombinatsiyadagi sistеmasini bir qobiqqa joylashtirish imkoniyatini yaratdi. bunday asboblar modul — sxemalar yoki mikromodullar deb ataladi. u...

Этот файл содержит 6 стр. в формате DOC (101,0 КБ). Чтобы скачать "elektron apparaturalarida shartli grafik va harfiy belgilagan elementlarni o'qish", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: elektron apparaturalarida shart… DOC 6 стр. Бесплатная загрузка Telegram